လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများသည် အဓိကအားဖြင့် မြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆ ဦးတည်၍ ဖွံ့ဖြိုးလျက်ရှိသည်။ အခန်းအပူချိန်တွင် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို လီသီယမ်နှင့် သတ္တုစပ်၍ လီသီယမ်ကြွယ်ဝသောထုတ်ကုန် Li3.75Si အဆင့်ကို ထုတ်လုပ်ပြီး 3572 mAh/g အထိ သီးခြားစွမ်းရည်ရှိပြီး ဂရပ်ဖိုက် အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း 372 mAh/g ၏ သီအိုရီဆိုင်ရာ သီးခြားစွမ်းရည်ထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသည်။ သို့သော် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို ထပ်ခါတလဲလဲ အားသွင်းခြင်းနှင့် အားပြန်သွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း Si နှင့် Li3.75Si ၏ အဆင့်ပြောင်းလဲမှုသည် ကြီးမားသော ထုထည်ချဲ့ထွင်မှု (300%) ကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး ၎င်းသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများ၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အမှုန့်များနှင့် SEI ဖလင်များ စဉ်ဆက်မပြတ်ဖွဲ့စည်းခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး နောက်ဆုံးတွင် စွမ်းရည်ကို လျင်မြန်စွာ ကျဆင်းစေသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ ဘက်ထရီများ၏ တည်ငြိမ်မှုကို နာနိုအရွယ်အစား၊ ကာဗွန်အလွှာ၊ အပေါက်များဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့် အခြားနည်းပညာများမှတစ်ဆင့် တိုးတက်စေသည်။
ကာဗွန်ပစ္စည်းများတွင် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကောင်းမွန်ခြင်း၊ ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးခြင်းနှင့် ကျယ်ပြန့်သောရင်းမြစ်များရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။ ၎င်းတို့ကို ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှုဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများအဖြစ် ဦးစားပေးအသုံးပြုကြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများသည် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ အဓိကဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဦးတည်ချက်ဖြစ်သည်။ ကာဗွန်အလွှာသည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေနိုင်သော်လည်း ဆီလီကွန်ထုထည်တိုးချဲ့မှုကို ဟန့်တားနိုင်စွမ်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့်ဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ထုထည်တိုးချဲ့မှုပြဿနာကို ဖြေရှင်းပေးနိုင်ခြင်းမရှိပါ။ ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံများကို တည်ဆောက်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းသည် နာနိုပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်များအရ ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းဖြင့်ရရှိသော အရည်ထဲသို့ မတူညီသော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများကို ထည့်သွင်းနိုင်သည်။ အရည်ကို အရည်အမျိုးမျိုးမှတစ်ဆင့် ညီညီညာညာပျံ့နှံ့စေပြီး ဖြန်းခြောက်သည်။ ချက်ချင်းခြောက်သွေ့စေသောလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အရည်ရှိ နာနိုအမှုန်များနှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများသည် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာဝိသေသလက္ခဏာများကို အလိုအလျောက်ဖွဲ့စည်းလိမ့်မည်။ ဤစာတမ်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းနှင့် ဖြန်းခြောက်ခြင်းနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်သည်။
ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆီလီကွန်နာနိုပစ္စည်းများ၏ ပုံသဏ္ဌာန်နှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုဝိသေသလက္ခဏာများကို ထိန်းညှိခြင်းဖြင့်လည်း တိုးတက်ကောင်းမွန်လာနိုင်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ ပုံသဏ္ဌာန်နှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုဝိသေသလက္ခဏာများစွာရှိသော ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၊ ဥပမာ ဆီလီကွန်နာနိုချောင်းများ၊ အပေါက်ပါဂရပ်ဖိုက်ထည့်သွင်းထားသော နာနိုဆီလီကွန်၊ ကာဗွန်စက်လုံးများတွင် ဖြန့်ဝေထားသော နာနိုဆီလီကွန်၊ ဆီလီကွန်/ဂရပ်ဖင်းခင်းကျင်းထားသော အပေါက်ပါဖွဲ့စည်းပုံများ စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ထားပြီးဖြစ်သည်။ တူညီသောစကေးတွင်၊ နာနိုအမှုန်များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက နာနိုစာရွက်များသည် ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော ကြိတ်ခွဲခြင်းပြဿနာကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ နှိမ်နင်းနိုင်ပြီး ပစ္စည်းသည် ဖိသိပ်သိပ်သိပ်သည်းဆပိုမိုမြင့်မားသည်။ နာနိုစာရွက်များ၏ စနစ်မကျသော အစုလိုက်အပြုံလိုက်စုပုံခြင်းသည်လည်း အပေါက်ပါဖွဲ့စည်းပုံကို ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်အနုတ်လက္ခဏာလျှပ်ကူးပစ္စည်းလဲလှယ်အဖွဲ့နှင့်ပူးပေါင်းရန်။ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် ကြားခံနေရာတစ်ခု ပံ့ပိုးပေးပါ။ ကာဗွန်နာနိုပြွန်များ (CNTs) ကို မိတ်ဆက်ခြင်းသည် ပစ္စည်း၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရုံသာမက ၎င်း၏တစ်ဖက်မြင်ပုံသဏ္ဌာန်ဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့် ပစ္စည်း၏ အပေါက်ပါဖွဲ့စည်းပုံများဖွဲ့စည်းခြင်းကိုပါ မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များနှင့် CNTs များမှတည်ဆောက်ထားသော အပေါက်ပါဖွဲ့စည်းပုံများအကြောင်း အစီရင်ခံစာများ မရှိပါ။ ဤစာတမ်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အသုံးချနိုင်သော ဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်း၊ ဖြန်းခြောက်ခြင်း၊ ကာဗွန်ကြိုတင်အုပ်ခြင်းနှင့် ကယ်လ်စီနိတ်နည်းလမ်းများကို လက်ခံကျင့်သုံးပြီး ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များနှင့် CNT များကို ကိုယ်တိုင်စုစည်းခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော စိမ့်ဝင်နိုင်သော ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန် ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အပေါက်များသော မြှင့်တင်ပေးသည့်ပစ္စည်းများကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ရိုးရှင်းပြီး ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်ပြီး အရည်စွန့်ပစ်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် အကြွင်းအကျန်များ မဖြစ်ပေါ်ပါ။ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ ကာဗွန်အုပ်ခြင်းနှင့်ပတ်သက်သည့် စာပေအစီရင်ခံစာများစွာရှိသော်လည်း အဖုံးအုပ်ခြင်း၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် နက်ရှိုင်းသောဆွေးနွေးမှုအနည်းငယ်သာရှိသည်။ ဤစာတမ်းသည် ကာဗွန်အုပ်ခြင်းနည်းလမ်းနှစ်ခုဖြစ်သည့် အရည်အဆင့်အုပ်ခြင်းနှင့် အစိုင်အခဲအဆင့်အုပ်ခြင်းသည် ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ အုပ်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို စုံစမ်းစစ်ဆေးရန် ကတ္တရာကို ကာဗွန်အရင်းအမြစ်အဖြစ် အသုံးပြုသည်။
စမ်းသပ်ချက် ၁ ခု
၁.၁ ပစ္စည်းပြင်ဆင်ခြင်း
အပေါက်များသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ ပြင်ဆင်ခြင်းတွင် အဓိကအားဖြင့် အဆင့်ငါးဆင့် ပါဝင်သည်- ဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်း၊ ဖြန်းခြောက်ခြင်း၊ ကာဗွန်ကြိုတင်အုပ်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်ဓာတ်ပြုခြင်း။ ပထမဦးစွာ ကနဦး ဆီလီကွန်မှုန့် ၅၀၀ ဂရမ် (ပြည်တွင်း၊ ၉၉.၉၉% သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု) ကို ချိန်တွယ်ပြီး အိုင်ဆိုပရိုပနော ၂၀၀၀ ဂရမ်ထည့်ကာ နာနိုစကေး ဆီလီကွန်အရည်ရရှိရန် ဘောလုံးကြိတ်ခွဲအမြန်နှုန်း ၂၀၀၀ r/min ဖြင့် ၂၄ နာရီကြာ စိုစွတ်သောဘောလုံးကြိတ်ခွဲခြင်းကို လုပ်ဆောင်ပါ။ ရရှိလာသော ဆီလီကွန်အရည်ကို ပျံ့နှံ့မှုလွှဲပြောင်းကန်သို့ လွှဲပြောင်းပြီး ဆီလီကွန်-ဂရပ်ဖိုက် (ရှန်ဟိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော ဘက်ထရီအဆင့်)၊ ကာဗွန်နာနိုပြွန်များ (ထျန်းကျင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော ဘက်ထရီအဆင့်)၊ ပိုလီဗီနိုင်းပိုင်ရိုလီဒုံး (ထျန်းကျင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာအဆင့်) = ၄၀:၆၀:၁.၅:၂ တို့၏ ဒြပ်ထုအချိုးအတိုင်း ပစ္စည်းများကို ထည့်သွင်းသည်။ အိုင်ဆိုပရိုပနောကို အစိုင်အခဲပါဝင်မှုကို ချိန်ညှိရန်အသုံးပြုပြီး အစိုင်အခဲပါဝင်မှုကို ၁၅% ဖြစ်အောင် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်းကို ၃၅၀၀ r/min ပျံ့နှံ့မှုအမြန်နှုန်းဖြင့် ၄ နာရီကြာ လုပ်ဆောင်သည်။ CNT များမထည့်သော slurries အုပ်စုတစ်ခုကို နှိုင်းယှဉ်ပြီး အခြားပစ္စည်းများမှာ အတူတူပင်ဖြစ်သည်။ ရရှိလာသော ပျံ့နှံ့သွားသော slurry ကို spray drying feeding tank သို့ လွှဲပြောင်းပြီး နိုက်ထရိုဂျင်ကာကွယ်ထားသော လေထုတွင် spray drying ပြုလုပ်ပြီး inlet နှင့် outlet အပူချိန်များမှာ အသီးသီး 180 နှင့် 90 °C ရှိသည်။ ထို့နောက် ကာဗွန်အလွှာနှစ်မျိုးဖြစ်သည့် solid phase coating နှင့် liquid phase coating တို့ကို နှိုင်းယှဉ်ခဲ့သည်။ solid phase coating နည်းလမ်းမှာ- spray-dried အမှုန့်ကို 20% asphalt အမှုန့် (ကိုရီးယားတွင်ထုတ်လုပ်သည်၊ D50 သည် 5 μm) နှင့် ရောစပ်ပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ရောနှောစက်တွင် 10 မိနစ် ရောစပ်ကာ ရောစပ်မြန်နှုန်းမှာ 2000 r/min ဖြစ်ကာ pre-coated အမှုန့်ရရှိရန်ဖြစ်သည်။ liquid phase coating နည်းလမ်းမှာ- spray-dried အမှုန့်ကို (တီယန်ကျင်းတွင်ထုတ်လုပ်သည်၊ analytical grade) asphalt အမှုန့် 20% ပါဝင်သည့် (တီယန်ကျင်းတွင်ထုတ်လုပ်သည်၊ analytical grade) ထဲသို့ထည့်ကာ vacuum ဖြင့် ညီညာစွာ မွှေပေးသည်။ ၈၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ၄ နာရီဖုတ်ပြီး ရောနှောရန်အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ရောနှောစက်ထဲသို့ထည့်ကာ ရောနှောမှုနှုန်းမှာ ၂၀၀၀ ရူပီး/မိနစ်ဖြစ်ပြီး ရောနှောချိန်မှာ ၁၀ မိနစ်ဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ ရောနှောထားသော အမှုန့်ကို နိုက်ထရိုဂျင်လေထုအောက်ရှိ လည်ပတ်မီးဖိုတွင် ၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်/မိနစ် အပူနှုန်းဖြင့် လောင်ကျွမ်းစေခဲ့သည်။ ၎င်းကို ဦးစွာ ၅၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်၏ အပူချိန်တွင် ၂ နာရီကြာ သိမ်းဆည်းပြီးနောက် ၈၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ဆက်လက်အပူပေးပြီး ၂ နာရီကြာ အပူချိန်တွင် သိမ်းဆည်းပြီးနောက် ၁၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်သို့ သဘာဝအတိုင်း အအေးခံကာ ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းရရှိရန် ထုတ်လွှတ်ခဲ့သည်။
၁.၂ လက္ခဏာရပ်ဖော်ထုတ်ခြင်းနည်းလမ်းများ
ပစ္စည်း၏ အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှုကို အမှုန်အရွယ်အစား စမ်းသပ်ကိရိယာ (ယူကေတွင် ထုတ်လုပ်သော Mastersizer 2000 ဗားရှင်း) ကို အသုံးပြု၍ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ အဆင့်တစ်ခုစီတွင် ရရှိသော အမှုန့်များကို စကင်န်ဖတ်အီလက်ထရွန် မိုက်ခရိုစကုပ် (ဂျပန်တွင် ထုတ်လုပ်သော Regulus8220) ဖြင့် စမ်းသပ်ခဲ့ပြီး အမှုန့်များ၏ ပုံသဏ္ဌာန်နှင့် အရွယ်အစားကို စစ်ဆေးခဲ့သည်။ ပစ္စည်း၏ အဆင့်ဖွဲ့စည်းပုံကို X-ray အမှုန့် diffraction analyzer (ဂျာမနီတွင် ထုတ်လုပ်သော D8 ADVANCE) ကို အသုံးပြု၍ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့ပြီး ပစ္စည်း၏ ဒြပ်စင်ဖွဲ့စည်းမှုကို energy spectrum analyzer ကို အသုံးပြု၍ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။ ရရှိလာသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို CR2032 မော်ဒယ်၏ button half-cell ပြုလုပ်ရန် အသုံးပြုခဲ့ပြီး ဆီလီကွန်-ကာဗွန်၏ mass ratio: SP: CNT: CMC: SBR သည် 92:2:2:1.5:2.5 ဖြစ်သည်။ တန်ပြန်လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် သတ္တုလီသီယမ်ပြားဖြစ်ပြီး၊ အီလက်ထရိုလိုက်သည် စီးပွားဖြစ် အီလက်ထရိုလိုက် (မော်ဒယ် ၁၉၀၁၊ ကိုရီးယားတွင် ထုတ်လုပ်သည်)၊ Celgard 2320 ဒိုင်ယာဖရမ်ကို အသုံးပြုထားပြီး၊ အားသွင်းနှင့် အားထုတ်လွှတ်ဗို့အားအပိုင်းအခြားမှာ 0.005-1.5 V ဖြစ်ပြီး၊ အားသွင်းနှင့် အားထုတ်လွှတ်လျှပ်စီးကြောင်းမှာ 0.1 C (1C = 1A) ဖြစ်ပြီး၊ အားထုတ်လွှတ်မှု ဖြတ်တောက်လျှပ်စီးကြောင်းမှာ 0.05 C ဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုစုံစမ်းစစ်ဆေးနိုင်ရန်အတွက်၊ လမိုင်းနိတ်ပါ ပျော့ပျောင်းသော ဘက်ထရီငယ် 408595 ကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ အပေါင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် NCM811 (ဟူနန်တွင် ထုတ်လုပ်သည်၊ ဘက်ထရီအဆင့်) ကိုအသုံးပြုပြီး အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း ဂရပ်ဖိုက်ကို 8% ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းဖြင့် ရောစပ်ထားသည်။ အပေါင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အရည်ပျော် ဖော်မြူလာမှာ 96% NCM811၊ 1.2% ပိုလီဗီနိုင်းလီဒင်း ဖလိုရိုက် (PVDF)၊ 2% လျှပ်ကူးပစ္စည်း SP၊ 0.8% CNT ဖြစ်ပြီး NMP ကို ပျံ့နှံ့စေသည့်အရာအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း အရည်ပျော် ဖော်မြူလာမှာ 96% ပေါင်းစပ် အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ 1.3% CMC၊ 1.5% SBR 1.2% CNT ဖြစ်ပြီး ရေကို ပျံ့နှံ့စေသည့်အရာအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ မွှေပြီးနောက်၊ အလွှာအုပ်ခြင်း၊ လိပ်ခြင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ အလွှာအုပ်ခြင်း၊ tab ဂဟေဆော်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်း၊ ဖုတ်ခြင်း၊ အရည်ထိုးသွင်းခြင်း၊ ဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့် စွမ်းရည်ခွဲဝေခြင်းပြီးနောက်၊ 3 Ah စွမ်းရည်ရှိသော လမိုင်းနိတ်ပါ ပျော့ပျောင်းသော ဘက်ထရီငယ် 408595 ကို ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C တို့၏ rate performance နှင့် 0.5C charge နှင့် 1C discharge ၏ cycle performance ကို စမ်းသပ်ခဲ့သည်။ charge နှင့် discharge voltage အကွာအဝေးမှာ 2.8-4.2 V ဖြစ်ပြီး၊ constant current နှင့် constant voltage charging ဖြစ်ပြီး၊ cut-off current မှာ 0.5C ဖြစ်သည်။
၂ ရလဒ်များနှင့် ဆွေးနွေးချက်
ကနဦး ဆီလီကွန်မှုန့်ကို စကင်န်ဖတ် အီလက်ထရွန် မိုက်ခရိုစကုပ် (SEM) ဖြင့် တွေ့ရှိခဲ့သည်။ ဆီလီကွန်မှုန့်သည် ပုံ ၁(က) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း 2μm ထက်နည်းသော အမှုန်အရွယ်အစားဖြင့် မညီမညာ အမှုန်အမွှားများ ရှိနေသည်။ ဘောလုံးကြိတ်ပြီးနောက် ဆီလီကွန်မှုန့်၏ အရွယ်အစားသည် 100 nm ခန့်အထိ သိသိသာသာ လျော့ကျသွားသည် [ပုံ ၁(ခ)]။ အမှုန်အရွယ်အစားစမ်းသပ်မှုက ဘောလုံးကြိတ်ပြီးနောက် ဆီလီကွန်မှုန့်၏ D50 သည် 110 nm နှင့် D90 သည် 175 nm ဖြစ်ကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ ဘောလုံးကြိတ်ပြီးနောက် ဆီလီကွန်မှုန့်၏ morphology ကို ဂရုတစိုက်စစ်ဆေးခြင်းဖြင့် flaky structure ကို ပြသသည် (flaky structure ၏ဖွဲ့စည်းခြင်းကို နောက်ပိုင်းတွင် cross-sectional SEM မှ ထပ်မံအတည်ပြုပါမည်)။ ထို့ကြောင့် အမှုန်အရွယ်အစားစမ်းသပ်မှုမှရရှိသော D90 အချက်အလက်သည် နာနိုစာရွက်၏ အလျားအတိုင်းအတာဖြစ်သင့်သည်။ SEM ရလဒ်များနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ ရရှိလာသော နာနိုစာရွက်၏ အရွယ်အစားသည် အနည်းဆုံး တစ်အတိုင်းအတာဖြင့် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားလျော့ခြင်းအတွင်း ဆီလီကွန်မှုန့် ကျိုးပဲ့ခြင်း၏ 150 nm ၏ အရေးပါသောတန်ဖိုးထက် သေးငယ်ကြောင်း ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ မညီမညာ ပုံသဏ္ဍာန်ဖွဲ့စည်းခြင်းသည် အဓိကအားဖြင့် ပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန်၏ ပုံဆောင်ခဲမျက်နှာပြင်များ၏ မတူညီသော ပြိုကွဲစွမ်းအင်များကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတို့အနက် ဆီလီကွန်၏ {111} မျက်နှာပြင်သည် {100} နှင့် {110} ပုံဆောင်ခဲမျက်နှာပြင်များထက် ပြိုကွဲစွမ်းအင်နည်းပါးသည်။ ထို့ကြောင့် ဤပုံဆောင်ခဲမျက်နှာပြင်သည် ဘောလုံးကြိတ်ခြင်းဖြင့် ပိုမိုပါးလွှာပြီး နောက်ဆုံးတွင် မညီမညာဖွဲ့စည်းပုံကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ မညီမညာဖွဲ့စည်းပုံသည် လျော့ရဲသောဖွဲ့စည်းပုံများ စုပုံလာစေရန် အထောက်အကူပြုပြီး ဆီလီကွန်၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် နေရာချန်ထားပေးပြီး ပစ္စည်း၏တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။
နာနို-ဆီလီကွန်၊ CNT နှင့် ဂရပ်ဖိုက်ပါဝင်သော အရည်ပျော်ရည်ကို ပက်ဖျန်းခဲ့ပြီး ပက်ဖျန်းခြင်းမပြုမီနှင့် ပက်ဖျန်းပြီးနောက် အမှုန့်ကို SEM ဖြင့် စစ်ဆေးခဲ့သည်။ ရလဒ်များကို ပုံ ၂ တွင် ပြသထားသည်။ ပက်ဖျန်းခြင်းမပြုမီ ထည့်ထားသော ဂရပ်ဖိုက် မက်ထရစ်သည် အရွယ်အစား ၅ မှ ၂၀ μm ရှိသော ပုံမှန်အလွှာဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည် [ပုံ ၂(က)]။ ဂရပ်ဖိုက်၏ အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှုစမ်းသပ်မှုက D50 သည် 15μm ရှိကြောင်း ပြသသည်။ ပက်ဖျန်းပြီးနောက် ရရှိသော အမှုန့်သည် ဂရပ်ဖိုက်ပုံသဏ္ဍာန်ရှိသည် [ပုံ ၂(ခ)]၊ ပက်ဖျန်းပြီးနောက် ဂရပ်ဖိုက်ကို အပေါ်ယံလွှာဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်ကို မြင်နိုင်သည်။ ပက်ဖျန်းပြီးနောက် အမှုန့်၏ D50 သည် 26.2 μm ဖြစ်သည်။ ဒုတိယအမှုန်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်ဝိသေသလက္ခဏာများကို SEM ဖြင့် လေ့လာတွေ့ရှိခဲ့ပြီး နာနိုပစ္စည်းများမှ စုဆောင်းထားသော လျော့ရဲသော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပြသထားသည် [ပုံ ၂(ဂ)]။ အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ဆီလီကွန် နာနိုစာရွက်များနှင့် အပြန်အလှန် ဆက်စပ်နေသော CNT များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည် [ပုံ ၂(ဃ)]၊ စမ်းသပ်မျက်နှာပြင်ဧရိယာ (BET) သည် 53.3 m2/g အထိ မြင့်မားသည်။ ထို့ကြောင့် ပက်ဖြန်းပြီးနောက် ဆီလီကွန် နာနိုချပ်များနှင့် CNT များသည် အပေါက်များသော ဖွဲ့စည်းပုံတစ်ခု ဖန်တီးရန် ၎င်းကိုယ်တိုင် စုစည်းသွားသည်။
အပေါက်များသောအလွှာကို အရည်ကာဗွန်အလွှာဖြင့် ကုသပြီး ကာဗွန်အလွှာကြိုတင်အလွှာနှင့် ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှုထည့်သွင်းပြီးနောက် SEM လေ့လာစောင့်ကြည့်မှုကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ရလဒ်များကို ပုံ ၃ တွင် ပြသထားသည်။ ကာဗွန်ကြိုတင်အလွှာပြုလုပ်ပြီးနောက် ဒုတိယအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်သည် ချောမွေ့လာပြီး သိသာထင်ရှားသော အလွှာတစ်ခုဖြင့် အလွှာပြုလုပ်ပြီး အလွှာပြီးမြောက်သွားသည်ကို ပုံ ၃(က) နှင့် (ခ) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်းဖြစ်သည်။ ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှုပြုလုပ်ပြီးနောက် မျက်နှာပြင်အလွှာသည် ကောင်းမွန်သော အလွှာအခြေအနေကို ထိန်းသိမ်းထားသည် [ပုံ ၃(ဂ)]။ ထို့အပြင်၊ ဖြတ်ပိုင်းပုံသဏ္ဍာန် SEM ပုံတွင် နာနိုစာရွက်များ၏ ရုပ်သွင်သွင်လက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီသော အစင်းပုံသဏ္ဍာန် နာနိုအမှုန်များကို ပြသထားသည် [ပုံ ၃(ဃ)]၊ ဘောလုံးကြိတ်ပြီးနောက် ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များ ဖွဲ့စည်းမှုကို ထပ်မံအတည်ပြုသည်။ ထို့အပြင် ပုံ ၃(ဃ) တွင် နာနိုစာရွက်အချို့ကြားတွင် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများရှိကြောင်း ပြသထားသည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် အရည်အဆင့်အလွှာပြုလုပ်ခြင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ကတ္တရာအရည်သည် ပစ္စည်းထဲသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်သွားသောကြောင့် အတွင်းပိုင်းဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များ၏ မျက်နှာပြင်သည် ကာဗွန်အလွှာကာကွယ်ပေးသည့်အလွှာကို ရရှိသည်။ ထို့ကြောင့် အရည်အဆင့်အပေါ်ယံလွှာကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဒုတိယအမှုန်အပေါ်ယံလွှာအာနိသင်ရရှိခြင်းအပြင် မူလအမှုန်အပေါ်ယံလွှာ၏ နှစ်ထပ်ကာဗွန်အပေါ်ယံလွှာအာနိသင်ကိုလည်း ရရှိနိုင်ပါသည်။ ကာဗွန်ဓာတ်ပါဝင်သောအမှုန့်ကို BET ဖြင့်စမ်းသပ်ခဲ့ပြီး စမ်းသပ်မှုရလဒ်မှာ 22.3 m2/g ဖြစ်သည်။
ကာဗွန်ဓာတ်ပြုထားသော အမှုန့်ကို cross-sectional energy spectrum analysis (EDS) ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး ရလဒ်များကို ပုံ ၄(က) တွင် ပြသထားသည်။ မိုက်ခရွန်အရွယ် အူတိုင်သည် ဂရပ်ဖိုက် မက်ထရစ်နှင့် ကိုက်ညီသော C အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး အပြင်ဘက်အလွှာတွင် ဆီလီကွန်နှင့် အောက်ဆီဂျင် ပါဝင်သည်။ ဆီလီကွန်၏ဖွဲ့စည်းပုံကို ပိုမိုစုံစမ်းစစ်ဆေးရန်အတွက် X-ray diffraction (XRD) စမ်းသပ်မှုကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး ရလဒ်များကို ပုံ ၄(ခ) တွင် ပြသထားသည်။ ပစ္စည်းကို အဓိကအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် single-crystal ဆီလီကွန်တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး သိသာထင်ရှားသော ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ် ဝိသေသလက္ခဏာများ မရှိဘဲ စွမ်းအင်ရောင်စဉ်စမ်းသပ်မှု၏ အောက်ဆီဂျင်အစိတ်အပိုင်းသည် ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်၏ သဘာဝဓာတ်တိုးခြင်းမှ အဓိကလာကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S1 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်း S1 ကို ခလုတ်အမျိုးအစား တစ်ဝက်ဆဲလ်ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အားသွင်း-အားထုတ်မှုစမ်းသပ်မှုများကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ပထမဆုံး အားသွင်း-အားထုတ်မှုမျဉ်းကွေးကို ပုံ ၅ တွင် ပြသထားသည်။ ပြောင်းပြန်လှန်နိုင်သော သီးခြားစွမ်းရည်မှာ 1000.8 mAh/g ဖြစ်ပြီး ပထမအကြိမ် စွမ်းဆောင်ရည်မှာ 93.9% အထိ မြင့်မားပြီး စာပေများတွင် ဖော်ပြထားသော pre-lithiation မပါဘဲ ဆီလီကွန်အခြေခံ ပစ္စည်းအများစု၏ ပထမဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ပထမအကြိမ် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်းက ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းတွင် တည်ငြိမ်မှု မြင့်မားကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုအပေါ် porous structure၊ conductive network နှင့် carbon coating တို့၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို အတည်ပြုရန်အတွက် ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပစ္စည်းနှစ်မျိုးကို CNT မထည့်ဘဲနှင့် primary carbon coating မထည့်ဘဲ ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။
CNT မထည့်သွင်းဘဲ ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှု အမှုန့်၏ ပုံသဏ္ဌာန်ကို ပုံ ၆ တွင် ပြသထားသည်။ အရည်အဆင့် အပေါ်ယံလွှာနှင့် ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှု ပြုလုပ်ပြီးနောက်၊ ပုံ ၆(က) ရှိ ဒုတိယအမှုန်များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပေါ်ယံလွှာကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်း မြင်နိုင်သည်။ ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှု ပစ္စည်း၏ ဖြတ်ပိုင်း SEM ကို ပုံ ၆(ခ) တွင် ပြသထားသည်။ ဆီလီကွန် နာနိုစာရွက်များ စုပုံခြင်းတွင် porous လက္ခဏာများရှိပြီး BET စမ်းသပ်မှုသည် 16.6 m2/g ဖြစ်သည်။ သို့သော် CNT နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက [ပုံ ၃(ဃ) တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း]၊ ၎င်း၏ ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှု အမှုန့်၏ BET စမ်းသပ်မှုသည် 22.3 m2/g]၊ အတွင်းပိုင်း နာနို-ဆီလီကွန် စုပုံခြင်း သိပ်သည်းဆမှာ ပိုမိုမြင့်မားပြီး CNT ထည့်သွင်းခြင်းသည် porous structure ဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ထို့အပြင်၊ ပစ္စည်းတွင် CNT မှ တည်ဆောက်ထားသော သုံးဖက်မြင် လျှပ်ကူးကွန်ရက် မရှိပါ။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S2 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
အစိုင်အခဲအဆင့်ကာဗွန်အလွှာဖြင့်ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ပုံသဏ္ဌာန်ဆိုင်ရာ ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပုံ ၇ တွင်ပြသထားသည်။ ကာဗွန်ဓာတ်ပြုပြီးနောက်၊ ပုံ ၇(က) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ထင်ရှားသော အလွှာတစ်ခုရှိသည်။ ပုံ ၇(ခ) တွင် ဖြတ်ပိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ရှိ နာနိုအမှုန်များရှိကြောင်းပြသထားပြီး ၎င်းသည် နာနိုချပ်များ၏ ပုံသဏ္ဌာန်ဆိုင်ရာ ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီသည်။ နာနိုချပ်များစုပုံခြင်းသည် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အတွင်းပိုင်းနာနိုချပ်များ၏ မျက်နှာပြင်တွင် ထင်ရှားသော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းမရှိပါ။ ၎င်းသည် အစိုင်အခဲအဆင့်ကာဗွန်အလွှာသည် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံရှိသော ကာဗွန်အလွှာကိုသာ ဖွဲ့စည်းပေးပြီး ဆီလီကွန်နာနိုချပ်များအတွက် အတွင်းပိုင်းအလွှာမရှိကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ ဤဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းကို S3 အဖြစ် မှတ်တမ်းတင်ထားသည်။
S2 နှင့် S3 တွင် button-type half-cell charge and discharge test ကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ S2 ၏ specific capacity နှင့် first efficiency အသီးသီးမှာ 1120.2 mAh/g နှင့် 84.8% ဖြစ်ပြီး S3 ၏ specific capacity နှင့် first efficiency မှာ 882.5 mAh/g နှင့် 82.9% အသီးသီးဖြစ်သည်။ solid-phase coated S3 နမူနာ၏ specific capacity နှင့် first efficiency မှာ အနိမ့်ဆုံးဖြစ်ပြီး porous structure ၏ carbon coating ကိုသာ ပြုလုပ်ခဲ့ကြောင်း ညွှန်ပြပြီး internal silicon nanosheets ၏ carbon coating ကို မပြုလုပ်ခဲ့ကြောင်း ညွှန်ပြပြီး silicon-based ပစ္စည်း၏ specific capacity ကို အပြည့်အဝ မစွမ်းဆောင်နိုင်ဘဲ silicon-based ပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ကို မကာကွယ်နိုင်ပါ။ CNT မပါသော S2 နမူနာ၏ first efficiency သည် CNT ပါဝင်သော silicon-carbon composite ပစ္စည်းထက်လည်း နိမ့်ကျပြီး coating layer ကောင်းမွန်သောအပေါ် အခြေခံ၍ conductive network နှင့် porous structure မြင့်မားခြင်းသည် silicon-carbon ပစ္စည်း၏ charge and discharge efficiency တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေရန် အထောက်အကူပြုကြောင်း ညွှန်ပြသည်။
S1 ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းကို ပျော့ပျောင်းသောအထုပ်အပြည့်ဘက်ထရီငယ်တစ်ခုပြုလုပ်ရန်အသုံးပြုခဲ့ပြီး နှုန်းထားစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကိုစစ်ဆေးခဲ့သည်။ အားထုတ်လွှတ်မှုနှုန်းကွေးကို ပုံ ၈(က) တွင်ပြထားသည်။ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C တို့၏ အားထုတ်လွှတ်စွမ်းရည်များမှာ အသီးသီး 2.970၊ 2.999၊ 2.920၊ 2.176 နှင့် 1.021 Ah တို့ဖြစ်သည်။ 1C အားထုတ်လွှတ်မှုနှုန်းမှာ 98.3% အထိမြင့်မားသော်လည်း 2C အားထုတ်လွှတ်မှုနှုန်းမှာ 73.3% အထိကျဆင်းသွားပြီး 3C အားထုတ်လွှတ်မှုနှုန်းမှာ 34.4% အထိထပ်မံကျဆင်းသွားသည်။ ဆီလီကွန်အနုတ်လက္ခဏာလျှပ်ကူးပစ္စည်းလဲလှယ်အဖွဲ့သို့ဝင်ရောက်ရန် WeChat: shimobang ကိုထည့်ပါ။ အားသွင်းနှုန်းအရ 0.2C၊ 0.5C၊ 1C၊ 2C နှင့် 3C အားသွင်းစွမ်းရည်များမှာ အသီးသီး 3.186၊ 3.182၊ 3.081၊ 2.686 နှင့် 2.289 Ah တို့ဖြစ်သည်။ 1C အားသွင်းနှုန်းမှာ 96.7% ရှိပြီး 2C အားသွင်းနှုန်းမှာ 84.3% အထိ ရောက်ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။ သို့သော် ပုံ 8(ခ) ရှိ အားသွင်းကွေးကို လေ့လာကြည့်လျှင် 2C အားသွင်းပလက်ဖောင်းသည် 1C အားသွင်းပလက်ဖောင်းထက် သိသိသာသာ ပိုကြီးပြီး ၎င်း၏ စဉ်ဆက်မပြတ်ဗို့အား အားသွင်းစွမ်းရည်သည် အများစု (55%) ဖြစ်ပြီး 2C အားပြန်သွင်းနိုင်သော ဘက်ထရီ၏ ပိုလာရိုက်ဇေးရှင်းသည် အလွန်ကြီးမားနေပြီဟု ညွှန်ပြသည်။ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းသည် 1C တွင် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားလျော့ခြင်းစွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန်သော်လည်း မြင့်မားသောနှုန်းထားစွမ်းဆောင်ရည်ရရှိရန် ပစ္စည်း၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပုံ 9 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း 450 ကြိမ်လည်ပတ်ပြီးနောက် စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှုနှုန်းမှာ 78% ရှိပြီး ကောင်းမွန်သော လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသနေသည်။
သံသရာမလည်ပတ်မီနှင့် လည်ပတ်ပြီးနောက် အီလက်ထရုတ်၏ မျက်နှာပြင်အခြေအနေကို SEM ဖြင့် စုံစမ်းစစ်ဆေးခဲ့ပြီး ရလဒ်များကို ပုံ ၁၀ တွင် ပြသထားသည်။ သံသရာမလည်ပတ်မီ ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်သည် ရှင်းလင်းပါသည် [ပုံ ၁၀(က)]။ သံသရာလည်ပတ်ပြီးနောက် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပေါ်ယံလွှာတစ်ခု ထွက်ပေါ်လာသည် [ပုံ ၁၀(ခ)]၊ ၎င်းသည် ထူထဲသော SEI ဖလင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ SEI ဖလင်ကြမ်းတမ်းမှု တက်ကြွသော လီသီယမ်သုံးစွဲမှု မြင့်မားပြီး ၎င်းသည် သံသရာစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အထောက်အကူမပြုပါ။ ထို့ကြောင့် ချောမွေ့သော SEI ဖလင်ဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ခြင်း (ဥပမာ အတု SEI ဖလင်တည်ဆောက်ခြင်း၊ သင့်လျော်သော အီလက်ထရိုလိုက် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ ထည့်သွင်းခြင်း စသည်) သည် သံသရာစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။ သံသရာလည်ပတ်ပြီးနောက် ဆီလီကွန်-ကာဗွန် အမှုန်များ၏ ဖြတ်ပိုင်း SEM လေ့လာတွေ့ရှိချက် [ပုံ ၁၀(ဂ)] သည် မူရင်း အစင်းပုံသဏ္ဌာန် ဆီလီကွန် နာနိုအမှုန်များသည် ပိုမိုကြမ်းတမ်းလာပြီး အပေါက်ငယ်ဖွဲ့စည်းပုံကို အခြေခံအားဖြင့် ဖယ်ရှားလိုက်ကြောင်း ပြသသည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် သံသရာလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပစ္စည်း၏ စဉ်ဆက်မပြတ် ထုထည်ချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့် ကျုံ့ခြင်းကြောင့် ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ ပစ္စည်း၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် လုံလောက်သော ဘာဖာနေရာ ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အပေါက်ငယ်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပိုမိုမြှင့်တင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
၃။ နိဂုံးချုပ်
ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှု၊ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းညံ့ဖျင်းခြင်းနှင့် မျက်နှာပြင်တည်ငြိမ်မှုညံ့ဖျင်းခြင်းတို့ကို အခြေခံ၍ ဤစာတမ်းသည် ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်ပုံသွင်းခြင်း၊ အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံတည်ဆောက်ခြင်း၊ လျှပ်ကူးကွန်ရက်တည်ဆောက်ခြင်းနှင့် ဒုတိယအမှုန်တစ်ခုလုံး၏ ကာဗွန်ဖြင့်ဖုံးအုပ်ခြင်းမှစ၍ ဆီလီကွန်အခြေခံ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် ရည်ရွယ်ထားသောတိုးတက်မှုများကို ပြုလုပ်ထားသည်။ ဆီလီကွန်နာနိုစာရွက်များစုပုံခြင်းသည် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံကို ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ CNT ကိုမိတ်ဆက်ခြင်းသည် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံဖွဲ့စည်းမှုကို ပိုမိုမြှင့်တင်ပေးလိမ့်မည်။ အရည်အဆင့်ဖုံးအုပ်ခြင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းသည် အစိုင်အခဲအဆင့်ဖုံးအုပ်ခြင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသောပစ္စည်းထက် နှစ်ထပ်ကာဗွန်ဖုံးအုပ်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိပြီး ပိုမိုမြင့်မားသော သီးခြားစွမ်းရည်နှင့် ပထမထိရောက်မှုကို ပြသသည်။ ထို့အပြင်၊ CNT ပါဝင်သော ဆီလီကွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ ပထမထိရောက်မှုသည် CNT မပါဝင်သည့်ပစ္စည်းထက် ပိုမိုမြင့်မားပြီး ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကို သက်သာစေရန် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံ၏ စွမ်းရည်မြင့်မားမှုကြောင့်ဖြစ်သည်။ CNT ကိုမိတ်ဆက်ခြင်းသည် သုံးဖက်မြင်လျှပ်ကူးကွန်ရက်ကို တည်ဆောက်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး 1C တွင် ကောင်းမွန်သောနှုန်းထားစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသမည်ဖြစ်သည်။ ပစ္စည်းသည် ကောင်းမွန်သောစက်ဝန်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသသည်။ သို့သော် ဆီလီကွန်၏ ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုအတွက် လုံလောက်သော buffer space ပေးစွမ်းရန်နှင့် ချောမွေ့သောဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ပစ္စည်း၏ porous structure ကို ပိုမိုအားကောင်းစေရန် လိုအပ်ပါသည်။ဆီလီကွန်-ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်း၏ သံသရာစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန်နှင့် သိပ်သည်းသော SEI အလွှာ။
ကျွန်ုပ်တို့သည် အောက်ဆီဒေးရှင်း၊ ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူပေးခြင်းကဲ့သို့သော wafer လုပ်ဆောင်မှုများ၌ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်ကုန်များကိုလည်း ထောက်ပံ့ပေးပါသည်။
ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ မည်သည့်ဖောက်သည်မဆို နောက်ထပ်ဆွေးနွေးမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ လာရောက်လည်ပတ်ရန် ကြိုဆိုပါတယ်။
https://www.vet-china.com/
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ နိုဝင်ဘာလ ၁၃ ရက်