Susceptor, prevlečen s silicijevim karbidom, jea ključkomponenta, ki se uporablja v različnih procesih izdelave polprevodnikov.Za izdelavo susceptorja s prevleko iz silicijevega karbida uporabljamo našo patentirano tehnologijoizjemno visoka čistost,dobropremazenotnostin odlično življenjsko dobo, kot tudivisoka kemična odpornost in toplotna stabilnost.
Energija poklicnega izobraževanja in usposabljanja je tapravi proizvajalec izdelkov iz grafita in silicijevega karbida po meri s CVD prevleko,lahko dobavirazličnePrilagojeni deli za polprevodniško in fotovoltaično industrijo. ONaša tehnična ekipa prihaja iz vrhunskih domačih raziskovalnih ustanov in lahko zagotovi bolj profesionalne materialne rešitve.zate.
Nenehno razvijamo napredne procese za zagotavljanje naprednejših materialov,inRazvili so ekskluzivno patentirano tehnologijo, ki omogoča tesnejšo vez med premazom in podlago ter manjšo nagnjenost k odstopanju.
FZnačilnosti naših izdelkov:
1. Odpornost na oksidacijo pri visokih temperaturah do 1700℃.
2. Visoka čistost intoplotna enakomernost
3. Odlična odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, soli in organski reagenti.
4. Visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
5. Daljša življenjska doba in bolj trpežna
| KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiCpremaz | |
| 性质 / Nepremičnina | 典型数值 / Tipična vrednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Gostota | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Trdota | 2500 维氏硬度（500g obremenitev） |
| 晶粒大小 / VELIKOST ZRNA | 2~10 μm |
| 纯度 / Kemijska čistost | 99,99995 % |
| 热容 / Toplotna kapaciteta | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Upogibna trdnost | 415 MPa RT 4-točkovni |
| 杨氏模量 / Youngov modul | 430 Gpa, 4pt upogib, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalPrevodnost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Toplotni raztezek (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Vljudno vas vabimo, da obiščete našo tovarno, da se pogovorimo še naprej!
