Bak voor epitaxiale siliciumcarbideplaten voor halfgeleider-epitaxiale ovens

Korte beschrijving:

De VET Energy Silicon Carbide Epitaxial Sheet Tray is een hoogwaardig product dat is ontworpen om gedurende een langere periode consistente en betrouwbare prestaties te leveren. Het heeft een uitstekende hittebestendigheid en thermische uniformiteit, een hoge zuiverheid en erosiebestendigheid, waardoor het de perfecte oplossing is voor toepassingen in de waferverwerking.

Stuur ons een e-mail. Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

De siliciumcarbide plaat is een essentieel onderdeel van diverse halfgeleiderproductieprocessen. Met behulp van onze gepatenteerde technologie produceren we siliciumcarbide platen met een extreem hoge zuiverheid, een goede coatinguniformiteit en een uitstekende levensduur, evenals een hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.

VET Energy is dé fabrikant van op maat gemaakte grafiet- en siliciumcarbideproducten met diverse coatings zoals SiC, Tac, pyrolytisch koolstof, glasachtig koolstof, enz. Wij kunnen diverse op maat gemaakte onderdelen leveren voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie. Ons technische team is afkomstig van vooraanstaande binnenlandse onderzoeksinstellingen en kan u professionele materiaaloplossingen bieden.

We ontwikkelen voortdurend geavanceerde processen om steeds betere materialen te leveren en hebben een exclusieve, gepatenteerde technologie ontwikkeld die de hechting tussen de coating en het substraat sterker maakt en de kans op loslaten verkleint.

Kenmerken van onze producten:

1. Bestand tegen oxidatie bij hoge temperaturen tot 1700℃.
2. Hoge zuiverheid en thermische uniformiteit
3. Uitstekende corrosiebestendigheid: bestand tegen zuren, basen, zouten en organische reagentia.
4. Hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
5. Langere levensduur en duurzamer

Hart- en vaatziekten SiC薄膜基本物理性能 Basis fysische eigenschappen van CVD SiCcoating
性质 / Eigendom	典型数值 / Typische waarde
Ik denk dat dit het geval is / Kristalstructuur	FCC β-fase多晶，主要为（111）取向
密度 / Dikte	3,21 g/cm³
硬度 / Hardheid	2500 维氏硬度(500g belasting)
晶粒大小 / Korrelgrootte	2~10 μm
纯度 / Chemische zuiverheid	99,99995%
热容 / Warmtecapaciteit	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatietemperatuur	2700℃
Geen probleem / Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
杨氏模量 / Young's modulus	430 GPA 4-punts buiging, 1300℃
导热系数 / ThermalGeleidbaarheid	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermische uitzetting (CTE)	4,5×10^-6K^-1