SiC coating ဂရပ်ဖိုက် MOCVD Wafer သယ်ဆောင်သူများ၊ SiC Epitaxy အတွက် Graphite Susceptors

SiC coating ဂရပ်ဖိုက် MOCVD Wafer သယ်ဆောင်သူများ၊ SiC Epitaxy အထူးအသားပေးပုံအတွက် Graphite Susceptors

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

Semiconductor အသုံးချမှုများအတွက် Graphite အလွှာ၏ SiC coating သည် သာလွန်သန့်စင်မှုနှင့် oxidizing လေထုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော အစိတ်အပိုင်းကို ထုတ်လုပ်သည်။ CVD SiC သို့မဟုတ် CVI SiC ကို ရိုးရှင်းသော သို့မဟုတ် ရှုပ်ထွေးသော ဒီဇိုင်းအစိတ်အပိုင်းများ၏ Graphite တွင် အသုံးချသည်။ Coating ကို အမျိုးမျိုးသော အထူနှင့် အလွန်ကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

မူလနေရာ-Zhejiang၊ တရုတ် (ပြည်မ)

မော်ဒယ်နံပါတ်-မော်ဒယ်နံပါတ်-

ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု-SiC coated ဂရပ်ဖိုက်

Flexural strength-470 Mpa

အပူလျှပ်ကူးမှု-300 W/mK

အရည်အသွေး-ပြီးပြည့်စုံတယ်။

လုပ်ဆောင်ချက်-CVD-SiC

လျှောက်လွှာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း/Photovoltaic

သိပ်သည်းဆ-3.21 g/cc

အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း-4 10-6/K

ပြာ <5ppm

နမူနာ-ရနိုင်သည်။

HS ကုဒ်-၆၉၀၃၁၀၀၀၀၀၀

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

SiC coating graphite MOCVD Wafer carriers, Graphite Susceptors များSiC Epitaxy,
ကာဗွန်ကို စုပ်ယူသည်။, Graphite epitaxy susceptors, Graphite အလွှာများကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။, MOCVD Susceptor, SiC Epitaxy, Wafer Susceptors,

ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC-coated graphite susceptors များ၏ အထူးအားသာချက်များမှာ အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ တစ်သားတည်းဖြစ်တည်နေသောအပေါ်ယံပိုင်းနှင့် ကောင်းမွန်သောဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့တွင် မြင့်မားသော ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် အပူတည်ငြိမ်မှု ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။

Semiconductor အသုံးချမှုများအတွက် Graphite အလွှာ၏ SiC coating သည် သာလွန်သန့်စင်မှုနှင့် oxidizing လေထုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော အစိတ်အပိုင်းကို ထုတ်လုပ်သည်။
CVD SiC သို့မဟုတ် CVI SiC ကို ရိုးရှင်းသော သို့မဟုတ် ရှုပ်ထွေးသော ဒီဇိုင်းအစိတ်အပိုင်းများ၏ Graphite တွင် အသုံးချသည်။ Coating ကို အမျိုးမျိုးသော အထူနှင့် အလွန်ကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

SiC coating/coated MOCVD Susceptor

အင်္ဂါရပ်များ:
· အထူးကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
· အထူးကောင်းမွန်သော Physical Shock Resistance
· အထူးကောင်းမွန်သော ဓာတုခုခံမှု
· အလွန်မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု
· ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်တွင် ရရှိနိုင်မှု
· Oxidizing Atmosphere အောက်တွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

လျှောက်လွှာ

Base Graphite Material ၏ ပုံမှန်ဂုဏ်သတ္တိများ

ထင်ရှားသိပ်သည်းမှု-	1.85 g/cm3
လျှပ်စစ်ခုခံနိုင်မှု-	11 μΩm
Flexural Strength-	49 MPa (500kgf/cm2)
ကမ်းခြေမာကျောမှု-	58
ပြာ	<5ppm
အပူလျှပ်ကူးမှု-	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

ကာဗွန်ကို စုပ်ယူသည်။လက်ရှိ epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုအားလုံးအတွက် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ။ ကျွန်ုပ်တို့၏အစုစုတွင် အသုံးချပြီး LPE ယူနစ်များအတွက် စည်ခံကိရိယာများ၊ LPE၊ CSD၊ နှင့် Gemini ယူနစ်များအတွက် ပန်ကိတ်ခံပစ္စည်းများ၊ နှင့် ASM ယူနစ်များအတွက် single-wafer susceptors များ ပါဝင်သည်။ ဦးဆောင် OEMs၊ ပစ္စည်းများကျွမ်းကျင်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ အသိပညာတို့ကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် SGL သည် သင့်လျှောက်လွှာအတွက် အကောင်းဆုံးဒီဇိုင်းကို ပေးဆောင်ပါသည်။