Galliumarsenid-Phosphid epitaktesch

Galliumarsenid-Phosphid epitaxial Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxialstrukturen, ähnlech wéi produzéiert Strukturen vum Substrat-ASP-Typ (ET0.032.512TU), fir d'Hierstellung vu planare roude LED-Kristaller.

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxialstrukturen, ähnlech wéi produzéiert Strukturen vum Substrat-ASP-Typ (ET0.032.512TU), fir d'Hierstellung vu planare roude LED-Kristaller.

Basis technesch Parameter
zu Galliumarsenid-Phosphid-Strukturen

1, SubstratGaAs
a. Konduktivitéitstyp	elektronesch
b. Widderstand, ohm-cm	0,008
c. Kristallgitterorientéierung	(100)
d. Fehlorientéierung vun der Uewerfläch	(1−3)°

2. Epitaktesch Schicht GaAs1-х Pх
a. Konduktivitéitstyp	elektronesch
b. Phosphorgehalt an der Iwwergangsschicht	vun х = 0 bis х ≈ 0,4
c. Phosphorgehalt an enger Schicht mat konstanter Zesummesetzung	х ≈ 0,4
d. Trägerkonzentratioun, сm3	(0,2−3,0)·1017
e. Wellelängt um Maximum vum Photolumineszenzspektrum, nm	645−673 nm
f. Wellelängt um Maximum vum Elektrolumineszenzspektrum	650−675 nm
g. Konstant Schichtdicke, Mikron	Op d'mannst 8 nm
h. Schichtdéckt (total), Mikron	Mindestens 30 nm

3 Plack mat epitaktischer Schicht
a. Oflenkung, Mikron	Maximal 100 µm
b. Déckt, Mikron	360−600 µm
c. Quadratzentimeter	Mindestens 6 cm2
d. Spezifesch Liichtstäerkt (no DiffusiounZn), cd/amp	Mindestens 0,05 cd/Ampere