Ana amfani da sinadarin silicon carbide mai rufi da susceptora maɓallibangaren da ake amfani da shi a cikin tsarin kera semiconductor daban-daban.Muna amfani da fasaharmu mai lasisi don yin maganin hana ɗaukar siliki mai rufi da carbide.tsarki mai matuƙar girma,mai kyaushafidaidaitoda kuma kyakkyawan rayuwar sabis, har dababban juriya ga sinadarai da kuma yanayin kwanciyar hankali na zafi.
Makamashin VET shine Lallaiainihin masana'anta na samfuran graphite da silicon carbide na musamman tare da murfin CVD,iya bayarwadaban-dabansassa na musamman don masana'antar semiconductor da photovoltaic. OƘungiyar fasaha ta ku ta fito ne daga manyan cibiyoyin bincike na cikin gida, za su iya samar da ƙarin mafita na kayan aiki na ƙwararruna ka.
Muna ci gaba da haɓaka hanyoyin ci gaba don samar da ƙarin kayan aiki masu inganci,kumasun yi amfani da wata fasaha ta musamman da aka yi wa rijista, wadda za ta iya sa haɗin da ke tsakanin murfin da substrate ya yi ƙarfi kuma ya zama ba shi da sauƙin rabuwa.
Fsamfuranmu masu zuwa:
1. Juriyar iskar shaka mai zafi har zuwa 1700℃.
2. Tsarkakakken tsarki da kumadaidaiton zafi
3. Kyakkyawan juriya ga tsatsa: acid, alkali, gishiri da kuma sinadaran halitta.
4. Babban tauri, ƙaramin surface, ƙananan barbashi.
5. Tsawon rai da kuma tsawon rai
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Abubuwan asali na zahiri na CVD SiCshafi | |
| 性质 / Kadara | 典型数值 / Darajar da Aka Saba |
| 晶体结构 / Tsarin Crystal | Matakin FCC β多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Yawan yawa | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Tauri | 2500 维氏硬度 (500g kaya) |
| 晶粒大小 / Size na hatsi | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Tsarkakewar Sinadarai | 99.99995% |
| 热容 / Ƙarfin Zafi | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Zafin Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Ƙarfin Lankwasawa | 415 MPa RT maki 4 |
| 杨氏模量 / Matashin Young | 430 GPA lanƙwasa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalGudanar da wutar lantarki | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Faɗaɗawar Zafi (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Barka da zuwa ka ziyarci masana'antarmu, bari mu ci gaba da tattaunawa!
