Pemendapan wap kimia(CVD)merupakan teknologi yang paling banyak digunakan dalam industri semikonduktor untuk memendapkan pelbagai bahan, termasuk pelbagai jenis bahan penebat, kebanyakan bahan logam dan bahan aloi logam.
CVD ialah teknologi penyediaan filem nipis tradisional. Prinsipnya adalah menggunakan prekursor gas untuk menguraikan komponen tertentu dalam prekursor melalui tindak balas kimia antara atom dan molekul, dan kemudian membentuk filem nipis pada substrat. Ciri-ciri asas CVD ialah: perubahan kimia (tindak balas kimia atau penguraian terma); semua bahan dalam filem berasal dari sumber luaran; bahan tindak balas mesti mengambil bahagian dalam tindak balas dalam bentuk fasa gas.
Pemendapan wap kimia tekanan rendah (LPCVD), pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD) dan pemendapan wap kimia plasma ketumpatan tinggi (HDP-CVD) adalah tiga teknologi CVD biasa, yang mempunyai perbezaan ketara dalam pemendapan bahan, keperluan peralatan, keadaan proses, dan sebagainya. Berikut ialah penjelasan dan perbandingan ringkas bagi ketiga-tiga teknologi ini.
1. LPCVD (CVD Tekanan Rendah)
Prinsip: Proses CVD di bawah keadaan tekanan rendah. Prinsipnya adalah untuk menyuntik gas tindak balas ke dalam ruang tindak balas di bawah vakum atau persekitaran tekanan rendah, menguraikan atau bertindak balas gas dengan suhu tinggi, dan membentuk filem pepejal yang termendap pada permukaan substrat. Oleh kerana tekanan rendah mengurangkan perlanggaran dan pergolakan gas, keseragaman dan kualiti filem dipertingkatkan. LPCVD digunakan secara meluas dalam silikon dioksida (LTO TEOS), silikon nitrida (Si3N4), polisilikon (POLY), kaca fosfosilikat (BSG), kaca borofosfosilikat (BPSG), polisilikon terdop, grafen, nanotube karbon dan filem lain.
Ciri-ciri:
▪ Suhu proses: biasanya antara 500~900°C, suhu proses agak tinggi;
▪ Julat tekanan gas: persekitaran tekanan rendah 0.1~10 Torr;
▪ Kualiti filem: berkualiti tinggi, keseragaman yang baik, ketumpatan yang baik dan sedikit kecacatan;
▪ Kadar pemendapan: kadar pemendapan perlahan;
▪ Keseragaman: sesuai untuk substrat bersaiz besar, pemendapan seragam;
Kelebihan dan kekurangan:
▪ Boleh memendapkan filem yang sangat seragam dan padat;
▪ Berfungsi dengan baik pada substrat bersaiz besar, sesuai untuk pengeluaran besar-besaran;
▪ Kos rendah;
▪ Suhu tinggi, tidak sesuai untuk bahan sensitif haba;
▪ Kadar pemendapan adalah perlahan dan outputnya agak rendah.
2. PECVD (KVD Dipertingkatkan Plasma)
Prinsip: Gunakan plasma untuk mengaktifkan tindak balas fasa gas pada suhu yang lebih rendah, mengionkan dan menguraikan molekul dalam gas tindak balas, dan kemudian mendapan filem nipis pada permukaan substrat. Tenaga plasma dapat mengurangkan suhu yang diperlukan untuk tindak balas dengan ketara, dan mempunyai pelbagai aplikasi. Pelbagai filem logam, filem bukan organik dan filem organik boleh disediakan.
Ciri-ciri:
▪ Suhu proses: biasanya antara 200~400°C, suhunya agak rendah;
▪ Julat tekanan gas: biasanya beratus-ratus mTorr hingga beberapa Torr;
▪ Kualiti filem: walaupun keseragaman filem adalah baik, ketumpatan dan kualiti filem tidak sebaik LPCVD disebabkan oleh kecacatan yang mungkin diperkenalkan oleh plasma;
▪ Kadar pemendapan: kadar tinggi, kecekapan pengeluaran yang tinggi;
▪ Keseragaman: sedikit lebih rendah daripada LPCVD pada substrat bersaiz besar;
Kelebihan dan kekurangan:
▪ Filem nipis boleh termendap pada suhu yang lebih rendah, sesuai untuk bahan sensitif haba;
▪ Kelajuan pemendapan yang pantas, sesuai untuk pengeluaran yang cekap;
▪ Proses fleksibel, sifat filem boleh dikawal dengan melaraskan parameter plasma;
▪ Plasma mungkin menyebabkan kecacatan filem seperti lubang kecil atau ketidakseragaman;
▪ Berbanding dengan LPCVD, ketumpatan dan kualiti filem sedikit lebih teruk.
3. HDP-CVD (CVD Plasma Ketumpatan Tinggi)
Prinsip: Teknologi PECVD khas. HDP-CVD (juga dikenali sebagai ICP-CVD) boleh menghasilkan ketumpatan dan kualiti plasma yang lebih tinggi berbanding peralatan PECVD tradisional pada suhu pemendapan yang lebih rendah. Di samping itu, HDP-CVD menyediakan kawalan fluks ion dan tenaga yang hampir bebas, meningkatkan keupayaan pengisian parit atau lubang untuk pemendapan filem yang mencabar, seperti salutan anti-reflektif, pemendapan bahan pemalar dielektrik rendah, dsb.
Ciri-ciri:
▪ Suhu proses: suhu bilik hingga 300℃, suhu proses sangat rendah;
▪ Julat tekanan gas: antara 1 dan 100 mTorr, lebih rendah daripada PECVD;
▪ Kualiti filem: ketumpatan plasma tinggi, kualiti filem tinggi, keseragaman yang baik;
▪ Kadar pemendapan: kadar pemendapan adalah antara LPCVD dan PECVD, sedikit lebih tinggi daripada LPCVD;
▪ Keseragaman: disebabkan oleh plasma berketumpatan tinggi, keseragaman filem adalah sangat baik, sesuai untuk permukaan substrat berbentuk kompleks;
Kelebihan dan kekurangan:
▪ Mampu memendapkan filem berkualiti tinggi pada suhu yang lebih rendah, sangat sesuai untuk bahan sensitif haba;
▪ Keseragaman filem, ketumpatan dan kelicinan permukaan yang sangat baik;
▪ Ketumpatan plasma yang lebih tinggi meningkatkan keseragaman pemendapan dan sifat filem;
▪ Peralatan yang rumit dan kos yang lebih tinggi;
▪ Kelajuan pemendapan adalah perlahan, dan tenaga plasma yang lebih tinggi mungkin menyebabkan sedikit kerosakan.
Mengalu-alukan mana-mana pelanggan dari seluruh dunia untuk melawat kami untuk perbincangan lanjut!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Masa siaran: 03 Dis-2024