Vet-ChinaCerâmica de carboneto de silícioO revestimento é um revestimento protetor de alto desempenho feito de material extremamente duro e resistente ao desgaste.carboneto de silício (SiC)material que proporciona excelente resistência à corrosão química e estabilidade em altas temperaturas. Essas características são cruciais na produção de semicondutores, portantoRevestimento cerâmico de carboneto de silícioé amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores.
O papel específico da Vet-ChinaCerâmica de carboneto de silícioO revestimento na produção de semicondutores é o seguinte:
Aumente a durabilidade do equipamento:Revestimento Cerâmico de Carboneto de Silício: O revestimento cerâmico de carboneto de silício proporciona excelente proteção de superfície para equipamentos de fabricação de semicondutores, com sua altíssima dureza e resistência ao desgaste. Especialmente em ambientes de processo de alta temperatura e alta corrosão, como deposição química de vapor (CVD) e corrosão por plasma, o revestimento pode efetivamente prevenir danos à superfície do equipamento por erosão química ou desgaste físico, prolongando significativamente a vida útil do equipamento e reduzindo o tempo de inatividade causado por frequentes substituições e reparos.
Melhore a pureza do processo:No processo de fabricação de semicondutores, pequenas contaminações podem causar defeitos no produto. A inércia química do revestimento cerâmico de carboneto de silício permite que ele permaneça estável em condições extremas, evitando que o material libere partículas ou impurezas, garantindo assim a pureza ambiental do processo. Isso é particularmente importante para etapas de fabricação que exigem alta precisão e alta limpeza, como PECVD e implantação iônica.
Otimizar o gerenciamento térmico:No processamento de semicondutores em alta temperatura, como processamento térmico rápido (RTP) e processos de oxidação, a alta condutividade térmica do revestimento cerâmico de carboneto de silício permite uma distribuição uniforme da temperatura dentro do equipamento. Isso ajuda a reduzir o estresse térmico e a deformação do material causados por flutuações de temperatura, melhorando assim a precisão e a consistência da fabricação do produto.
Suporte a ambientes de processos complexos:Em processos que exigem controle complexo da atmosfera, como processos de gravação ICP e PSS, a estabilidade e a resistência à oxidação do revestimento cerâmico de carboneto de silício garantem que o equipamento mantenha um desempenho estável em operação de longo prazo, reduzindo o risco de degradação do material ou danos ao equipamento devido a mudanças ambientais.
| DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β da FCC多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Densidade | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
| 晶粒大小 / Tamanho do grão | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 / Capacidade de Calor | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de Sublimação | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistência à flexão | 415 MPa RT 4 pontos |
| 杨氏模量 / Módulo de Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| 导热系数 / TermaeuCondutividade | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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