Com a portador de hòsties de silici normals en el procés de producció de recobriment, elvaixell de grafitté moltes hòsties de vaixell amb un cert interval a l'estructura, i hi ha un espai molt estret entre dues hòsties de vaixell adjacents, i les hòsties de silici es col·loquen a banda i banda de la porta buida.
Com que el grafit, el material del vaixell de grafit, té una bona conductivitat i conductivitat tèrmica, s'aplica una tensió de CA entre dos vaixells adjacents per formar elèctrodes positius i negatius.Quan hi ha una certa pressió d'aire i gas a la cambra, es produeix una descàrrega brillant entre els dos vaixells.La descàrrega brillant pot descompondre el gas SiH4 i NH3 a l'espai, formar ions Si i N i combinar-se per formar molècules de SiNx. Es diposita a la superfície de l'hòstia de silici per aconseguir el propòsit del recobriment.
Com a portador del recobriment antireflex de cèl·lules solars, l'estructura i la mida del vaixell de grafit afecten directament l'eficiència de conversió i l'eficiència de producció de l'hòstia de silici.Després d'anys d'investigació i desenvolupament tècnics, la nostra empresa compta ara amb equips de producció avançats, dissenyadors de tecnologia madurs i personal de producció experimentat, i els materials són matèries primeres importades.Actualment, el vaixell de grafit fabricat per la nostra empresa té els avantatges d'una alta eficiència. L'estructura és senzilla i la distància entre el vaixell de grafit és raonable, cosa que fa que el recobriment de l'hòstia de silici sigui uniforme, millora la qualitat de l'hòstia de silici i fa que l'eficiència de conversió d'energia solar alta.L'empresa Shijin té tot tipus de vaixells de tinta que el mercat necessita ara
Hora de publicació: 08-abril-2021