Susceptor obložen silicijum-karbidom jea ključkomponenta koja se koristi u raznim procesima proizvodnje poluprovodnika.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu susceptora obloženog silicijum-karbidom saizuzetno visoke čistoće,dobarpremazjednoličnosti odličan vijek trajanja, kao ivisoka hemijska otpornost i termička stabilnost.
VET Energija je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicijum karbida sa CVD premazom,može isporučitirazniPrilagođeni dijelovi za poluprovodničku i fotonaponsku industriju. ONaš tehnički tim dolazi iz vodećih domaćih istraživačkih institucija i može pružiti profesionalnija materijalna rješenja.za tebe.
Neprestano razvijamo napredne procese kako bismo obezbijedili još naprednije materijale,iRazvili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti vezu između premaza i podloge čvršćom i manje sklonom odvajanju.
Fkarakteristike naših proizvoda:
1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itermička ujednačenost
3. Odlična otpornost na koroziju: kiseline, alkalije, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Duži vijek trajanja i izdržljiviji
| KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizička svojstva CVD SiC-apremaz | |
| 性质 / Nekretnina | 典型数值 / Tipična vrijednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Gustoća | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdoća | 2500 维氏硬度 (500g opterećenje) |
| 晶粒大小 / Veličina zrna | 2~10μm |
| 纯度 / Hemijska čistoća | 99,99995% |
| 热容 / Toplotni kapacitet | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje | 415 MPa RT 4-tačkasti |
| 杨氏模量 Youngov modul | 430 Gpa savijanje od 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalProvodljivost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termičko širenje (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdačno vas pozdravljamo da posjetite našu fabriku, hajde da dalje razgovaramo!
