Pembawa Pelapis SiC untuk RTP/RTA merupakan komponen utama yang digunakan dalam proses produksi semikonduktor yang disebut Pemrosesan Termal & Anil Cepat, kami menggunakan teknologi yang telah kami patenkan untuk membuat pembawa silikon karbida dengan kemurnian yang sangat tinggi, keseragaman pelapisan yang baik, dan masa pakai yang sangat baik, serta memiliki ketahanan kimia dan sifat stabilitas termal yang tinggi.
Fitur produk kami:
1. Tahan terhadap oksidasi suhu tinggi hingga 1700℃.
2. Kemurnian tinggi dan keseragaman termal
3. Ketahanan korosi yang sangat baik: asam, alkali, garam dan reagen organik.
4. Kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.
5. Masa pakai lebih lama dan lebih tahan lama
| Penyakit kardiovaskular SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai Khas |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase β FCC多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（beban 500g） |
| 晶粒大小 / Ukuran Butiran | Ukuran 2~10 mikrometer |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99,99995% |
| 热容 / Kapasitas Panas | 640 J kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
| 杨氏模量 / Modulus Young | 430 Gpa 4pt tikungan, 1300℃ |
| 导热系数 / TermaakuDaya konduksi | Daya 300Wm-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy adalah produsen nyata produk grafit dan silikon karbida yang disesuaikan dengan berbagai lapisan seperti lapisan SiC, lapisan TaC, lapisan karbon kaca, lapisan karbon pirolitik, dll., dapat memasok berbagai suku cadang yang disesuaikan untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik.
Tim teknis kami berasal dari lembaga penelitian domestik terkemuka, dapat menyediakan solusi material yang lebih profesional untuk Anda.
Kami terus mengembangkan proses canggih untuk menyediakan material yang lebih canggih, dan telah menemukan teknologi eksklusif yang dipatenkan, yang dapat membuat ikatan antara lapisan dan substrat lebih kuat dan tidak mudah terkelupas.
Sangat menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami, mari berdiskusi lebih lanjut!
