Bandeja para folhas epitaxiais de carbeto de silício para forno epitaxial de semicondutores

Bandeja para folhas epitaxiais de carboneto de silício para forno epitaxial de semicondutores (Imagem em destaque)

Descrição resumida:

A bandeja de folhas epitaxiais de carbeto de silício da VET Energy é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um longo período. Possui excelente resistência ao calor e uniformidade térmica, alta pureza e resistência à erosão, tornando-a a solução perfeita para aplicações de processamento de wafers.

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Detalhes do produto

Etiquetas do produto

A bandeja de chapas de carbeto de silício é um componente essencial utilizado em diversos processos de fabricação de semicondutores. Utilizamos nossa tecnologia patenteada para produzir bandejas de chapas de carbeto de silício com altíssima pureza, excelente uniformidade de revestimento, longa vida útil, alta resistência química e estabilidade térmica.

A VET Energy é uma fabricante de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com diferentes revestimentos, como SiC, Tac, carbono pirolítico, carbono vítreo, etc., e pode fornecer diversas peças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. Nossa equipe técnica é formada por profissionais de renomadas instituições de pesquisa nacionais, aptos a oferecer soluções de materiais mais profissionais para você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados e criamos uma tecnologia patenteada exclusiva que torna a adesão entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa a desprendimento.

Características dos nossos produtos:

1. Alta resistência à oxidação em temperaturas de até 1700℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durabilidade

DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento
性质 / Propriedade	典型数值 Valor típico
晶体结构 / Estrutura Cristalina	Fase β do FCC多晶, 主要为（111）取向
密度 / Densidade	3,21 g/cm³
硬度 / Dureza	2500 unidades (carga de 500g)
晶粒大小 / Tamanho do Grão	2~10μm
纯度 / Pureza Química	99,99995%
热容 Capacidade térmica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 Temperatura de sublimação	2700℃
抗弯强度 / Resistência à Flexão	415 MPa RT 4 pontos
杨氏模量 Módulo de Young	430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C
导热系数 / TermalCondutividade	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1