Siliziumkarbidbeschichteter Suszeptor ista SchlüsselKomponente, die in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen verwendet wird.Wir verwenden unsere patentierte Technologie, um den mit Siliziumkarbid beschichteten Suszeptor mitextrem hohe Reinheit,GutBeschichtungGleichmäßigkeitund eine hervorragende Lebensdauer, sowiehohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
VET Energy ist Dieechter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit CVD-Beschichtung,liefern kannverschiedenkundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen anbietenfür Sie.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um noch fortschrittlichere Materialien bereitzustellen,Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
FEigenschaften unserer Produkte:
1. Hohe Temperatur-Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit undthermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger
| Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2 bis 10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns das weiter besprechen!
