SiC-belegg grafitt MOCVD-waferbærere, grafittmottakere forSiC-epitaksi,
Karbon forsyner susceptorer, Grafitt-epitaksi-susceptorer, Grafittstøttesubstrater, MOCVD-mottaker, SiC-epitaksi, Wafer-mottakere,

Spesielle fordeler med våre SiC-belagte grafittsusceptorer inkluderer ekstremt høy renhet, homogent belegg og utmerket levetid. De har også høy kjemisk motstand og termisk stabilitet.

SiC-belegg av grafittsubstrat for halvlederapplikasjoner produserer en del med overlegen renhet og motstand mot oksiderende atmosfære.
CVD SiC eller CVI SiC påføres grafitt i enkle eller komplekse designdeler. Belegget kan påføres i varierende tykkelser og på svært store deler.

Funksjoner:
· Utmerket motstand mot termisk sjokk
· Utmerket fysisk støtmotstand
· Utmerket kjemisk motstand
· Superhøy renhet
· Tilgjengelighet i kompleks form
· Kan brukes under oksiderende atmosfære

Søknad:

Typiske egenskaper for basegrafittmateriale:

Karbon forsyner susceptorerog grafittkomponenter for alle nåværende epitaksireaktorer. Porteføljen vår inkluderer fatsusceptorer for anvendte og LPE-enheter, pannekakesusceptorer for LPE-, CSD- og Gemini-enheter, og enkeltwafer-susceptorer for anvendte og ASM-enheter. Ved å kombinere sterke partnerskap med ledende OEM-er, materialekspertise og produksjonskunnskap, tilbyr SGL det optimale designet for din applikasjon.