1. Semikonduktor generasi ketiga
Teknologi semikonduktor generasi pertama dibangunkan berdasarkan bahan semikonduktor seperti Si dan Ge. Ia merupakan asas bahan untuk pembangunan transistor dan teknologi litar bersepadu. Bahan semikonduktor generasi pertama meletakkan asas untuk industri elektronik pada abad ke-20 dan merupakan bahan asas untuk teknologi litar bersepadu.
Bahan semikonduktor generasi kedua terutamanya merangkumi galium arsenida, indium fosfida, galium fosfida, indium arsenida, aluminium arsenida dan sebatian ternarinya. Bahan semikonduktor generasi kedua merupakan asas industri maklumat optoelektronik. Atas dasar ini, industri berkaitan seperti pencahayaan, paparan, laser dan fotovoltaik telah dibangunkan. Ia digunakan secara meluas dalam industri teknologi maklumat kontemporari dan paparan optoelektronik.
Bahan perwakilan bahan semikonduktor generasi ketiga termasuk galium nitrida dan silikon karbida. Disebabkan oleh jurang jalur yang luas, halaju hanyutan tepu elektron yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, dan kekuatan medan pecahan yang tinggi, ia merupakan bahan yang ideal untuk menyediakan peranti elektronik berketumpatan kuasa tinggi, frekuensi tinggi, dan kehilangan rendah. Antaranya, peranti kuasa silikon karbida mempunyai kelebihan ketumpatan tenaga yang tinggi, penggunaan tenaga yang rendah, dan saiz yang kecil, dan mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam kenderaan tenaga baharu, fotovoltaik, pengangkutan kereta api, data raya, dan bidang lain. Peranti RF galium nitrida mempunyai kelebihan frekuensi tinggi, kuasa tinggi, lebar jalur yang luas, penggunaan kuasa yang rendah dan saiz yang kecil, dan mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam komunikasi 5G, Internet of Things, radar ketenteraan dan bidang lain. Di samping itu, peranti kuasa berasaskan galium nitrida telah digunakan secara meluas dalam bidang voltan rendah. Di samping itu, dalam beberapa tahun kebelakangan ini, bahan galium oksida yang baru muncul dijangka membentuk pelengkap teknikal dengan teknologi SiC dan GaN sedia ada, dan mempunyai prospek aplikasi yang berpotensi dalam medan frekuensi rendah dan voltan tinggi.
Berbanding dengan bahan semikonduktor generasi kedua, bahan semikonduktor generasi ketiga mempunyai lebar celah jalur yang lebih lebar (lebar celah jalur Si, bahan tipikal bahan semikonduktor generasi pertama, adalah kira-kira 1.1eV, lebar celah jalur GaAs, bahan tipikal bahan semikonduktor generasi kedua, adalah kira-kira 1.42eV, dan lebar celah jalur GaN, bahan tipikal bahan semikonduktor generasi ketiga, adalah melebihi 2.3eV), rintangan sinaran yang lebih kuat, rintangan yang lebih kuat terhadap kerosakan medan elektrik, dan rintangan suhu yang lebih tinggi. Bahan semikonduktor generasi ketiga dengan lebar celah jalur yang lebih lebar amat sesuai untuk penghasilan peranti elektronik tahan sinaran, frekuensi tinggi, berkuasa tinggi dan berketumpatan integrasi tinggi. Aplikasinya dalam peranti frekuensi radio gelombang mikro, LED, laser, peranti kuasa dan bidang lain telah menarik banyak perhatian, dan ia telah menunjukkan prospek pembangunan yang luas dalam komunikasi mudah alih, grid pintar, transit kereta api, kenderaan tenaga baharu, elektronik pengguna, dan peranti cahaya ultraungu dan biru-hijau [1].
Sumber imej: CASA, Institut Penyelidikan Sekuriti Zheshang
Rajah 1 Skala masa dan ramalan peranti kuasa GaN
Struktur dan ciri-ciri bahan GaN II
GaN ialah semikonduktor celah jalur langsung. Lebar celah jalur struktur wurtzit pada suhu bilik ialah kira-kira 3.26eV. Bahan GaN mempunyai tiga struktur kristal utama, iaitu struktur wurtzit, struktur sfalerit dan struktur garam batu. Antaranya, struktur wurtzit ialah struktur kristal yang paling stabil. Rajah 2 ialah gambarajah struktur wurtzit heksagon GaN. Struktur wurtzit bahan GaN tergolong dalam struktur heksagon padat rapat. Setiap sel unit mempunyai 12 atom, termasuk 6 atom N dan 6 atom Ga. Setiap atom Ga (N) membentuk ikatan dengan 4 atom N (Ga) terdekat dan disusun dalam susunan ABABAB… sepanjang arah [0001] [2].
Rajah 2 Gambarajah sel kristal GaN struktur Wurtzit
III Substrat yang biasa digunakan untuk epitaksi GaN
Nampaknya epitaksi homogen pada substrat GaN adalah pilihan terbaik untuk epitaksi GaN. Walau bagaimanapun, disebabkan oleh tenaga ikatan GaN yang besar, apabila suhu mencapai takat lebur 2500℃, tekanan penguraian yang sepadan adalah kira-kira 4.5GPa. Apabila tekanan penguraian lebih rendah daripada tekanan ini, GaN tidak cair tetapi terurai secara langsung. Ini menjadikan teknologi penyediaan substrat matang seperti kaedah Czochralski tidak sesuai untuk penyediaan substrat kristal tunggal GaN, menjadikan substrat GaN sukar dihasilkan secara besar-besaran dan mahal. Oleh itu, substrat yang biasa digunakan dalam pertumbuhan epitaksi GaN terutamanya Si, SiC, nilam, dan sebagainya [3].
Carta 3 GaN dan parameter bahan substrat yang biasa digunakan
Epitaksi GaN pada nilam
Nilam mempunyai sifat kimia yang stabil, murah, dan mempunyai kematangan yang tinggi dalam industri pengeluaran berskala besar. Oleh itu, ia telah menjadi salah satu bahan substrat terawal dan paling banyak digunakan dalam kejuruteraan peranti semikonduktor. Sebagai salah satu substrat yang biasa digunakan untuk epitaksi GaN, masalah utama yang perlu diselesaikan untuk substrat nilam adalah:
✔ Disebabkan oleh ketidakpadanan kekisi yang besar antara nilam (Al2O3) dan GaN (kira-kira 15%), ketumpatan kecacatan pada antara muka antara lapisan epitaksi dan substrat adalah sangat tinggi. Untuk mengurangkan kesan buruknya, substrat mesti menjalani prarawatan yang kompleks sebelum proses epitaksi bermula. Sebelum menumbuhkan epitaksi GaN pada substrat nilam, permukaan substrat mesti dibersihkan dengan ketat terlebih dahulu untuk membuang bahan cemar, kerosakan penggilapan sisa, dsb., dan untuk menghasilkan anak tangga dan struktur permukaan anak tangga. Kemudian, permukaan substrat dinitridasi untuk mengubah sifat pembasahan lapisan epitaksi. Akhir sekali, lapisan penimbal AlN nipis (biasanya setebal 10-100nm) perlu dimendapkan pada permukaan substrat dan disepuh pada suhu rendah untuk menyediakan pertumbuhan epitaksi terakhir. Walaupun begitu, ketumpatan kehelan dalam filem epitaksial GaN yang ditumbuhkan pada substrat nilam masih lebih tinggi daripada filem homoepitaksial (kira-kira 1010cm-2, berbanding dengan ketumpatan kehelan sifar pada asasnya dalam filem homoepitaksial silikon atau filem homoepitaksial galium arsenida, atau antara 102 dan 104cm-2). Ketumpatan kecacatan yang lebih tinggi mengurangkan mobiliti pembawa, sekali gus memendekkan jangka hayat pembawa minoriti dan mengurangkan kekonduksian terma, yang semuanya akan mengurangkan prestasi peranti [4];
✔ Pekali pengembangan haba nilam adalah lebih besar daripada GaN, jadi tegasan mampatan biaxial akan dijana dalam lapisan epitaksial semasa proses penyejukan dari suhu pemendapan ke suhu bilik. Untuk filem epitaksial yang lebih tebal, tegasan ini boleh menyebabkan keretakan pada filem atau substrat;
✔ Berbanding dengan substrat lain, kekonduksian terma substrat nilam adalah lebih rendah (kira-kira 0.25W*cm-1*K-1 pada 100℃), dan prestasi pelesapan haba adalah lemah;
✔ Disebabkan kekonduksiannya yang lemah, substrat nilam tidak kondusif untuk penyepaduan dan aplikasinya dengan peranti semikonduktor lain.
Walaupun ketumpatan kecacatan lapisan epitaksi GaN yang ditumbuhkan pada substrat nilam adalah tinggi, ia nampaknya tidak mengurangkan prestasi optoelektronik LED biru-hijau berasaskan GaN dengan ketara, jadi substrat nilam masih merupakan substrat yang biasa digunakan untuk LED berasaskan GaN.
Dengan perkembangan lebih banyak aplikasi baharu peranti GaN seperti laser atau peranti kuasa berketumpatan tinggi yang lain, kecacatan yang wujud pada substrat nilam semakin menjadi batasan pada aplikasinya. Di samping itu, dengan perkembangan teknologi pertumbuhan substrat SiC, pengurangan kos dan kematangan teknologi epitaksi GaN pada substrat Si, lebih banyak kajian mengenai pertumbuhan lapisan epitaksi GaN pada substrat nilam secara beransur-ansur menunjukkan trend penyejukan.
Epitaksi GaN pada SiC
Berbanding dengan nilam, substrat SiC (kristal 4H dan 6H) mempunyai ketidakpadanan kekisi yang lebih kecil dengan lapisan epitaksi GaN (3.1%, bersamaan dengan filem epitaksi berorientasikan [0001], kekonduksian terma yang lebih tinggi (kira-kira 3.8W*cm-1*K-1), dan sebagainya. Di samping itu, kekonduksian substrat SiC juga membolehkan sentuhan elektrik dibuat di bahagian belakang substrat, yang membantu memudahkan struktur peranti. Kewujudan kelebihan ini telah menarik lebih ramai penyelidik untuk mengusahakan epitaksi GaN pada substrat silikon karbida.
Walau bagaimanapun, bekerja secara langsung pada substrat SiC untuk mengelakkan pertumbuhan lapisan epi GaN juga menghadapi beberapa kelemahan, termasuk yang berikut:
✔ Kekasaran permukaan substrat SiC jauh lebih tinggi daripada substrat nilam (kekasaran nilam RMS 0.1nm, kekasaran SiC RMS 1nm), substrat SiC mempunyai kekerasan yang tinggi dan prestasi pemprosesan yang lemah, dan kekasaran serta kerosakan penggilapan sisa ini juga merupakan salah satu sumber kecacatan pada lapisan epi GaN.
✔ Ketumpatan kehelan skru substrat SiC adalah tinggi (ketumpatan kehelan 103-104cm-2), kehelan skru boleh merambat ke lapisan epilater GaN dan mengurangkan prestasi peranti;
✔ Susunan atom pada permukaan substrat mendorong pembentukan sesar susun (BSF) dalam lapisan epilayer GaN. Bagi GaN epitaksi pada substrat SiC, terdapat pelbagai kemungkinan susunan atom pada substrat, mengakibatkan susunan susunan atom awal yang tidak konsisten bagi lapisan GaN epitaksi di atasnya, yang terdedah kepada sesar susun. Sesar susun (SF) memperkenalkan medan elektrik terbina dalam di sepanjang paksi-c, yang membawa kepada masalah seperti kebocoran peranti pemisahan pembawa dalam satah;
✔ Pekali pengembangan haba substrat SiC adalah lebih kecil daripada AlN dan GaN, yang menyebabkan pengumpulan tegasan haba antara lapisan epitaksial dan substrat semasa proses penyejukan. Waltereit dan Brand meramalkan berdasarkan hasil kajian mereka bahawa masalah ini boleh dikurangkan atau diselesaikan dengan menumbuhkan lapisan epitaksial GaN pada lapisan nukleasi AlN yang nipis dan tegang secara koheren;
✔ Masalah kebolehbasahan atom Ga yang lemah. Apabila lapisan epitaksi GaN ditumbuhkan terus pada permukaan SiC, disebabkan oleh kebolehbasahan yang lemah antara kedua-dua atom, GaN terdedah kepada pertumbuhan pulau 3D pada permukaan substrat. Memperkenalkan lapisan penimbal adalah penyelesaian yang paling biasa digunakan untuk meningkatkan kualiti bahan epitaksi dalam epitaksi GaN. Memperkenalkan lapisan penimbal AlN atau AlxGa1-xN boleh meningkatkan kebolehbasahan permukaan SiC dengan berkesan dan menjadikan lapisan epitaksi GaN tumbuh dalam dua dimensi. Di samping itu, ia juga boleh mengawal tekanan dan mencegah kecacatan substrat daripada meluas ke epitaksi GaN;
✔ Teknologi penyediaan substrat SiC masih belum matang, kos substrat tinggi, dan terdapat sedikit pembekal serta bekalan yang terhad.
Kajian Torres et al. menunjukkan bahawa pengukiran substrat SiC dengan H2 pada suhu tinggi (1600°C) sebelum epitaksi dapat menghasilkan struktur langkah yang lebih teratur pada permukaan substrat, sehingga memperoleh filem epitaksi AlN yang lebih berkualiti daripada ketika ia ditumbuhkan secara langsung pada permukaan substrat asal. Kajian Xie dan pasukannya juga menunjukkan bahawa prarawatan pengukiran substrat silikon karbida dapat meningkatkan morfologi permukaan dan kualiti kristal lapisan epitaksi GaN dengan ketara. Smith et al. mendapati bahawa kehelan penguliran yang berasal dari antara muka substrat/lapisan penimbal dan lapisan penimbal/lapisan epitaksi berkaitan dengan kerataan substrat [5].
Rajah 4 Morfologi TEM sampel lapisan epitaksial GaN yang ditumbuhkan pada substrat 6H-SiC (0001) di bawah keadaan rawatan permukaan yang berbeza (a) pembersihan kimia; (b) pembersihan kimia + rawatan plasma hidrogen; (c) pembersihan kimia + rawatan plasma hidrogen + rawatan haba hidrogen 1300℃ selama 30 minit
Epitaksi GaN pada Si
Berbanding dengan silikon karbida, nilam dan substrat lain, proses penyediaan substrat silikon telah matang, dan ia boleh menyediakan substrat bersaiz besar yang matang dengan prestasi kos yang tinggi secara stabil. Pada masa yang sama, kekonduksian terma dan kekonduksian elektrik adalah baik, dan proses peranti elektronik Si juga matang. Kemungkinan untuk mengintegrasikan peranti optoelektronik GaN dengan peranti elektronik Si dengan sempurna pada masa hadapan juga menjadikan pertumbuhan epitaksi GaN pada silikon sangat menarik.
Walau bagaimanapun, disebabkan oleh perbezaan besar dalam pemalar kekisi antara substrat Si dan bahan GaN, epitaksi heterogen GaN pada substrat Si adalah epitaksi ketidakpadanan besar yang tipikal, dan ia juga perlu menghadapi beberapa masalah:
✔ Masalah tenaga antara muka permukaan. Apabila GaN tumbuh pada substrat Si, permukaan substrat Si akan dinitridakan terlebih dahulu untuk membentuk lapisan silikon nitrida amorfus yang tidak kondusif untuk nukleasi dan pertumbuhan GaN berketumpatan tinggi. Di samping itu, permukaan Si akan bersentuhan dengan Ga terlebih dahulu, yang akan menghakis permukaan substrat Si. Pada suhu tinggi, penguraian permukaan Si akan meresap ke dalam lapisan epitaksi GaN untuk membentuk bintik silikon hitam.
✔ Ketidakpadanan pemalar kekisi antara GaN dan Si adalah besar (~17%), yang akan menyebabkan pembentukan kehelan penguliran berketumpatan tinggi dan mengurangkan kualiti lapisan epitaksi dengan ketara;
✔ Berbanding dengan Si, GaN mempunyai pekali pengembangan haba yang lebih besar (pekali pengembangan haba GaN adalah kira-kira 5.6×10-6K-1, pekali pengembangan haba Si adalah kira-kira 2.6×10-6K-1), dan retakan mungkin terhasil dalam lapisan epitaksi GaN semasa penyejukan suhu epitaksi kepada suhu bilik;
✔ Si bertindak balas dengan NH3 pada suhu tinggi untuk membentuk SiNx polikristalin. AlN tidak boleh membentuk nukleus berorientasikan keutamaan pada SiNx polikristalin, yang membawa kepada orientasi tidak teratur lapisan GaN yang kemudiannya tumbuh dan bilangan kecacatan yang tinggi, mengakibatkan kualiti kristal lapisan epitaksi GaN yang rendah, dan juga kesukaran dalam membentuk lapisan epitaksi GaN kristal tunggal [6].
Untuk menyelesaikan masalah ketidakpadanan kekisi yang besar, para penyelidik telah cuba memperkenalkan bahan seperti AlAs, GaAs, AlN, GaN, ZnO, dan SiC sebagai lapisan penimbal pada substrat Si. Untuk mengelakkan pembentukan SiNx polikristalin dan mengurangkan kesan buruknya terhadap kualiti kristal bahan GaN/AlN/Si (111), TMAl biasanya diperlukan untuk tempoh masa tertentu sebelum pertumbuhan epitaksi lapisan penimbal AlN untuk mengelakkan NH3 daripada bertindak balas dengan permukaan Si yang terdedah untuk membentuk SiNx. Di samping itu, teknologi epitaksi seperti teknologi substrat bercorak boleh digunakan untuk meningkatkan kualiti lapisan epitaksi. Pembangunan teknologi ini membantu menghalang pembentukan SiNx pada antara muka epitaksi, menggalakkan pertumbuhan dua dimensi lapisan epitaksi GaN, dan meningkatkan kualiti pertumbuhan lapisan epitaksi. Di samping itu, lapisan penimbal AlN diperkenalkan untuk mengimbangi tegasan tegangan yang disebabkan oleh perbezaan pekali pengembangan haba untuk mengelakkan retakan pada lapisan epitaksi GaN pada substrat silikon. Kajian Krost menunjukkan terdapat korelasi positif antara ketebalan lapisan penimbal AlN dan pengurangan ketegangan. Apabila ketebalan lapisan penimbal mencapai 12nm, lapisan epitaksial yang lebih tebal daripada 6μm boleh ditumbuhkan pada substrat silikon melalui skema pertumbuhan yang sesuai tanpa keretakan lapisan epitaksial.
Selepas usaha jangka panjang oleh para penyelidik, kualiti lapisan epitaksi GaN yang ditumbuhkan pada substrat silikon telah bertambah baik dengan ketara, dan peranti seperti transistor kesan medan, pengesan ultraungu penghalang Schottky, LED biru-hijau dan laser ultraungu telah mencapai kemajuan yang ketara.
Secara ringkasnya, memandangkan substrat epitaksi GaN yang biasa digunakan semuanya adalah epitaksi heterogen, semuanya menghadapi masalah biasa seperti ketidakpadanan kekisi dan perbezaan besar dalam pekali pengembangan haba pada tahap yang berbeza-beza. Substrat epitaksi GaN homogen terhad oleh kematangan teknologi, dan substrat tersebut masih belum dihasilkan secara besar-besaran. Kos pengeluarannya tinggi, saiz substratnya kecil, dan kualiti substratnya tidak ideal. Pembangunan substrat epitaksi GaN baharu dan peningkatan kualiti epitaksi masih merupakan salah satu faktor penting yang menyekat pembangunan selanjutnya industri epitaksi GaN.
IV. Kaedah biasa untuk epitaksi GaN
MOCVD (pemendapan wap kimia)
Nampaknya epitaksi homogen pada substrat GaN adalah pilihan terbaik untuk epitaksi GaN. Walau bagaimanapun, memandangkan prekursor pemendapan wap kimia ialah trimetilgalium dan ammonia, dan gas pembawa ialah hidrogen, suhu pertumbuhan MOCVD yang biasa adalah kira-kira 1000-1100℃, dan kadar pertumbuhan MOCVD adalah kira-kira beberapa mikron sejam. Ia boleh menghasilkan antara muka yang curam pada peringkat atom, yang sangat sesuai untuk pertumbuhan heterojunction, telaga kuantum, superlattices dan struktur lain. Kadar pertumbuhannya yang cepat, keseragaman yang baik, dan kesesuaian untuk pertumbuhan kawasan besar dan berbilang keping sering digunakan dalam pengeluaran perindustrian.
MBE (epitaksi pancaran molekul)
Dalam epitaksi pancaran molekul, Ga menggunakan sumber unsur, dan nitrogen aktif diperoleh daripada nitrogen melalui plasma RF. Berbanding dengan kaedah MOCVD, suhu pertumbuhan MBE adalah kira-kira 350-400℃ lebih rendah. Suhu pertumbuhan yang lebih rendah dapat mengelakkan pencemaran tertentu yang mungkin disebabkan oleh persekitaran suhu tinggi. Sistem MBE beroperasi di bawah vakum ultra tinggi, yang membolehkannya mengintegrasikan lebih banyak kaedah pengesanan in-situ. Pada masa yang sama, kadar pertumbuhan dan kapasiti pengeluarannya tidak dapat dibandingkan dengan MOCVD, dan ia lebih banyak digunakan dalam penyelidikan saintifik [7].
Rajah 5 (a) Skema Eiko-MBE (b) Skema ruang tindak balas utama MBE
Kaedah HVPE (epitaksi fasa wap hidrida)
Prekursor kaedah epitaksi fasa wap hidrida ialah GaCl3 dan NH3. Detchprohm et al. menggunakan kaedah ini untuk menumbuhkan lapisan epitaksi GaN setebal ratusan mikron pada permukaan substrat nilam. Dalam eksperimen mereka, lapisan ZnO ditumbuhkan di antara substrat nilam dan lapisan epitaksi sebagai lapisan penimbal, dan lapisan epitaksi dikupas dari permukaan substrat. Berbanding dengan MOCVD dan MBE, ciri utama kaedah HVPE ialah kadar pertumbuhannya yang tinggi, yang sesuai untuk penghasilan lapisan tebal dan bahan pukal. Walau bagaimanapun, apabila ketebalan lapisan epitaksi melebihi 20μm, lapisan epitaksi yang dihasilkan oleh kaedah ini terdedah kepada retakan.
Akira USUI memperkenalkan teknologi substrat bercorak berdasarkan kaedah ini. Mereka mula-mula menumbuhkan lapisan epitaksi GaN nipis setebal 1-1.5μm pada substrat nilam menggunakan kaedah MOCVD. Lapisan epitaksi terdiri daripada lapisan penimbal GaN setebal 20nm yang ditumbuhkan di bawah keadaan suhu rendah dan lapisan GaN yang ditumbuhkan di bawah keadaan suhu tinggi. Kemudian, pada suhu 430℃, lapisan SiO2 disalut pada permukaan lapisan epitaksi, dan jalur tingkap dibuat pada filem SiO2 melalui fotolitografi. Jarak jalur ialah 7μm dan lebar topeng adalah dari 1μm hingga 4μm. Selepas penambahbaikan ini, mereka memperoleh lapisan epitaksi GaN pada substrat nilam berdiameter 2 inci yang bebas retak dan selicin cermin walaupun ketebalannya meningkat kepada puluhan atau ratusan mikron. Ketumpatan kecacatan dikurangkan daripada 109-1010cm-2 kaedah HVPE tradisional kepada kira-kira 6×107cm-2. Mereka juga menunjukkan dalam eksperimen bahawa apabila kadar pertumbuhan melebihi 75μm/j, permukaan sampel akan menjadi kasar[8].
Rajah 6 Skematik Substrat Grafik
V. Ringkasan dan Tinjauan
Bahan GaN mula muncul pada tahun 2014 apabila LED cahaya biru memenangi Hadiah Nobel dalam Fizik pada tahun itu, dan memasuki bidang aplikasi pengecasan pantas awam dalam bidang elektronik pengguna. Malah, aplikasi dalam penguat kuasa dan peranti RF yang digunakan di stesen pangkalan 5G yang kebanyakan orang tidak dapat lihat juga telah muncul secara senyap. Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, kejayaan peranti kuasa gred automotif berasaskan GaN dijangka membuka titik pertumbuhan baharu untuk pasaran aplikasi bahan GaN.
Permintaan pasaran yang besar pasti akan menggalakkan pembangunan industri dan teknologi berkaitan GaN. Dengan kematangan dan peningkatan rantaian perindustrian berkaitan GaN, masalah yang dihadapi oleh teknologi epitaksi GaN semasa akhirnya akan diperbaiki atau diatasi. Pada masa hadapan, orang ramai pasti akan membangunkan lebih banyak teknologi epitaksi baharu dan pilihan substrat yang lebih cemerlang. Menjelang masa itu, orang ramai akan dapat memilih teknologi penyelidikan luaran dan substrat yang paling sesuai untuk senario aplikasi yang berbeza mengikut ciri-ciri senario aplikasi, dan menghasilkan produk tersuai yang paling kompetitif.
Masa siaran: 28 Jun 2024