El susceptor recobert de carbur de silici ésa claucomponent utilitzat en diversos processos de fabricació de semiconductors.Fem servir la nostra tecnologia patentada per fabricar el susceptor recobert de carbur de silici ambuna puresa extremadament alta,borecobrimentuniformitati una excel·lent vida útil, així compropietats d'alta resistència química i estabilitat tèrmica.
L'energia VET és elfabricant real de productes personalitzats de grafit i carbur de silici amb recobriment CVD,pot subministrardiversospeces personalitzades per a la indústria de semiconductors i fotovoltaica. OEl nostre equip tècnic prové de les principals institucions de recerca nacionals i pot proporcionar solucions de materials més professionalsper a tu.
Desenvolupem contínuament processos avançats per oferir materials més avançats,ihan elaborat una tecnologia patentada exclusiva que pot fer que la unió entre el recobriment i el substrat sigui més ferma i menys propensa al despreniment.
Fcaracterístiques dels nostres productes:
1. Resistència a l'oxidació a altes temperatures fins a 1700℃.
2. Alta puresa iuniformitat tèrmica
3. Excel·lent resistència a la corrosió: àcids, àlcalis, sals i reactius orgànics.
4. Alta duresa, superfície compacta, partícules fines.
5. Vida útil més llarga i més durador
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propietats físiques bàsiques del SiC CVDrecobriment | |
| 性质 / Propietat | 典型数值 / Valor típic |
| 晶体结构 / Estructura cristal·lina | Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densitat | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Duresa | 2500 维氏硬度（càrrega de 500g） |
| 晶粒大小 / Mida del gra | 2~10 μm |
| 纯度 / Puresa química | 99,99995% |
| 热容 / Capacitat calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimació | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Resistència a la flexió | 415 MPa RT 4 punts |
| 杨氏模量 / Mòdul de Young | Corba de 430 Gpa 4pt, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalConductivitat | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansió tèrmica (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Us donem una calorosa benvinguda a visitar la nostra fàbrica, parlem-ne més!
