SiC-tegaĵa portanto por RTP/RTA estas ŝlosila komponanto uzata en la duonkonduktaĵaj fabrikadprocezoj nomataj Rapida Termika Prilaborado kaj Maldensigado. Ni uzas nian patentitan teknologion por fari la silicikarbidan portanton kun ekstreme alta pureco, bona tegaĵa homogeneco kaj bonega servodaŭro, same kiel alta kemia rezisto kaj termikaj stabilecaj ecoj.
Trajtoj de niaj produktoj:
1. Rezisto al oksidiĝo je alta temperaturo ĝis 1700 ℃.
2. Alta pureco kaj termika homogeneco
3. Bonega korodrezisto: acido, alkalo, salo kaj organikaj reakciiloj.
4. Alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.
5. Pli longa servodaŭro kaj pli daŭra
| KVM SiC薄膜基本物理性能 Bazaj fizikaj ecoj de CVD SiCtegaĵo | |
| 性质 / Nemoveblaĵo | 典型数值 / Tipa Valoro |
| 晶体结构 / Kristala strukturo | FCC β fazo多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Denseco | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Malmoleco | 2500 维氏硬度（500g ŝarĝo） |
| 晶粒大小 / Grengrandeco | 2~10μm |
| 纯度 / Kemia Pureco | 99.99995% |
| 热容 / Varmokapacito | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimada Temperaturo | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Fleksa Forto | 415 MPa RT 4-punkta |
| 杨氏模量 / Modulo de Young | 430 Gpa 4pt kurbo, 1300℃ |
| 导热系数 / TermolKonduktiveco | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Termika Ekspansio (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy estas vera fabrikanto de personecigitaj grafito- kaj siliciokarbido-produktoj kun diversaj tegaĵoj kiel SiC-tegaĵo, TaC-tegaĵo, vitreca karbon-tegaĵo, piroliza karbon-tegaĵo, ktp., kaj povas liveri diversajn personecigitajn partojn por la duonkonduktaĵa kaj fotovoltaika industrio.
Nia teknika teamo venas de ĉefaj hejmaj esplorinstitucioj, povas provizi pli profesiajn materialajn solvojn por vi.
Ni senĉese evoluigas progresintajn procezojn por provizi pli progresintajn materialojn, kaj ellaboris ekskluzivan patentitan teknologion, kiu povas igi la ligadon inter la tegaĵo kaj la substrato pli densa kaj malpli ema al disiĝo.
Varme bonvenigas vin viziti nian fabrikon, ni havu pluan diskuton!
