gallium arsenide-phosphide epitaxial

Àwòrán tó ṣe pàtàkì fún gallium arsenide-phosphide

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn ìrísí epitaxial Gallium arsenide-phosphide, tí ó jọ àwọn ìrísí tí a ṣe ti irú ASP tí a fi so mọ́ ara wọn (ET0.032.512TU), fún ṣíṣe àwọn kirisita LED pupa tí ó wà ní ìpele.

Fi imeeli ranṣẹ si wa Ṣe ìgbàsókè gẹ́gẹ́ bíi PDF

Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

Àwọn ìrísí epitaxial Gallium arsenide-phosphide, tí ó jọ àwọn ìrísí tí a ṣe ti irú ASP tí a fi so mọ́ ara wọn (ET0.032.512TU), fún ṣíṣe àwọn kirisita LED pupa tí ó wà ní ìpele.

Ipilẹ imọ-ẹrọ ipilẹ
sí àwọn ètò gallium arsenide-phosphide

1, SubstrateGaAs
a. Irú ìṣiṣẹ́	itanna
b. Ìdènà, ohm-cm	0,008
c. Ìṣàfihàn kirisita-latticeorí	(100)
d. Ìyípadà ojú ilẹ̀	(1−3)°

2. Àwọ̀ Epitaxial GaAs1-х Pх
a. Irú ìṣiṣẹ́	itanna
b. Àkóónú fosiforusi nínú ìpele ìyípadà	láti х = 0 sí х ≈ 0,4
c. Àkóónú fosiforusi nínú ìpele àkójọpọ̀ tí ó dúró ṣinṣin	х ≈ 0,4
d. Ìwọ̀n ohun tí ń gbé ẹrù, сm3	(0,2−3,0)·1017
e. Gígùn ìgbì ní ìwọ̀n ìpele fọ́tò-ìmọ́lẹ̀sísí tó pọ̀ jùlọ, nm	645−673 nm
f. Gígùn ìgbì ní ibi tí ó pọ̀ jùlọ ti ìpele ìtànṣán electroluminescence	650−675 nm
g. Sisanra fẹlẹfẹlẹ ti o duro ṣinṣin, micron	Ó kéré tán 8 nm
h. Sisanra fẹlẹfẹlẹ (apapọ), maikironi	Ó kéré tán 30 nm

Àwo 3 pẹ̀lú ìpele epitaxial
a. Ìyípadà, mákírón	Ó pọ̀jù 100 um
b. Sisanra, makirón	360−600 um
c. Onígun mẹ́rin sẹ́ǹtì	O kere ju 6 cm2
d. Agbára ìmọ́lẹ̀ pàtó (lẹ́yìn ìtànkálẹ̀ Zn), cd/amp	Ó kéré tán 0.05 cd/amp

Ti tẹlẹ: Àwọn ohun èlò ìbòjú SiC MOCVD Wafer, Àwọn ohun èlò ìfàmọ́ra Graphite fún SiC Epitaxy

Itele: Aṣọ ìbora China tó dára jùlọ tí a fi irin Zinc Brass Cutless Bushing Carbon Bush Graphite Bushes Bronze Bushing Bearing

Àwọn Ọjà Tó Jọra

Iwiregbe lori ayelujara WhatsApp!