Bandexa de follas epitaxiales de carburo de silicio para forno epitaxial de semicondutores

Bandexa de láminas epitaxiales de carburo de silicio para forno epitaxial de semicondutores Imaxe destacada

Descrición curta:

A bandexa de láminas epitaxiales de carburo de silicio de VET Energy é un produto de alto rendemento deseñado para proporcionar un rendemento consistente e fiable durante un período prolongado. Ten unha resistencia á calor e uniformidade térmica moi boas, alta pureza e resistencia á erosión, o que a converte na solución perfecta para aplicacións de procesamento de obleas.

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalle do produto

Etiquetas do produto

A bandexa de follas de carburo de silicio é un compoñente clave empregado en varios procesos de fabricación de semicondutores. Empregamos a nosa tecnoloxía patentada para fabricar a bandexa de follas de carburo de silicio cunha pureza extremadamente alta, boa uniformidade de revestimento e unha excelente vida útil, así como propiedades de alta resistencia química e estabilidade térmica.

VET Energy é o fabricante real de produtos personalizados de grafito e carburo de silicio con diferentes revestimentos como SiC, Tac, carbono pirolítico, carbono vítreo, etc., e pode subministrar diversas pezas personalizadas para a industria de semicondutores e fotovoltaica. O noso equipo técnico provén das principais institucións de investigación nacionais e pode proporcionarlle solucións de materiais máis profesionais.

Desenvolvemos continuamente procesos avanzados para ofrecer materiais máis avanzados e elaboramos unha tecnoloxía patentada exclusiva que pode facer que a unión entre o revestimento e o substrato sexa máis axustada e menos propensa ao desprendemento.

Características dos nosos produtos:

1. Resistencia á oxidación a altas temperaturas ata 1700 ℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistencia á corrosión: ácidos, álcalis, sales e reactivos orgánicos.
4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e máis duradeiro

ECV SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas do SiC por CVDrevestimento
性质 / Propiedade	典型数值 / Valor típico
晶体结构 / Estrutura cristalina	Fase β da FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Densidade	3,21 g/cm³
硬度 / Dureza	2500 维氏硬度（500g de carga）
晶粒大小 Tamaño do gran	2~10 μm
纯度 / Pureza química	99,99995%
热容 / Capacidade calorífica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 Temperatura de sublimación	2700 ℃
抗弯强度 / Resistencia á flexión	415 MPa RT de 4 puntos
杨氏模量 / Módulo de Young	Curva de 4 puntos de 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 / TermalCondutividade	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Expansión térmica (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1