د سیلیکون کاربایډ پوښل شوی سسپټر دیa کیليهغه جز چې د نیمه هادي تولید په مختلفو پروسو کې کارول کیږي.موږ د خپل پیټینټ شوي ټیکنالوژۍ څخه کار اخلو ترڅو د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي سسیپټر جوړ کړوډېر لوړ پاکوالی،ښهپوښليوشانوالیاو د غوره خدمت ژوند، او همدارنګهلوړ کیمیاوي مقاومت او د تودوخې ثبات ځانګړتیاوې.
د VET انرژي ده دد CVD کوټینګ سره د دودیز شوي ګرافایټ او سیلیکون کاربایډ محصولاتو اصلي جوړونکی،عرضه کولی شيمختلفد سیمیکمډکټر او فوتوولټیک صنعت لپاره دودیز شوي برخې. Oستاسو تخنیکي ټیم د غوره کورنیو څیړنیزو ادارو څخه راځي، کولی شي ډیر مسلکي مادي حلونه چمتو کړي.ستاسو لپاره.
موږ په دوامداره توګه پرمختللي پروسې رامینځته کوو ترڅو نور پرمختللي توکي چمتو کړو،اود یوې ځانګړې پیټینټ شوې ټیکنالوژۍ کار کړی دی، کوم چې کولی شي د پوښ او سبسټریټ ترمنځ اړیکه ټینګه کړي او د جلا کیدو خطر یې کم کړي.
Fزموږ د محصولاتو خواړه:
۱. د لوړې تودوخې اکسیډیشن مقاومت تر ۱۷۰۰ پورې℃.
۲. لوړ پاکوالی اود تودوخې یوشانوالی
3. د زنګ وهلو لپاره غوره مقاومت: تیزاب، القلي، مالګه او عضوي ریجنټونه.
4. لوړ سختۍ، کمپیکٹ سطحه، ښه ذرات.
5. د اوږد خدمت ژوند او ډیر دوامدار
| سي وي ډي SiC薄膜基本物理性能 د CVD SiC اساسي فزیکي ځانګړتیاوېپوښل | |
| 性质 / ملکیت | 典型数值 / عادي ارزښت |
| 晶体结构 / کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله多晶، 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / کثافت | ۳.۲۱ ګرامه/سانتي متره |
| 硬度 / سختي | 2500 维氏硬度 (500g بار) |
| 晶粒大小 / د غلې دانې سیز | ۲~۱۰μm |
| 纯度 / کیمیاوي پاکوالی | ۹۹.۹۹۹۹۵٪ |
| 热容 / د تودوخې ظرفیت | ۶۴۰ جور کیلوګرامه-1· ک-1 |
| 升华温度 / د سبلیمیشن تودوخه | ۲۷۰۰ ℃ |
| 抗弯强度 / انعطاف منونکی ځواک | ۴۱۵ MPa RT ۴-نقطه |
| 杨氏模量 / د ځوانانو ماډول | ۴۳۰ جي پي اې ۴ پونډه کږوالی، ۱۳۰۰ ℃ |
| 导热系数 / ترمالچالکتیا | ۳۰۰ واټه · متر-1· ک-1 |
| 热膨胀系数 / د تودوخې پراخوالی (CTE) | ۴.۵×۱۰-6K-1 |
زموږ د فابریکې څخه د لیدو لپاره په تود هرکلي سره، راځئ چې نور بحث وکړو!
