Hilgirê Rûpoşa SiC ji bo RTP/RTA pêkhateyeke sereke ye ku di pêvajoyên çêkirina nîvconductoran de tê bikaranîn ku jê re Pêvajoya Germahî ya Lezgîn & Annealing tê gotin, em teknolojiya xwe ya patentkirî bikar tînin da ku hilgirê karbîda silîkonê bi paqijiyeke pir bilind, yekrengiya rûpoşa baş û jiyaneke xizmetê ya hêja, û her weha berxwedana kîmyewî ya bilind û taybetmendiyên aramiya germî çêbikin.
Taybetmendiyên berhemên me:
1. Berxwedana oksîdasyonê ya germahiya bilind heta 1700℃.
2. Paqijiya bilind û yekîtiya germî
3. Berxwedana korozyonê ya hêja: asîd, alkalî, xwê û reagentên organîk.
4. Hişkbûna bilind, rûbera kompakt, perçeyên zirav.
5. Jiyana karûbarê dirêjtir û domdartir
| Nexweşiyên dil û damaran SiC薄膜基本物理性能 Taybetmendiyên fîzîkî yên bingehîn ên CVD SiCrû | |
| 性质 / Milk | 典型数值 / Nirxa Tîpîk |
| 晶体结构 / Pêkhateya Krîstal | Qonaxa β ya FCC多晶，主要为（111). |
| 密度 / Tîrbûn | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Hişkbûn | 2500 维氏硬度 (500g bar) |
| 晶粒大小 / Mezinahiya Genim | 2~10μm |
| 纯度 / Paqijiya Kîmyewî | %99.99995 |
| 热容 / Kapasîteya Germê | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Germahiya sublîmasyonê | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Hêza Bertengbûnê | 415 MPa RT 4-xal |
| 杨氏模量 / Modula Young | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalKonduktîvîtî | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Berfirehbûna Germahî (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy hilberînerê rastîn ê grafît û berhemên silîkon karbîdê yên xwerû ye ku bi pêçanên cûda yên wekî pêçana SiC, pêçana TaC, pêçana karbona şûşeyî, pêçana karbona pîrolîtîk, û hwd., dikare parçeyên xwerû yên cûrbecûr ji bo pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîk peyda bike.
Tîma me ya teknîkî ji saziyên lêkolînê yên navxweyî yên jorîn tê, dikare çareseriyên materyalên profesyoneltir ji bo we peyda bike.
Em bi berdewamî pêvajoyên pêşkeftî pêş dixin da ku materyalên pêşkeftîtir peyda bikin, û me teknolojiyek patentkirî ya taybet pêşxistiye, ku dikare girêdana di navbera pêçandin û substratê de zexmtir bike û kêmtir meyla veqetandinê bike.
Bi germî pêşwaziya we dikin ku hûn serdana kargeha me bikin, werin em nîqaşek din bikin!
