TaC жабу дегеніміз не?

Қарқынды дамып келе жатқан жартылай өткізгіш өнеркәсібінде өнімділікті, беріктікті және тиімділікті арттыратын материалдар өте маңызды. Осындай жаңалықтардың бірі - графит компоненттеріне қолданылатын ең озық қорғаныс қабаты - тантал карбиді (TaC) жабыны. Бұл блог TaC жабынының анықтамасын, техникалық артықшылықтарын және оның жартылай өткізгіш өндірісіндегі трансформациялық қолданбаларын зерттейді.

Ⅰ. TaC жабу дегеніміз не?

TaC жабыны - бұл графит беттеріне тұндырылған тантал карбидінен (тантал мен көміртек қосылысы) тұратын жоғары өнімді керамикалық қабат. Қаптау әдетте графитті төтенше жағдайлардан қорғайтын тығыз, ультра таза тосқауыл құра отырып, химиялық бу тұндыру (CVD) немесе физикалық бу тұндыру (PVD) әдістерін қолдану арқылы қолданылады.

TaC жабынының негізгі қасиеттері

●Жоғары температура тұрақтылығы: 2200°C асатын температураға шыдайды, 1600°C-тан жоғары ыдырайтын кремний карбиді (SiC) сияқты дәстүрлі материалдардан асып түседі.

●Химиялық төзімділік: Сутегі (H₂), аммиак (NH₃), кремний булары және балқытылған металдардан коррозияға төзімді, жартылай өткізгіштерді өңдеу орталары үшін өте маңызды.

●Ультра жоғары тазалық: 5 ppm төмен қоспа деңгейлері, кристалдардың өсу процестеріндегі ластану қаупін азайтады.

●Термиялық және механикалық төзімділік: Графитке күшті адгезия, төмен термиялық кеңею (6,3×10⁻⁶/K) және қаттылық (~2000 HK) термиялық цикл кезінде ұзақ өмір сүруді қамтамасыз етеді.

Ⅱ. Жартылай өткізгіштер өндірісіндегі TaC жабыны: негізгі қолданбалар

TaC қапталған графит компоненттері жартылай өткізгіштердің жетілдірілген өндірісінде, әсіресе кремний карбиді (SiC) және галлий нитриді (GaN) құрылғылары үшін өте қажет. Төменде оларды пайдаланудың маңызды жағдайлары берілген:

1. SiC монокристалды өсуі

SiC пластиналары электр электроникасы мен электр көліктері үшін өте маңызды. TaC қапталған графит тигельдері мен сенсорлары физикалық буларды тасымалдау (PVT) және жоғары температуралық CVD (HT-CVD) жүйелерінде:

● Контаминацияны басу: TaC қоспасының төмен мөлшері (мысалы, бор <0,01 ppm қарсы графиттегі 1 ppm) SiC кристалдарындағы ақауларды азайтып, пластинаның кедергісін жақсартады (жабылмаған графит үшін 4,5 Ом-см-ге қарсы 0,1 Ом-см).

● Жылу басқаруды жақсарту: Біркелкі сәуле шығару (1000°C кезінде 0,3) кристалдың сапасын оңтайландыра отырып, жылуды тұрақты бөлуді қамтамасыз етеді.

2. Эпитаксиалды өсу (GaN/SiC)

Металл-органикалық CVD (MOCVD) реакторларында, вафельді тасымалдағыштар мен инжекторлар сияқты TaC қапталған компоненттер:

●Газ реакцияларының алдын алу: Реактордың тұтастығын сақтай отырып, 1400°C температурада аммиак пен сутегімен қышқылдануға қарсы тұрады.

●Өнімділікті жақсарту: Графиттен бөлшектердің төгілуін азайту арқылы CVD TaC жабыны эпитаксиалды қабаттардағы ақауларды азайтады, бұл өнімділігі жоғары жарық диодтары мен РЖ құрылғылары үшін өте маңызды.

3. Басқа жартылай өткізгіш қолданбалары

●Жоғары температуралық реакторлар: GaN өндірісіндегі қабылдағыштар мен қыздырғыштар сутегіге бай орталарда TaC тұрақтылығының пайдасын көреді.

●Вафельді өңдеу: Сақиналар мен қақпақтар сияқты қапталған компоненттер пластинаны тасымалдау кезінде металл ластануын азайтады

Ⅲ. Неліктен TaC жабыны баламалардан асып түседі?

Кәдімгі материалдармен салыстыру TaC артықшылығын көрсетеді:

Деректер салалық салыстырудан алынған

IV. Неліктен ТжКБ таңдау керек?

Технологиялық зерттеулер мен әзірлемелерге үздіксіз инвестициядан кейін,ТжКБсияқты тантал карбиді (TaC) қапталған бөлшектерTaC қапталған графит бағыттаушы сақина, CVD TaC қапталған пластина сенсоры, Эпитаксия жабдығына арналған TaC қапталған қабылдағыш,Тантал карбидімен қапталған кеуекті графит материалыжәнеTaC жабыны бар вафельді сенсор, Еуропа және Америка нарықтарында өте танымал. ТжКБ сіздің ұзақ мерзімді серіктес болуды шын жүректен күтеді.