SiC लेपित ग्रॅफाइट ससेप्टर हा विविध सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियांमध्ये वापरला जाणारा एक महत्त्वाचा घटक आहे. आम्ही आमच्या पेटंट केलेल्या तंत्रज्ञानाचा वापर करून अत्यंत उच्च शुद्धता, उत्तम लेपन एकसमानता आणि उत्कृष्ट सेवा आयुष्य असलेला, तसेच उच्च रासायनिक प्रतिकारशक्ती आणि औष्णिक स्थिरता गुणधर्म असलेला ससेप्टर बनवतो.
आमच्या उत्पादनांची वैशिष्ट्ये:
१. १७००℃ पर्यंत उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध.
२. उच्च शुद्धता आणि औष्णिक एकसमानता
३. उत्कृष्ट क्षरण प्रतिरोध: आम्ल, अल्कली, क्षार आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
४. उच्च कठीणपणा, घट्ट पृष्ठभाग, बारीक कण.
५. जास्त सेवाकाळ आणि अधिक टिकाऊ
| सीव्हीडी SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC चे मूलभूत भौतिक गुणधर्मकोटिंग | |
| 性质 / मालमत्ता | 典型数值 / ठराविक मूल्य |
| 晶体结构 / स्फटिक रचना | एफसीसी β फेज多晶, 主要为 (111）取向 |
| 密度 घनता | ३.२१ ग्रॅम/सेमी³ |
| 硬度 कठोरता | 2500 维氏硬度（500g लोड） |
| 晶粒大小 धान्याचा आकार | २~१० मायक्रॉन |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | ९९.९९९९५% |
| 热容 / उष्णता क्षमता | ६४० जूल·किलो-1·के-1 |
| 升华温度 / ऊर्ध्वपातन तापमान | २७००℃ |
| 抗弯强度 वाकण्याची ताकद | ४१५ एमपीए आरटी ४-पॉइंट |
| 杨氏模量 यंगचा मापांक | ४३० जीपीए ४-पॉइंट बेंड, १३००℃ |
| 导热系数 / थेरमाएलचालकता | ३०० वॅट·मीटर-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / औष्णिक प्रसरण (सीटीई) | ४.५×१०-6K-1 |
व्हीईटी एनर्जी ही एसआयसी कोटिंग, टीएसी कोटिंग, ग्लासी कार्बन कोटिंग, पायरोलिटिक कार्बन कोटिंग इत्यादींसारख्या विविध कोटिंग्जसह सानुकूलित ग्राफाइट आणि सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादनांची खरी उत्पादक असून, सेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक उद्योगासाठी विविध सानुकूलित भागांचा पुरवठा करू शकते.
आमची तांत्रिक टीम देशातील नामांकित संशोधन संस्थांमधून आलेली असून, ती तुम्हाला अधिक व्यावसायिक सामग्रीचे उपाय देऊ शकते.
आम्ही अधिक प्रगत सामग्री पुरवण्यासाठी प्रगत प्रक्रिया सातत्याने विकसित करतो आणि एक विशेष पेटंट केलेले तंत्रज्ञान विकसित केले आहे, जे कोटिंग आणि सब्सट्रेटमधील बंधन अधिक घट्ट आणि सुटण्याची शक्यता कमी करते.
आमच्या कारखान्याला भेट देण्यासाठी तुमचे मनःपूर्वक स्वागत आहे, चला पुढील चर्चा करूया!
