Susceptor obložen silicijevim karbidom jea ključkomponenta koja se koristi u raznim procesima proizvodnje poluvodiča.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu susceptora obloženog silicijevim karbidom sizuzetno visoke čistoće,dobropremazivanjeujednačenosti izvrstan vijek trajanja, kao ivisoka kemijska otpornost i toplinska stabilnost.
VET Energija je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicij-karbida s CVD premazom,može isporučitirazniPrilagođeni dijelovi za poluvodičku i fotonaponsku industriju. ONaš tehnički tim dolazi iz vodećih domaćih istraživačkih institucija i može pružiti profesionalnija materijalna rješenja.za tebe.
Neprestano razvijamo napredne procese kako bismo osigurali naprednije materijale,irazvili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti vezu između premaza i podloge čvršćom i manje sklonom odvajanju.
Fkarakteristike naših proizvoda:
1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itoplinska ujednačenost
3. Izvrsna otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Dulji vijek trajanja i izdržljiviji
| KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizikalna svojstva CVD SiC-apremazivanje | |
| 性质 / Nekretnina | 典型数值 / Tipična vrijednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Gustoća | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdoća | 2500 维氏硬度（500g opterećenja） |
| 晶粒大小 / Veličina zrna | 2~10μm |
| 纯度 / Kemijska čistoća | 99,99995% |
| 热容 / Toplinski kapacitet | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje | 415 MPa RT 4-točkovni |
| 杨氏模量 Youngov modul | 430 Gpa savijanje od 4 pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalProvodljivost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Toplinsko širenje (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdačno vas pozdravljamo u posjeti našoj tvornici, pa ćemo dalje razgovarati!
