SiC beschichtete Grafit Hallefmounddeelass eng Schlësselkomponent, déi a Prozesser vun der Hallefleederherstellung benotzt gëtt, besonnesch fir epitaktesch SiC-Ausrüstung. Säin strukturellen Design a seng Materialeegeschafte bestëmmen direkt d'Qualitéit an d'Produktiounseffizienz vun epitaktischen Waferen.
Konstruktioun vun der Reaktiounskammer:
Den Hallefmounddeel besteet aus zwéin Deeler, dem ieweschten an dem ënneschten Deel, déi zesummegeknallt sinn, fir eng zougemaach Wuesskammer ze bilden, déi de Siliziumcarbid-Substrat (normalerweis 4H-SiC oder 6H-SiC) ophëlt a wouduerch d'Wuesstum vun der epitaktischer Schicht präzis kontrolléiert gëtt (wéi z.B. eng Mëschung aus SiH₄, C₃H₈ an H₂).
Temperaturfeldreguléierung:
Déi héichrein Graphitbasis a Kombinatioun mat der Induktiounsheizungsspule kann d'Uniformitéit vun der Kammertemperatur (bannent ±5 °C) bei enger héijer Temperatur vun 1500-1700 °C erhalen, fir d'Konsistenz vun der epitaktischer Schichtdicke ze garantéieren.
Loftstroum-Orientéierung:
Duerch d'Gestaltung vun der Positioun vum Loftan- an -auslaf (wéi den Säitenloftan- an den ieweschten Loftauslaf vum horizontalen Uewenkierper) gëtt de laminare Stroum vum Reaktiounsgas duerch d'Substratoberfläche geleet, fir Wuestumsdefekter ze reduzéieren, déi duerch Turbulenzen verursaacht ginn.
Basismaterial: héichreine Graphit
Ufuerderunge fir d'Reinheet:Kuelestoffgehalt ≥99,99%, Äschegehalt ≤5ppm, fir sécherzestellen, datt keng Ongereinheeten ausfällen, déi d'epitaxial Schicht bei héijen Temperaturen kontaminéieren.
Leeschtungsvirdeeler:
Héich thermesch Konduktivitéit:D'Wärmeleitfäegkeet bei Raumtemperatur erreecht 150 W/(m・K), wat no beim Niveau vu Koffer ass a kann d'Hëtzt séier ofginn.
Niddreg Expansiounskoeffizient:5×10-6/℃ (25-1000℃), passend zum Siliziumcarbid-Substrat (4,2×10-6/℃), wat d'Rëssbildung vun der Beschichtung reduzéiert, déi duerch thermesch Belaaschtung verursaacht gëtt.
Veraarbechtungsgenauegkeet:Eng Dimensiounstoleranz vun ±0,05 mm gëtt duerch CNC-Bearbeitung erreecht, fir d'Dichtung vun der Kammer ze garantéieren.
Differenzéiert Uwendungen vu CVD SiC a CVD TaC
| Beschichtung | Prozess | Vergläich | Typesch Uwendung |
| CVD-SiC | Temperatur: 1000-1200 ℃ Drock: 10-100 Torr | Härte HV2500, Déckt 50-100µm, exzellent Oxidatiounsbeständegkeet (stabil ënner 1600℃) | Universell epitaktesch Uewen, gëeegent fir konventionell Atmosphären wéi Waasserstoff a Silan |
| CVD-TaC | Temperatur: 1600-1800℃ Drock: 1-10 Torr | Härte HV3000, Déckt 20-50µm, extrem korrosiounsbeständeg (kann korrosiv Gaser wéi HCl, NH₃, etc. widderstoen) | Héich korrosiv Ëmfeld (wéi GaN Epitaxie an Ätzgeräter), oder speziell Prozesser, déi ultrahéich Temperaturen vun 2600 °C erfuerderen |
VET Energy ass e professionnelle Produzent, dee sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung a Produktioun vun héichwäertege Materialien wéi Graphit, Siliziumcarbid a Quarz konzentréiert, souwéi op d'Materialveraarbechtung wéi SiC-Beschichtungen, TaC-Beschichtungen, glasartiger Kuelestoffbeschichtungen, pyrolytescher Kuelestoffbeschichtungen, etc. D'Produkter gi wäit verbreet an der Photovoltaik, am Hallefleederberäich, an der neier Energie, an der Metallurgie, etc. benotzt.
Eis technesch Equipe kënnt vun den Top-Fuerschungsinstituter aus dem Inland a kann Iech méi professionell Materialléisungen ubidden.
D'Virdeeler vun der VET Energy enthalen:
• Eege Fabréck a professionellt Laboratoire;
• Industrieféierend Rengheetsniveauen a Qualitéit;
• Kompetitive Präis & séier Liwwerzäit;
• Vill Partnerschafte mat der Industrie weltwäit;
Mir invitéieren Iech zu all Moment eis Fabréck a Laboratoire ze besichen!
