эпитаксиальный арсенид-фосфид галлия

Изображение эпитаксиального соединения арсенида-фосфида галлия

Краткое описание:

Эпитаксиальные структуры арсенида-фосфида галлия, аналогичные структурам, полученным на подложке типа ASP (ET0.032.512TU), для производства планарных красных светодиодных кристаллов.

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Подробная информация о товаре

Метки товаров

Основные технические параметры
к структурам арсенида-фосфида галлия

1. Подложка GaAs
а. Тип проводимости	электронный
б. Удельное сопротивление, Ом·см	0,008
c. Ориентация кристаллической решетки	(100)
d. Неправильная ориентация поверхности	(1−3)°

2. Эпитаксиальный слой GaAs1-х Px
а. Тип проводимости	электронный
b. Содержание фосфора в переходном слое	от x = 0 до x ≈ 0,4
c. Содержание фосфора в слое постоянного состава	х ≈ 0,4
d. Концентрация носителя, см3	(0,2−3,0)·1017
e. Длина волны в максимуме спектра фотолюминесценции, нм	645–673 нм
f. Длина волны в максимуме спектра электролюминесценции	650–675 нм
g. Постоянная толщина слоя, микроны	Не менее 8 нм
h. Толщина слоя (общая), микрон	По меньшей мере 30 нм

3 пластины с эпитаксиальным слоем
а. Отклонение, микрон	Максимум 100 мкм
б. Толщина, микроны	360–600 мкм
с. Квадратный сантиметр	Не менее 6 см2
d. Удельная световая интенсивность (после диффузии Zn), кд/ампер	Не менее 0,05 кд/ампер