Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC, susceptores de grafite paraEpitaxia de SiC,
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As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

O revestimento de SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidante

Aplicativo:

Propriedades típicas do material de grafite base:

O carbono fornece susceptorese componentes de grafite para todos os reatores epitaxiais atuais. Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores de panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Combinando sólidas parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o projeto ideal para sua aplicação.