Susceptor carburo silicii obductus esta clavispars in variis processibus fabricationis semiconductorum adhibita.Technologia nostra patente utimur ad susceptorem carburo silicii obductum fabricandum...puritate summa,bonusobductiouniformitaset optimam vitam servitii, necnonAltae resistentiae chemicae et stabilitatis thermalis proprietates.
Energia VET est ille/illa/illudverus fabricator productorum graphiti et carburi silicii cum inductione CVD ad mensuram factarum,potest supplerevariiPartes ad usum fabricatae pro industria semiconductorum et photovoltaicorum. OTurma technica nostra ex summis institutis investigationis domesticis venit, solutiones materiales professionaliores praebere potest.tibi.
Processus provectiores continuo evolvimus ut materias provectiores praebeamus,ettechnologiam exclusivam et patentem excogitaverunt, quae nexum inter obductionem et substratum artiorem et minus pronam ad separationem reddere potest.
FProprietates productorum nostrorum:
1. Resistentia oxidationis altae temperaturae usque ad 1700Celsius.
2. Alta puritas etuniformitas thermalis
3. Excellens resistentia corrosionis: acidis, alcali, sale et reagentis organicis.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
5. Diutius tempus servitii et diuturnius
| Morbus cardiovascularis (CVD) SiC薄膜基本物理性能 Proprietates physicae fundamentales SiC CVDobductio | |
| 性质 / Proprietas | 典型数值 / Valor Typicus |
| 晶体结构 / Structura Crystallina | FCC phasis beta.111）取向 |
| 密度 Densitas | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Duritia | MMD -500g onus |
| 晶粒大小 / Magnitudo Grani | 2~10μm |
| 纯度 / Puritas Chemica | 99.99995% |
| 热容 / Capacitas Calorifera | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura Sublimationis | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Robur Flexionale | 415 MPa RT 4-puncta |
| 杨氏模量 Modulus Youngianus | Flexus 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermaegoConductivitas | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Expansio Thermica (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Calidissime te invitamus ut officinam nostram visites, ulterius disseramus!
