प्लॅनर रेड एलईडी क्रिस्टल्सच्या निर्मितीसाठी, सब्सट्रेट एएसपी प्रकार (ET0.032.512TU) च्या उत्पादित रचनांप्रमाणेच गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड एपिटॅक्सियल संरचना.
मूलभूत तांत्रिक पॅरामीटर
गॅलियम आर्सेनाइड-फॉस्फाइड संरचनांकडे
| १, सब्सट्रेटGaAs | |
| a. चालकता प्रकार | इलेक्ट्रॉनिक |
| b. प्रतिरोधकता, ओम-सेमी | ०,००८ |
| c. क्रिस्टल-जाळीचे अभिमुखीकरण | (१००) |
| d. पृष्ठभागाची दिशाभूल | (१−३)° |
| २. एपिटॅक्सियल थर GaAs1-х Pх | |
| a. चालकता प्रकार | इलेक्ट्रॉनिक |
| b. संक्रमण थरातील फॉस्फरसचे प्रमाण | х = 0 ते х ≈ 0,4 पर्यंत |
| c. स्थिर रचनेच्या थरात फॉस्फरसचे प्रमाण | х ≈ ०.४ |
| d. वाहक एकाग्रता, сm3 | (०,२−३,०)·१०१७ |
| e. फोटोल्युमिनेसेन्स स्पेक्ट्रमच्या कमाल तरंगलांबी, nm | ६४५−६७३ एनएम |
| f. इलेक्ट्रोल्युमिनेसन्स स्पेक्ट्रमची कमाल तरंगलांबी | ६५०−६७५ एनएम |
| g. स्थिर थर जाडी, मायक्रॉन | कमीत कमी ८ नॅनोमीटर |
| h. थर जाडी (एकूण), मायक्रॉन | किमान ३० एनएम |
| ३ एपिटॅक्सियल लेयर असलेली प्लेट | |
| अ. विक्षेपण, मायक्रॉन | जास्तीत जास्त १०० उम |
| b. जाडी, मायक्रॉन | ३६०−६०० उम |
| c. चौरस सेंटीमीटर | किमान ६ सेमी२ |
| d. विशिष्ट प्रकाशमान तीव्रता (प्रसारानंतरZn), cd/amp | किमान ०.०५ सीडी/एम्प |
