эпитаксиальный арсенид-фосфид галлия

Краткое описание:

Эпитаксиальные структуры на основе арсенида-фосфида галлия, аналогичные изготавливаемым структурам типа подложки ASP (ET0.032.512TU), для изготовления планарных кристаллов красных светодиодов.

Напишите нам письмо Загрузить как PDF

Подробности продукта

Теги продукта

Основные технические параметры
к структурам арсенида-фосфида галлия

1, ПодложкаGaAs
а. Тип проводимости	электронный
б) Удельное сопротивление, Ом-см	0,008
c. Ориентация кристаллической решетки	(100)
г. Разориентация поверхности	(1−3)°

2. Эпитаксиальный слой GaAs1-х Pх
а. Тип проводимости	электронный
б) Содержание фосфора в переходном слое	от х = 0 до х ≈ 0,4
в) Содержание фосфора в слое постоянного состава	х ≈ 0,4
г. Концентрация носителей, см3	(0,2−3,0)·1017
е. Длина волны в максимуме спектра фотолюминесценции, нм	645−673 нм
е. Длина волны в максимуме спектра электролюминесценции	650−675 нм
г. Постоянная толщина слоя, мкм	Не менее 8 нм
ч. Толщина слоя (общая), мкм	Не менее30 нм

3 Пластина с эпитаксиальным слоем
а. Прогиб, мкм	Максимум 100 мкм
б) Толщина, мкм	360−600 мкм
c. Квадратный сантиметр	Не менее 6 см2
г. Удельная сила света (после диффузии Zn), кд/ампер	Не менее 0,05 кд/ампер