Àwọn ìṣòro ìmọ̀-ẹ̀rọ wo ló wà nínú ilé ìgbóná ìgbóná sílíkónì carbide?

Ilé ìgbóná ìdàgbàsókè kristali ni ohun èlò pàtàkì fúnsilikoni kabọideÌdàgbàsókè kírísítà. Ó jọ ìléru ìdàgbàsókè kírísítàlì sílíkónì ìbílẹ̀. Ìṣètò ìléru náà kò díjú púpọ̀. Ó jẹ́ ara ìléru, ètò ìgbóná, ètò ìgbékalẹ̀ kíílì, ètò ìgbafẹ́ àti ìwọ̀n, ètò ipa ọ̀nà gaasi, ètò ìtútù, ètò ìṣàkóso, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Ipò ooru àti àwọn ipò iṣẹ́ ló ń pinnu àwọn àmì pàtàkì tikirisita silikoni carbidebíi dídára, ìwọ̀n, ìṣiṣẹ́ àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.

Ni apa kan, iwọn otutu lakoko idagbasokekirisita silikoni carbideÓ ga gan-an, a kò sì le ṣe àyẹ̀wò rẹ̀. Nítorí náà, ìṣòro pàtàkì ni ó wà nínú iṣẹ́ náà fúnra rẹ̀. Àwọn ìṣòro pàtàkì ni wọ̀nyí:

(1) Iṣoro ninu iṣakoso aaye ooru:

Ṣíṣe àbójútó ihò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga ṣòro, kò sì ṣeé ṣàkóso. Yàtọ̀ sí ohun èlò ìdàgbàsókè kírísítà oní-sílínọ́mù àtijọ́ tí ó ní iwọ̀n tó ga jùlọ àti ìlànà ìdàgbàsókè kírísítà tí a lè rí àti tí a lè ṣàkóso, kírísítà oní-sílínọ́mù máa ń dàgbà ní àyè tí a ti sé ní àyíká iwọ̀n otútù gíga tí ó ju 2,000℃ lọ, àti pé ó yẹ kí a ṣàkóso iwọ̀n otútù ìdàgbàsókè náà ní pàtó nígbà ìṣẹ̀dá, èyí tí ó mú kí ìdarí iwọ̀n otútù ṣòro.

(2) Iṣoro ninu iṣakoso fọọmu kristali:

Àwọn micropipes, àwọn polymorphic inclusions, dislocations àti àwọn àbùkù mìíràn máa ń ṣẹlẹ̀ nígbà ìdàgbàsókè, wọ́n sì máa ń nípa lórí ara wọn àti yíyípadà wọn. Micropipes (MP) jẹ́ àwọn àbùkù nípasẹ̀ irú pẹ̀lú ìwọ̀n microns sí mewa microns, èyí tí ó jẹ́ àbùkù àwọn ẹ̀rọ. Silicon carbide single crystal ní ju 200 onírúurú crystal fọ́ọ̀mù, ṣùgbọ́n díẹ̀ lára ​​àwọn crystal structures (irú 4H) ni àwọn ohun èlò semiconductor tí a nílò fún ìṣẹ̀dá. Ìyípadà fọ́ọ̀mù crystal rọrùn láti ṣẹlẹ̀ nígbà ìdàgbàsókè, èyí tí ó ń yọrí sí àbùkù ìfàsẹ̀yìn polymorphic. Nítorí náà, ó ṣe pàtàkì láti ṣàkóso àwọn pàrámítà bíi silicon-carbon ratio, growth temperature gradient, crystal growth rate, àti air flow pressure. Ní àfikún, ìfàsẹ̀yìn temperature gradient kan wà nínú thermal field of silicon carbide single crystal growth, èyí tí ó ń yọrí sí interior interior interior stress àti delocations (basal plane dislocation BPD, screw dislocation TSD, edge dislocation TED) nígbà ìdàgbàsókè crystal, nípa bẹ́ẹ̀ ó ń nípa lórí dídára àti iṣẹ́ àwọn epitaxy àti àwọn ẹ̀rọ tí ó tẹ̀lé e.

(3) Ìṣàkóso oògùn tó ṣòro:

A gbọdọ ṣakoso ifihan awọn ohun ti ko ni ita lati gba kirisita ti o ni itọsọna pẹlu doping itọsọna;

(4) Ìwọ̀n ìdàgbàsókè tó lọ́ra:

Ìdàgbàsókè silicon carbide lọ́ra gan-an. Àwọn ohun èlò silicon àtọwọ́dá nìkan nílò ọjọ́ mẹ́ta kí wọ́n tó lè dàgbà di ọ̀pá kristali, nígbà tí àwọn ọ̀pá kristali silicon carbide nílò ọjọ́ méje. Èyí yóò mú kí iṣẹ́ silicon carbide dínkù nípa ti ara wọn, àti pé ìwọ̀nba ìṣẹ̀dá ló kù.

Ní ọwọ́ kejì ẹ̀wẹ̀, àwọn pàrámítà ìdàgbàsókè epitaxial silicon carbide jẹ́ ohun tó ń béèrè gan-an, títí bí afẹ́fẹ́ tó ń mú kí ẹ̀rọ náà dúró ṣinṣin, ìdúróṣinṣin ti titẹ gaasi nínú yàrá ìṣesí, ìṣàkóso àkókò ìfàsẹ́yìn gaasi, ìpéye ti ìpíndọ́gba gaasi, àti ìṣàkóso tí ó muna ti iwọ̀n otútù ìfipamọ́. Ní pàtàkì, pẹ̀lú ìdàgbàsókè ipele resistance folti ẹ̀rọ náà, ìṣòro ṣíṣàkóso àwọn pàrámítà pàtàkì ti wafer epitaxial ti pọ̀ sí i gidigidi. Ní àfikún, pẹ̀lú ìbísí nínú sisanra ti epitaxial layer, bí a ṣe lè ṣàkóso ìṣọ̀kan resistance àti dín iwuwo àbùkù kù nígbàtí a bá ń rí i dájú pé sisanra ti di ìpèníjà pàtàkì mìíràn. Nínú ẹ̀rọ ìṣàkóso iná mànàmáná, ó ṣe pàtàkì láti so àwọn sensọ̀ àti àwọn actuator tó péye pọ̀ láti rí i dájú pé onírúurú pàrámítà le jẹ́ èyí tó péye àti tó dúró ṣinṣin. Ní àkókò kan náà, ìṣeéṣe ti algoridimu ìṣàkóso náà ṣe pàtàkì pẹ̀lú. Ó nílò láti lè ṣàtúnṣe ètò ìṣàkóso ní àkókò gidi gẹ́gẹ́ bí àmì èsì láti bá onírúurú ìyípadà mu nínú ilana ìdàgbàsókè epitaxial silicon carbide.

Awọn iṣoro pataki ninuohun èlò ìpìlẹ̀ silikoni carbideiṣelọpọ: