Susceptor s povlakem z karbidu křemíku jea klíčsoučástka používaná v různých procesech výroby polovodičů.Používáme naši patentovanou technologii k výrobě susceptoru s povlakem z karbidu křemíku sextrémně vysoká čistota,dobrýpovlakjednotnosta vynikající životnost, stejně jakovysoká chemická odolnost a tepelná stabilita.
Energie odborného vzdělávání a přípravy je tenskutečný výrobce zakázkových grafitových a karbidových produktů s CVD povlakem,může dodatrůznézakázkové díly pro polovodičový a fotovoltaický průmysl. ONáš technický tým pochází z předních domácích výzkumných institucí a může poskytnout profesionálnější materiálová řešení.pro tebe.
Neustále vyvíjíme pokročilé procesy, abychom mohli poskytovat ještě pokročilejší materiály,avyvinuli exkluzivní patentovanou technologii, která dokáže zpevnit spojení mezi nátěrem a podkladem a snížit jeho náchylnost k odlupování.
Fvlastnosti našich produktů:
1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách až do 1700 °C℃.
2. Vysoká čistota atepelná rovnoměrnost
3. Vynikající odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
4. Vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.
5. Delší životnost a větší odolnost
| Kardiovaskulární onemocnění (CVD) SiC薄膜基本物理性能 Základní fyzikální vlastnosti CVD SiCpovlak | |
| 性质 / Nemovitost | 典型数值 / Typická hodnota |
| 晶体结构 / Krystalová struktura | Fáze β FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Hustota | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdost | 2500 维氏硬度（500g náplň） |
| 晶粒大小 / VELIKOST ZRNA | 2~10μm |
| 纯度 / Chemická čistota | 99,99995 % |
| 热容 / Tepelná kapacita | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Teplota sublimace | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Pevnost v ohybu | 415 MPa RT 4bodový |
| 杨氏模量 Youngův modul pružnosti | 430 Gpa, ohyb 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalVodivost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Tepelná roztažnost (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdečně vás vítáme k návštěvě naší továrny, pojďme si dále promluvit!
