પ્લેનર રેડ LED સ્ફટિકોના ઉત્પાદન માટે, સબસ્ટ્રેટ ASP પ્રકાર (ET0.032.512TU) ના ઉત્પાદિત માળખાં જેવા જ ગેલિયમ આર્સેનાઇડ-ફોસ્ફાઇડ એપિટેક્સિયલ માળખાં.
મૂળભૂત ટેકનિકલ પરિમાણ
ગેલિયમ આર્સેનાઇડ-ફોસ્ફાઇડ રચનાઓ માટે
| ૧, સબસ્ટ્રેટગાએ | |
| a. વાહકતા પ્રકાર | ઇલેક્ટ્રોનિક |
| b. પ્રતિકારકતા, ઓહ્મ-સેમી | ૦,૦૦૮ |
| c. સ્ફટિક-જાળી દિશાનિર્દેશ | (૧૦૦) |
| d. સપાટીની ખોટી દિશા | (૧−૩)° |
| 2. એપિટેક્સિયલ સ્તર GaAs1-х Pх | |
| a. વાહકતા પ્રકાર | ઇલેક્ટ્રોનિક |
| b. સંક્રમણ સ્તરમાં ફોસ્ફરસનું પ્રમાણ | х = 0 થી х ≈ 0,4 સુધી |
| c. સતત રચનાના સ્તરમાં ફોસ્ફરસનું પ્રમાણ | х ≈ 0.4 |
| d. વાહક સાંદ્રતા, сm3 | (૦,૨−૩,૦)·૧૦૧૭ |
| e. ફોટોલ્યુમિનેસેન્સ સ્પેક્ટ્રમની મહત્તમ તરંગલંબાઇ, nm | ૬૪૫−૬૭૩ એનએમ |
| f. ઇલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસેન્સ સ્પેક્ટ્રમની મહત્તમ તરંગલંબાઇ | ૬૫૦−૬૭૫ એનએમ |
| જી. સતત સ્તર જાડાઈ, માઇક્રોન | ઓછામાં ઓછું 8 એનએમ |
| h. સ્તર જાડાઈ (કુલ), માઇક્રોન | ઓછામાં ઓછા 30 એનએમ |
| ૩ એપિટેક્સિયલ સ્તર સાથે પ્લેટ | |
| a. વિચલન, માઇક્રોન | વધુમાં વધુ 100 અમ |
| b. જાડાઈ, માઇક્રોન | ૩૬૦−૬૦૦ અમ |
| c. ચોરસ સેન્ટીમીટર | ઓછામાં ઓછું 6 સેમી2 |
| d. ચોક્કસ તેજસ્વી તીવ્રતા (પ્રસરણ પછી Zn), cd/amp | ઓછામાં ઓછું 0.05 સીડી/એમ્પ |
