ପ୍ଲାନାର ଲାଲ LED ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ASP ପ୍ରକାର (ET0.032.512TU) ର ଉତ୍ପାଦିତ ଗଠନ ସଦୃଶ ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍-ଫସଫାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଗଠନ।
ମୌଳିକ ବୈଷୟିକ ପାରାମିଟର
ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍-ଫସଫାଇଡ୍ ଗଠନକୁ
| ୧,ସବଷ୍ଟ୍ରେଟଗାଏ | |
| କ. ପରିବାହୀତା ପ୍ରକାର | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ |
| ଖ. ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଓମ-ସେମି | ୦,୦୦୮ |
| ଗ. ସ୍ଫଟିକ-ଜାଲି ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶନ | (୧୦୦) |
| ଘ. ପୃଷ୍ଠ ଭୁଲ ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶନ | (୧−୩)° |
| ୨. ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର GaAs1-х Pх | |
| କ. ପରିବାହୀତା ପ୍ରକାର | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ |
| b. ପରିବର୍ତ୍ତନ ସ୍ତରରେ ଫସଫରସ୍ ପରିମାଣ | х = 0 ରୁ х ≈ 0,4 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ |
| ଗ. ସ୍ଥିର ରଚନାର ଏକ ସ୍ତର ରେ ଫସଫରସ୍ ପରିମାଣ | х ≈ 0,4 |
| ଘ. ବାହକ ସାନ୍ଦ୍ରତା, сm3 | (୦,୨−୩,୦)·୧୦୧୭ |
| e. ଫଟୋଲୁମିନେସେନ୍ସ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମର ସର୍ବାଧିକ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ, nm | ୬୪୫-୬୭୩ ଏନଏମ |
| ଚ. ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲୁମିନେସେନ୍ସ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମର ସର୍ବାଧିକ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ | ୬୫୦-୬୭୫ ଏନଏମ |
| ଛ. ସ୍ଥିର ସ୍ତର ଘନତା, ମାଇକ୍ରୋନ | ଅତି କମରେ 8 nm |
| h. ସ୍ତର ଘନତା (ମୋଟ), ମାଇକ୍ରୋନ | ଅତି କମରେ 30 nm |
| ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ସହିତ 3 ପ୍ଲେଟ୍ | |
| a. ପ୍ରତିଫଳନ, ମାଇକ୍ରୋନ | ସର୍ବାଧିକ 100 ଅମ |
| ଖ. ଘନତା, ମାଇକ୍ରୋନ | ୩୬୦-୬୦୦ ଉମ୍ |
| ଗ. ବର୍ଗସେଣ୍ଟିମିଟର | ଅତି କମରେ 6 ସେମି2 |
| ଘ. ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆଲୋକୀୟ ତୀବ୍ରତା (ପ୍ରସାରଣ ପରେ Zn), cd/amp | ଅତି କମରେ ୦.୦୫ ସିଡି/ଆମ୍ପ |
