ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃក្រាហ្វីតនីយកម្ម

ដោយសារតែភាពធន់នៃឡដុតក្រាហ្វីតាស៊ីស្យុងមានទំហំតូច ជាពិសេសនៅដំណាក់កាលក្រោយនៃការបញ្ជូនថាមពល ភាពធន់នៃឡដុតកាន់តែតូច ហើយការធ្លាក់ចុះសម្ពាធនៃសំណាញ់ខ្លីកើនឡើង ដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនៃការបាត់បង់ថាមពល។ ដូច្នេះ ថាតើឡដុតក្រាហ្វីតាស៊ីស្យុងអាចដំណើរការបានដោយសុវត្ថិភាព និងសន្សំសំចៃឬអត់ មានទំនាក់ទំនងជិតស្និទ្ធជាមួយនឹងលក្ខណៈនៃសំណាញ់ខ្លី។
គោលការណ៍ជាមូលដ្ឋានបំផុតគឺកាត់បន្ថយភាពធន់នៃសំណាញ់ខ្លី ហើយរក្សាសំណាញ់ខ្លីទាំងមូលជាមួយនឹងការធ្លាក់ចុះសម្ពាធតិចតួច។ មានទំនាក់ទំនងផ្សេងៗគ្នានៅក្នុងសំណាញ់ខ្លីនៃឡដុតក្រាហ្វីត។ ប្រសិនបើមានទំនាក់ទំនងរវាងអេឡិចត្រូតដែលដឹកនាំ និងប៊ូសស្ពាន់ ទំនាក់ទំនងរវាងប៊ូសទន់ស្ពាន់ និងប៊ូសអាលុយមីញ៉ូម ទំនាក់ទំនងរវាងប៊ូសអាលុយមីញ៉ូម។ល។ ទំនាក់ទំនងទាំងនេះនឹងបង្កើតភាពធន់នឹងទំនាក់ទំនង ដែលប៉ះពាល់ដល់លក្ខណៈនៃសំណាញ់ខ្លីទាំងមូល។ ភាពធន់នៃទំនាក់ទំនងរបស់ចំហាយដែលមានចំណុចតភ្ជាប់មិនត្រឹមតែអាស្រ័យលើលក្ខណៈនៃសម្ភារៈប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែថែមទាំងអាស្រ័យលើផ្ទៃទំនាក់ទំនង និងសម្ពាធទំនាក់ទំនងនៅពេលភ្ជាប់ទំនាក់ទំនងផងដែរ។ សម្រាប់ហេតុផលនេះ មូលដ្ឋានគ្រឹះបំផុតនៅពេលភ្ជាប់ប៊ូសបារគឺ៖ ការប៉ូលាគឺតឹង។
តារាងទី 3-3 ភាពធន់នឹងការប៉ះនៃក្រាហ្វីត 1cm2 និងលោហៈ 1cm2

压力	石墨–石墨µΩ	石墨—铜µΩ	石墨—铝µΩ
០.២	70	១០០	៦០០០
០.៥	40	70	២៦០០
1	25	50	១៣០០
2	14	32	៥០០
4	៧.៥	16