สารเคลือบ SiC สำหรับ RTP/RTA เป็นส่วนประกอบสำคัญที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่เรียกว่าการประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็วและการอบอ่อน เราใช้เทคโนโลยีที่จดสิทธิบัตรของเราในการผลิตสารเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงมาก มีความสม่ำเสมอของการเคลือบที่ดี และอายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม รวมถึงมีคุณสมบัติทนทานต่อสารเคมีและเสถียรภาพทางความร้อนสูงอีกด้วย
คุณสมบัติของสินค้าของเรา:
1. ทนทานต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงถึง 1,700℃
2. ความบริสุทธิ์สูงและความสม่ำเสมอของความร้อน
3. ทนทานต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม: กรด ด่าง เกลือ และสารอินทรีย์
4. ความแข็งสูง พื้นผิวแน่น อนุภาคละเอียด
5. อายุการใช้งานยาวนานขึ้นและทนทานยิ่งขึ้น
| โรคหลอดเลือดหัวใจ SiC薄膜基本物理性能 คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของ CVD SiCการเคลือบ | |
| 性质 / คุณสมบัติ | 典型数值 / ค่าทั่วไป |
| 晶体结构 / โครงสร้างผลึก | เฟส β ของ FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / ความหนาแน่น | 3.21 ก./ซม.³ |
| 硬度 / ความแข็ง | 2,500 กระป๋อง (โหลด 500 กรัม) |
| 晶粒大小 / ขนาดเมล็ดพืช | 2~10ไมโครเมตร |
| 纯度 / ความบริสุทธิ์ทางเคมี | 99.99995% |
| 热容 / ความจุความร้อน | 640 จ·กก.-1·เค-1 |
| 升华温度 / อุณหภูมิการระเหิด | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ความแข็งแรงในการดัดงอ | 415 MPa RT 4 จุด |
| 杨氏模量 / โมดูลัสของยัง | 430 Gpa 4pt โค้ง 1300℃ |
| 导热系数 / เทอร์มาลการนำไฟฟ้า | 300 วัตต์·ม.-1·เค-1 |
| 热膨胀系数 / การขยายตัวเนื่องจากความร้อน (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy เป็นผู้ผลิตผลิตภัณฑ์กราไฟท์และซิลิกอนคาร์ไบด์ที่กำหนดเองโดยมีการเคลือบหลายประเภท เช่น การเคลือบ SiC การเคลือบ TaC การเคลือบคาร์บอนแก้ว การเคลือบคาร์บอนไพโรไลติก ฯลฯ สามารถจัดหาชิ้นส่วนที่กำหนดเองต่างๆ สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และโฟโตวอลตาอิคส์ได้
ทีมเทคนิคของเรามาจากสถาบันวิจัยในประเทศชั้นนำ และสามารถมอบโซลูชันวัสดุระดับมืออาชีพให้กับคุณได้
เราพัฒนากระบวนการขั้นสูงอย่างต่อเนื่องเพื่อให้ได้วัสดุขั้นสูงมากขึ้น และได้พัฒนาเทคโนโลยีที่ได้รับการจดสิทธิบัตรเฉพาะซึ่งสามารถทำให้การยึดติดระหว่างสารเคลือบและพื้นผิวแน่นหนาขึ้นและหลุดออกน้อยลง
ยินดีต้อนรับคุณเข้าเยี่ยมชมโรงงานของเรา มาพูดคุยกันต่อดีกว่า!
