배럴 서셉터MOCVD, MBE, CVD와 같은 반도체 에피택셜 성장 공정의 핵심 부품입니다. 주로 고온 반응 챔버에서 웨이퍼를 운반하고 균일하고 안정적인 열장 환경을 제공하여 에피택셜 층(예: GaN, SiC 등)의 정밀한 증착을 보장합니다. 핵심 기능은 정밀한 열장 제어를 통해 웨이퍼 표면 온도의 높은 균일성을 달성하여 에피택셜 박막의 두께, 도핑 농도 및 결정 구조 균일성을 보장하는 것입니다.
우리는 특허받은 기술을 사용하여배럴 서셉터매우 높은 순도, 양호한 코팅 균일성, 탁월한 사용 수명, 높은 내화학성 및 열 안정성 특성을 갖추고 있습니다.
VET Energy는 화학적 안정성을 강화하기 위해 CVD-SiC 코팅이 된 고순도 흑연을 사용합니다.
1. 고순도 흑연 소재
높은 열전도도: 흑연의 열전도도는 실리콘의 3배로, 열원에서 웨이퍼로 열을 빠르게 전달하여 가열 시간을 단축할 수 있습니다.
기계적 강도: 등압 흑연 밀도 ≥ 1.85 g/cm³, 변형 없이 1200℃ 이상의 고온을 견딜 수 있음.
2. CVD SiC 코팅
화학 기상 증착(CVD)을 이용하여 흑연 표면에 β-SiC 층을 형성하였으며, 순도는 ≥ 99.99995%이고, 코팅 두께 균일 오차는 ±5% 이내이며, 표면 거칠기는 Ra0.5um 이하입니다.
3. 성능 개선:
부식 저항성: Cl2, HCl 등과 같은 높은 부식성 가스를 견딜 수 있으며, NH3 환경에서 GaN 에피택시의 수명을 3배까지 연장할 수 있습니다.
열 안정성: 열팽창 계수(4.5 × 10-6/℃)가 흑연과 일치하여 온도 변화로 인한 코팅 균열을 방지합니다.
경도 및 내마모성: 비커스 경도는 28GPa에 달하며, 이는 흑연보다 10배 더 높고 웨이퍼 긁힘 위험을 줄일 수 있습니다.
| CVD SiC薄膜基本식물리성能 CVD SiC의 기본 물리적 특성코팅 | |
| 성별 / 재산 | 典型数值 / 일반적인 값 |
| 晶体结构 / 결정 구조 | FCC β상多晶，主要为（111) 取向 |
| 크기 / 밀도 | 3.21g/cm³ |
| 정도 / 경도 | 2500 维氏硬도(500g 부하) |
| 晶粒大小 / 입자 크기 | 2~10㎛ |
| 정도 / 화학적 순도 | 99.99995% |
| 발열 / 열용량 | 640 J·kg-1·케이-1 |
| 升华温도 / 승화 온도 | 2700℃ |
| 抗弯强島 / 굽힘 강도 | 415 MPa RT 4점 |
| 杨氏模량 / 영률 | 430 Gpa 4pt 굽힘, 1300℃ |
| 导熭系数 / 테르마엘전도도 | 300W·m-1·케이-1 |
| 热膨胀系数 / 열팽창(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
닝보 VET 에너지 테크놀로지 주식회사는 최첨단 소재의 개발과 생산에 주력하는 첨단 기술 기업입니다. 이 소재와 기술에는 흑연, 탄화규소, 세라믹, SiC 코팅, TaC 코팅, 유리 탄소 코팅, 열분해 탄소 코팅 등의 표면 처리가 포함됩니다. 이 제품들은 태양광, 반도체, 신에너지, 야금 등에서 널리 사용됩니다.
당사의 기술팀은 국내 최고 연구기관 출신으로, 제품 성능과 품질을 보장하기 위해 다수의 특허 기술을 개발하였으며, 고객에게 전문적인 소재 솔루션을 제공할 수 있습니다.
