Bandeja de folha epitaxial de carboneto de silício para forno epitaxial de semicondutores

Bandeja de Folhas Epitaxiais de Carboneto de Silício para Forno Epitaxial de Semicondutores (Imagem em Destaque)

Descrição curta:

A Bandeja Epitaxial de Carboneto de Silício VET Energy é um produto de alto desempenho projetado para proporcionar desempenho consistente e confiável por um longo período. Possui excelente resistência ao calor e uniformidade térmica, alta pureza e resistência à erosão, tornando-a a solução perfeita para aplicações de processamento de wafers.

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Detalhes do produto

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A bandeja de carboneto de silício é um componente essencial utilizado em diversos processos de fabricação de semicondutores. Utilizamos nossa tecnologia patenteada para fabricar a bandeja de carboneto de silício com altíssima pureza, boa uniformidade de revestimento e excelente vida útil, além de alta resistência química e estabilidade térmica.

A VET Energy é a verdadeira fabricante de produtos personalizados de grafite e carboneto de silício com diferentes revestimentos, como SiC, Tac, carbono pirolítico, carbono vítreo, etc., podendo fornecer diversas peças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. Nossa equipe técnica é formada por renomadas instituições de pesquisa nacionais e pode fornecer soluções de materiais mais profissionais para você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais avançados e desenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva, que pode tornar a ligação entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa ao descolamento.

Características dos nossos produtos:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas de até 1700℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e maior durabilidade

DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento
性质 / Propriedade	典型数值 / Valor típico
晶体结构 / Estrutura Cristalina	Fase β da FCC多晶, 主要为（111）取向
密度 / Densidade	3,21 g/cm³
硬度 / Dureza	2500 unidades (carga de 500g)
晶粒大小 / Tamanho do grão	2~10μm
纯度 / Pureza Química	99,99995%
热容 / Capacidade de Calor	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura de Sublimação	2700℃
抗弯强度 / Resistência à flexão	415 MPa RT 4 pontos
杨氏模量 / Módulo de Young	430 Gpa 4pt curva, 1300℃
导热系数 / TermaeuCondutividade	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1