आरटीपी/आरटीए के लिए एसआईसी कोटिंग कैरियर, रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग और एनीलिंग नामक सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाने वाला एक प्रमुख घटक है। हम अपनी पेटेंट तकनीक का उपयोग करके सिलिकॉन कार्बाइड कैरियर का निर्माण करते हैं जिसमें अत्यधिक उच्च शुद्धता, अच्छी कोटिंग एकरूपता और उत्कृष्ट सेवा जीवन के साथ-साथ उच्च रासायनिक प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता गुण होते हैं।
हमारे उत्पादों की विशेषताएं:
1. 1700℃ तक उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध।
2. उच्च शुद्धता और तापीय एकरूपता
3. उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोधक क्षमता।
4. उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
5. लंबी सेवा अवधि और अधिक टिकाऊ
| सीवीडी SiC薄膜基本物理性能 सीवीडी एसआईसी के बुनियादी भौतिक गुणकलई करना | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मान |
| यह बहुत अच्छा है / क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण多晶,主要为(111）取向 |
| 密度 / घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी³ |
| 硬度 कठोरता | 2500 ग्राम वजन (500 ग्राम लोड) |
| 晶粒大小 / अनाज आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / ताप की गुंजाइश | 640 जूल·किलोग्राम-1·के-1 |
| 升华温度 ऊर्ध्वपातन तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / आनमनी सार्मथ्य | 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 यंग का मापांक | 430 जीपीए 4 प्वाइंट बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थेरमाएलप्रवाहकत्त्व | 300W·m-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / ऊष्मीय विस्तार (सीटीई) | 4.5×10-6K-1 |
वीईटी एनर्जी विभिन्न कोटिंग्स जैसे SiC कोटिंग, TaC कोटिंग, ग्लासी कार्बन कोटिंग, पायरोलिटिक कार्बन कोटिंग आदि के साथ अनुकूलित ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादों की वास्तविक निर्माता है, जो सेमीकंडक्टर और फोटोवोल्टाइक उद्योग के लिए विभिन्न अनुकूलित पुर्जे की आपूर्ति कर सकती है।
हमारी तकनीकी टीम देश के शीर्ष अनुसंधान संस्थानों से आती है और आपके लिए अधिक पेशेवर सामग्री समाधान प्रदान कर सकती है।
हम अधिक उन्नत सामग्री प्रदान करने के लिए लगातार उन्नत प्रक्रियाओं का विकास करते हैं, और हमने एक विशेष पेटेंट तकनीक विकसित की है, जो कोटिंग और सब्सट्रेट के बीच बंधन को अधिक मजबूत और अलग होने की संभावना को कम कर सकती है।
हमारे कारखाने में आने के लिए आपका हार्दिक स्वागत है, आइए आगे चर्चा करें!
