Części epitaksjalne Si

Komponenty powlekane CVD SiC do epitaksji krzemu (Si Epi)

Precyzyjnie zaprojektowane dla systemów epitaksjalnego osadzania krzemu na pojedynczych płytkach i wsadach, nasze susceptory z powłoką CVD SiC, dyski satelitarne i komponenty pola termicznego zapewniają wyjątkową jednorodność termiczną i zerowe odgazowywanie. Warstwa powłoki sześciennej β-SiC o wysokiej gęstości całkowicie otacza podłoże grafitowe o wysokiej czystości, zapobiegając reaktywnemu trawieniu gazowemu (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) i gwarantując ultraniski poziom zanieczyszczeń metalicznych (<5 ppm) podczas wysokotemperaturowego przetwarzania Si Epi (1000°C - 1200°C).

Jednorodność pola termicznego

Kontrolowana emisyjność zapewnia precyzyjną, spójną grubość warstwy na całej powierzchni płytki.

Odporność na trawienie HCl

Zapewnia solidną ochronę przed środkami chemicznymi stosowanymi do czyszczenia komory oraz szokami termicznymi.

Zgodność z systemem OEM

Precyzyjna obróbka CNC pasująca do popularnych narzędzi Epi o pojedynczej płytce o średnicy 200 mm/300 mm (Applied Materials, ASM).

Parametry techniczne	Wartość specyfikacji	Standard / Metoda testowa
Materiał powłokowy	CVD β-SiC (faza sześcienna)	Struktura krystaliczna o wysokiej gęstości
Materiał podłoża	Ultraczysty grafit izostatyczny	Gęstość: 1,82 - 1,88 g/cm³
Czystość chemiczna	Całkowita zawartość zanieczyszczeń < 5 ppm	Przetestowano w GDMS
Grubość powłoki	80 μm - 150 μm	Jednorodność ≤ ±5%