गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड एपिटॅक्सियल

संक्षिप्त वर्णन:

सपाट लाल LED क्रिस्टल्सच्या निर्मितीसाठी, ASP प्रकारच्या सबस्ट्रेट (ET0.032.512TU) च्या उत्पादित संरचनांसारख्याच, गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड एपिटॅक्सियल संरचना.


उत्पादनाचा तपशील

उत्पादन टॅग

सपाट लाल LED क्रिस्टल्सच्या निर्मितीसाठी, ASP प्रकारच्या सबस्ट्रेट (ET0.032.512TU) च्या उत्पादित संरचनांसारख्याच, गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड एपिटॅक्सियल संरचना.

मूलभूत तांत्रिक मापदंड
गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड संरचनांना

१, सबस्ट्रेटजीएए  
अ. वाहकतेचा प्रकार इलेक्ट्रॉनिक
ब. रोधकता, ओम-सेमी ०.००८
c. स्फटिक-जाळी अभिमुखता (१००)
ड. पृष्ठभागाचे चुकीचे अभिमुखता (१-३)°

७

२. एपिटॅक्सियल थर GaAs1-х Pх  
अ. वाहकतेचा प्रकार
इलेक्ट्रॉनिक
ब. संक्रमण थरातील फॉस्फरसचे प्रमाण
х = 0 पासून х ≈ 0,4 पर्यंत
c. समान रचनेच्या थरातील फॉस्फरसचे प्रमाण
x ≈ 0,4
ड. वाहक सांद्रता, cm³
(0,2−3,0)·1017
इ. प्रकाशदीप्तिमान वर्णपटाच्या कमाल तरंगलांबी, nm ६४५-६७३ एनएम
फ. विद्युतदीप्तिमान वर्णपटाच्या कमाल बिंदूवरील तरंगलांबी
६५०-६७५ एनएम
g. स्थिर थराची जाडी, मायक्रॉन
किमान ८ एनएम
h. थराची जाडी (एकूण), मायक्रॉन
किमान ३० एनएम
३ एपिटॅक्सियल थरासह प्लेट  
अ. विचलन, मायक्रॉन जास्तीत जास्त १०० मायक्रॉन
ब. जाडी, मायक्रॉन ३६०-६०० मायक्रॉन
c. चौरस सेंटीमीटर
किमान ६ सेमी²
ड. विशिष्ट प्रकाशमान तीव्रता (प्रसरणानंतरचे झिंक), सीडी/अँपिअर
किमान ०.०५ सीडी/अँपिअर

  • मागील:
  • पुढील:

  • व्हॉट्सॲपवर ऑनलाइन चॅट!