RTP/RTA కోసం SiC కోటింగ్ క్యారియర్ అనేది రాపిడ్ థర్మల్ ప్రాసెసింగ్ & అన్నేలింగ్ అని పిలువబడే సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలలో ఉపయోగించే కీలకమైన భాగం. మేము సిలికాన్ కార్బైడ్ క్యారియర్ను చాలా ఎక్కువ స్వచ్ఛత, మంచి కోటింగ్ ఏకరూపత మరియు అద్భుతమైన సేవా జీవితంతో పాటు అధిక రసాయన నిరోధకత మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వ లక్షణాలతో తయారు చేయడానికి మా పేటెంట్ పొందిన సాంకేతికతను ఉపయోగిస్తాము.
మా ఉత్పత్తుల లక్షణాలు:
1. 1700℃ వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత.
2. అధిక స్వచ్ఛత మరియు ఉష్ణ ఏకరూపత
3. అద్భుతమైన తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారము, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
4. అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.
5. సుదీర్ఘ సేవా జీవితం మరియు మరింత మన్నికైనది
| సివిడి SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలుపూత | |
| 性质 / ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 晶体结构 / క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / సాంద్రత | 3.21 గ్రా/సెం.మీ³ |
| 硬度 / కాఠిన్యం | 2500 维氏硬度 (500g లోడ్) |
| 晶粒大小 / గ్రెయిన్ సైజ్ | 2~10μm |
| 纯度 / రసాయన స్వచ్ఛత | 99.99995% |
| 热容 / ఉష్ణ సామర్థ్యం | 640 జ·కిలోలు-1·కె-1 |
| 升华温度 / సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | 2700℃ ఉష్ణోగ్రత |
| 抗弯强度 / ఫ్లెక్చరల్ స్ట్రెంత్ | 415 MPa RT 4-పాయింట్ |
| 杨氏模量 / యంగ్స్ మాడ్యులస్ | 430 Gpa 4pt వంపు, 1300℃ |
| 导热系数 / థర్మాఎల్.వాహకత | 300W·m-1·కె-1 |
| 热膨胀系数 / థర్మల్ విస్తరణ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET ఎనర్జీ అనేది SiC పూత, TaC పూత, గ్లాసీ కార్బన్ పూత, పైరోలైటిక్ కార్బన్ పూత మొదలైన విభిన్న పూతలతో అనుకూలీకరించిన గ్రాఫైట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉత్పత్తుల యొక్క నిజమైన తయారీదారు, సెమీకండక్టర్ మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమ కోసం వివిధ అనుకూలీకరించిన భాగాలను సరఫరా చేయగలదు.
మా సాంకేతిక బృందం అగ్రశ్రేణి దేశీయ పరిశోధనా సంస్థల నుండి వచ్చింది, మీ కోసం మరింత ప్రొఫెషనల్ మెటీరియల్ పరిష్కారాలను అందించగలదు.
మేము మరింత అధునాతన పదార్థాలను అందించడానికి నిరంతరం అధునాతన ప్రక్రియలను అభివృద్ధి చేస్తాము మరియు పూత మరియు ఉపరితలం మధ్య బంధాన్ని మరింత బిగుతుగా మరియు నిర్లిప్తతకు తక్కువ అవకాశం కల్పించే ప్రత్యేకమైన పేటెంట్ పొందిన సాంకేతికతను అభివృద్ధి చేసాము.
మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించడానికి మిమ్మల్ని హృదయపూర్వకంగా స్వాగతిస్తున్నాము, మరింత చర్చిద్దాం!
