ర్యాపిడ్ థర్మల్ ప్రాసెసింగ్ & అనీలింగ్ అని పిలువబడే సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలలో ఉపయోగించే ఒక కీలకమైన భాగం RTP/RTA కోసం SiC కోటింగ్ క్యారియర్. మేము మా పేటెంట్ పొందిన సాంకేతికతను ఉపయోగించి అత్యంత అధిక స్వచ్ఛత, మంచి కోటింగ్ ఏకరూపత, అద్భుతమైన సేవా జీవితం, అలాగే అధిక రసాయన నిరోధకత మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వ లక్షణాలతో కూడిన సిలికాన్ కార్బైడ్ క్యారియర్ను తయారు చేస్తాము.
మా ఉత్పత్తుల లక్షణాలు:
1. 1700℃ వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత.
2. అధిక స్వచ్ఛత మరియు ఉష్ణ ఏకరూపత
3. అద్భుతమైన తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారం, లవణం మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
4. అధిక గట్టిదనం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.
5. ఎక్కువ సేవా కాలం మరియు మరింత మన్నికైనది
| సివిడి SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలుపూత | |
| 性质 ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 晶体结构 / స్ఫటిక నిర్మాణం | FCC β దశ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / సాంద్రత | 3.21 గ్రా/సెంమీ³ |
| 硬度 / కఠినత్వం | 2500 维氏硬度 (500g లోడ్) |
| 晶粒大小 ధాన్యం పరిమాణం | 2~10μm |
| 纯度 రసాయన స్వచ్ఛత | 99.99995% |
| 热容 / ఉష్ణ సామర్థ్యం | 640 J·kg-1·కె-1 |
| 升华温度 ఉత్పతన ఉష్ణోగ్రత | 2700℃ |
| 抗弯强度 / వంగుదల బలం | 415 MPa RT 4-పాయింట్ |
| 杨氏模量 యంగ్ మాడ్యులస్ | 430 Gpa 4pt బెండ్, 1300℃ |
| 导热系数 / థర్మాlవాహకత | 300W·m-1·కె-1 |
| 热膨胀系数 ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET ఎనర్జీ అనేది SiC కోటింగ్, TaC కోటింగ్, గ్లాసీ కార్బన్ కోటింగ్, పైరోలిటిక్ కార్బన్ కోటింగ్ మొదలైన విభిన్న కోటింగ్లతో కూడిన అనుకూలీకరించిన గ్రాఫైట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉత్పత్తుల యొక్క నిజమైన తయారీదారు, మరియు సెమీకండక్టర్ మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమలకు వివిధ అనుకూలీకరించిన భాగాలను సరఫరా చేయగలదు.
మా సాంకేతిక బృందం దేశంలోని అగ్రశ్రేణి పరిశోధనా సంస్థల నుండి వచ్చింది, మీకు మరింత వృత్తిపరమైన మెటీరియల్ పరిష్కారాలను అందించగలదు.
మేము మరింత అధునాతన పదార్థాలను అందించడానికి అధునాతన ప్రక్రియలను నిరంతరం అభివృద్ధి చేస్తాము మరియు కోటింగ్ మరియు సబ్స్ట్రేట్ మధ్య బంధాన్ని మరింత దృఢంగా, విడిపోవడానికి తక్కువ అవకాశం ఉండేలా చేయగల ఒక ప్రత్యేకమైన పేటెంట్ టెక్నాలజీని రూపొందించాము.
మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించవలసిందిగా మీకు సాదరంగా స్వాగతం, మనం మరింత చర్చించుకుందాం!
