ថាស​ក្រាហ្វីត MOCVD ស្រោប SiC, ឧបករណ៍​ទទួល​សញ្ញា​ក្រាហ្វីត​សម្រាប់ស៊ីស៊ី អេពីតាក់ស៊ី,
កាបូនផ្គត់ផ្គង់សារធាតុស្រូបយក, ឧបករណ៍​ទទួល​សញ្ញា​អេពីតាក់ស៊ី​ក្រាហ្វីត, ស្រទាប់​ទ្រទ្រង់​ក្រាហ្វីត, សារធាតុ​ទទួល​រង MOCVD, ស៊ីស៊ី អេពីតាក់ស៊ី, ឧបករណ៍​ទទួល​រង​បន្ទះ​ស្តើងៗ,

គុណសម្បត្តិពិសេសនៃប្រដាប់ស្រូបក្រាហ្វីតស្រោបដោយ SiC របស់យើងរួមមាន ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់បំផុត ថ្នាំកូតដែលមានលក្ខណៈដូចគ្នា និងអាយុកាលសេវាកម្មដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។ ពួកវាក៏មានភាពធន់នឹងសារធាតុគីមីខ្ពស់ និងលក្ខណៈសម្បត្តិស្ថេរភាពកម្ដៅផងដែរ។

ថ្នាំកូត SiC នៃស្រទាប់ក្រាហ្វីតសម្រាប់កម្មវិធីស៊ីមីកុងដុកទ័រផលិតផ្នែកដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងភាពធន់នឹងបរិយាកាសអុកស៊ីតកម្ម។
ស៊ីស៊ីស៊ី CVD ឬស៊ីស៊ីស៊ី CVI ត្រូវបានអនុវត្តទៅលើក្រាហ្វីតនៃផ្នែករចនាសាមញ្ញ ឬស្មុគស្មាញ។ ថ្នាំកូតអាចត្រូវបានអនុវត្តក្នុងកម្រាស់ខុសៗគ្នា និងទៅលើផ្នែកធំៗ។

លក្ខណៈពិសេស៖
· ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ
· ធន់នឹងការប៉ះទង្គិចរាងកាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះ
· ធន់នឹងសារធាតុគីមីដ៏ល្អឥតខ្ចោះ
· ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ខ្លាំង
· ភាពអាចរកបានក្នុងរាងស្មុគស្មាញ
· អាចប្រើប្រាស់បានក្រោមបរិយាកាសអុកស៊ីតកម្ម

ការដាក់ពាក្យ៖

លក្ខណៈសម្បត្តិធម្មតានៃសម្ភារៈក្រាហ្វីតមូលដ្ឋាន៖

កាបូនផ្គត់ផ្គង់សារធាតុស្រូបយកនិងសមាសធាតុក្រាហ្វីតសម្រាប់រ៉េអាក់ទ័រ epitaxy បច្ចុប្បន្នទាំងអស់។ ផលប័ត្ររបស់យើងរួមមានឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាធុងសម្រាប់អង្គភាពដែលបានអនុវត្ត និង LPE ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា pancake សម្រាប់អង្គភាព LPE, CSD និង Gemini និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា wafer តែមួយសម្រាប់អង្គភាពដែលបានអនុវត្ត និង ASM។ តាមរយៈការបញ្ចូលគ្នានូវភាពជាដៃគូដ៏រឹងមាំជាមួយក្រុមហ៊ុនផលិតគ្រឿងបន្លាស់ដើម (OEM) ឈានមុខគេ ជំនាញខាងសម្ភារៈ និងចំណេះដឹងផ្នែកផលិតកម្ម SGL ផ្តល់ជូននូវការរចនាដ៏ល្អប្រសើរសម្រាប់កម្មវិធីរបស់អ្នក។