Oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC)

Descripción breve:

La oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) de VET Energy es un sustrato de alto rendimiento diseñado para satisfacer las exigentes necesidades de los dispositivos de potencia y RF de última generación. VET Energy garantiza que cada oblea epitaxial se fabrica meticulosamente para ofrecer una conductividad térmica, una tensión de ruptura y una movilidad de portadora superiores, lo que la hace ideal para aplicaciones como vehículos eléctricos, comunicaciones 5G y electrónica de potencia de alta eficiencia.

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Detalle del producto

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La oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) de VET Energy es un material semiconductor de alto rendimiento con una amplia banda prohibida y excelentes características de resistencia a altas temperaturas, alta frecuencia y alta potencia. Es un sustrato ideal para la nueva generación de dispositivos electrónicos de potencia. VET Energy utiliza tecnología epitaxial MOCVD avanzada para generar capas epitaxiales de SiC de alta calidad sobre sustratos de SiC, garantizando así un excelente rendimiento y consistencia de la oblea.

Nuestra oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) ofrece una excelente compatibilidad con diversos materiales semiconductores, como obleas de silicio, sustratos de SiC, obleas de SOI y sustratos de SiN. Gracias a su robusta capa epitaxial, es compatible con procesos avanzados como el crecimiento de obleas de epitaxial y la integración con materiales como el óxido de galio (Ga₂O₃) y las obleas de AlN, lo que garantiza su versatilidad en diversas tecnologías. Diseñada para ser compatible con los sistemas de manipulación de casetes estándar de la industria, garantiza operaciones eficientes y optimizadas en entornos de fabricación de semiconductores.

La línea de productos de VET Energy no se limita a obleas epitaxiales de SiC. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, como obleas de Si, sustratos de SiC, obleas de SOI, sustratos de SiN y obleas de Epi, entre otros. Además, desarrollamos activamente nuevos materiales semiconductores de banda prohibida amplia, como el óxido de galio (Ga₂O₃) y las obleas de AlN, para satisfacer la futura demanda de dispositivos de mayor rendimiento en la industria de la electrónica de potencia.

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante

Artículo	8 pulgadas	6 pulgadas			4 pulgadas
Artículo	notario público	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6 um	≤6 um
Valor absoluto de Bow(GF3YFCD)	≤15 μm	≤15 μm	≤25μm		≤15 μm
Deformación(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm	<2 μm
Borde de oblea	Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante

Artículo	8 pulgadas	6 pulgadas			4 pulgadas
	notario público	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Acabado de la superficie	Pulido óptico de doble cara, cara de silicio CMP
Rugosidad de la superficie	(10 um x 10 um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm Cara C Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm Cara C Ra≤0,5 nm
Fichas de borde	No se permite ninguno (largo y ancho ≥0,5 mm)
Sangrías	No se permite ninguno
Arañazos (Si-Face)	Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea	Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea			Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea
Grietas	No se permite ninguno
Exclusión de bordes	3 mm