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  • Processo BCD

    Processo BCD

    Cos'è il processo BCD? Il processo BCD è una tecnologia di processo integrata su singolo chip, introdotta per la prima volta da ST nel 1986. Questa tecnologia consente di realizzare dispositivi bipolari, CMOS e DMOS sullo stesso chip. Il suo aspetto riduce notevolmente l'area del chip. Si può affermare che il processo BCD sfrutta appieno...
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  • BJT, CMOS, DMOS e altre tecnologie di processo dei semiconduttori

    BJT, CMOS, DMOS e altre tecnologie di processo dei semiconduttori

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenze sui prodotti. Il nostro sito web: https://www.vet-china.com/ Con i continui progressi nei processi di produzione dei semiconduttori, nel settore circola una famosa affermazione chiamata "Legge di Moore". È stata...
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  • Processo di modellazione dei semiconduttori mediante incisione a flusso

    Processo di modellazione dei semiconduttori mediante incisione a flusso

    I primi processi di incisione a umido hanno favorito lo sviluppo di processi di pulizia o incenerimento. Oggi, l'incisione a secco con plasma è diventata il processo di incisione più diffuso. Il plasma è costituito da elettroni, cationi e radicali. L'energia applicata al plasma fa sì che gli elettroni più esterni...
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  • Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-Ⅱ

    Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-Ⅱ

    2 Risultati sperimentali e discussione 2.1 Spessore e uniformità dello strato epitassiale Lo spessore dello strato epitassiale, la concentrazione del drogaggio e l'uniformità sono indicatori chiave per valutare la qualità dei wafer epitassiali. Spessore accuratamente controllabile, concentrazione del drogaggio...
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  • Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-Ⅰ

    Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-Ⅰ

    Attualmente, l'industria del SiC si sta trasformando da 150 mm (6 pollici) a 200 mm (8 pollici). Per soddisfare l'urgente domanda di wafer omoepitassiali in SiC di grandi dimensioni e alta qualità, sono stati preparati con successo wafer omoepitassiali in SiC 4H da 150 mm e 200 mm...
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  • Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso -Ⅱ

    Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso -Ⅱ

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenze sui prodotti. Il nostro sito web è: https://www.vet-china.com/ Metodo di attivazione fisico-chimica. Il metodo di attivazione fisico-chimica si riferisce al metodo di preparazione di materiali porosi combinando le due attività sopra menzionate...
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  • Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso-Ⅰ

    Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso-Ⅰ

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenze sui prodotti. Il nostro sito web è: https://www.vet-china.com/. Questo articolo analizza l'attuale mercato del carbone attivo, conduce un'analisi approfondita delle materie prime del carbone attivo e presenta la struttura dei pori...
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  • Flusso del processo dei semiconduttori-II

    Flusso del processo dei semiconduttori-II

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenze sui prodotti. Il nostro sito web è: https://www.vet-china.com/ Incisione di Poly e SiO2: Successivamente, il Poly e la SiO2 in eccesso vengono rimossi mediante incisione. In questa fase, viene utilizzata l'incisione direzionale. Nella classificazione...
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  • Flusso di processo dei semiconduttori

    Flusso di processo dei semiconduttori

    È comprensibile anche senza aver mai studiato fisica o matematica, ma è un po' troppo semplice e adatto ai principianti. Se volete saperne di più sul CMOS, dovete leggere il contenuto di questo numero, perché solo dopo aver compreso il flusso di processo (ovvero...
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