Химик пар утырту(ЙКВ)ярымүткәргечләр сәнәгатендә төрле материалларны, шул исәптән төрле изоляция материалларын, күпчелек металл материалларын һәм металл эретмәләрен урнаштыру өчен иң киң кулланыла торган технология.
CVD - традицион юка пленка әзерләү технологиясе. Аның принцибы - газсыман прекурсорларны кулланып, прекурсорның кайбер компонентларын атомнар һәм молекулалар арасындагы химик реакцияләр аша таркату, аннары субстратта юка пленка формалаштыру. CVDның төп үзенчәлекләре: химик үзгәрешләр (химик реакцияләр яки термик таркалу); пленкадагы барлык материаллар да тышкы чыганаклардан килә; реагентлар реакциядә газ фазасы формасында катнашырга тиеш.
Түбән басымлы химик пар белән каплау (LPCVD), плазма белән көчәйтелгән химик пар белән каплау (PECVD) һәм югары тыгызлыклы плазма белән химик пар белән каплау (HDP-CVD) - өч киң таралган CVD технологиясе, алар материалны каплауда, җиһазлар таләпләрендә, процесс шартларында һ.б. зур аермаларга ия. Түбәндә бу өч технологиянең гади аңлатмасы һәм чагыштырмасы китерелгән.
1. LPCVD (Түбән басымлы CVD)
Принцип: Түбән басым шартларында CVD процессы. Аның принцибы - реакция газын вакуум яки түбән басымлы мохиттә реакция камерасына кертү, югары температура ярдәмендә газны таркату яки реакциягә кертү һәм субстрат өслегенә урнаштырылган каты пленка формалаштыру. Түбән басым газ бәрелешен һәм турбулентлыкны киметкәнлектән, пленканың бердәмлеге һәм сыйфаты яхшыра. LPCVD кремний диоксидында (LTO TEOS), кремний нитридында (Si3N4), полискремнийда (POLY), фосфосиликат пыялада (BSG), борофосфосиликат пыялада (BPSG), легирланган полискремнийда, графенда, углерод нанотрубкаларында һәм башка пленкаларда киң кулланыла.
Үзенчәлекләре:
▪ Процесс температурасы: гадәттә 500~900°C арасында, процесс температурасы чагыштырмача югары;
▪ Газ басымы диапазоны: түбән басымлы мохит 0,1~10 Торр;
▪ Пленка сыйфаты: югары сыйфат, яхшы бер төрлелек, яхшы тыгызлык һәм кимчелекләр аз;
▪ Чөгү тизлеге: чөгү тизлеге әкрен;
▪ Бер төрлелек: зур күләмле субстратлар өчен яраклы, бер төрле утырма;
Өстенлекләр һәм кимчелекләр:
▪ Бик тигез һәм тыгыз пленкалар урнаштыра ала;
▪ Зур күләмле субстратларда яхшы эшли, күпләп җитештерү өчен яраклы;
▪ Түбән бәя;
▪ Югары температура, җылылыкка сизгер материаллар өчен яраклы түгел;
▪ Чүпләү тизлеге акрын, ә чыгару күләме чагыштырмача түбән.
2. PECVD (Плазма белән көчәйтелгән йөрәк-кан тамырлары авырулары)
Принцип: Плазманы кулланып, түбән температураларда газ фазасындагы реакцияләрне активлаштырыгыз, реакция газындагы молекулаларны ионлаштырыгыз һәм таркатыгыз, аннары субстрат өслегенә юка пленкалар урнаштырыгыз. Плазма энергиясе реакция өчен кирәкле температураны шактый киметә ала һәм киң кулланылышлы. Төрле металл пленкалар, органик булмаган пленкалар һәм органик пленкалар әзерләнергә мөмкин.
Үзенчәлекләре:
▪ Эшкәртү температурасы: гадәттә 200~400°C арасында, температура чагыштырмача түбән;
▪ Газ басымы диапазоны: гадәттә йөзләрчә мТоррдан алып берничә Торрга кадәр;
▪ Пленка сыйфаты: пленканың бер төрлелеге яхшы булса да, плазма белән кертелергә мөмкин булган җитешсезлекләр аркасында пленканың тыгызлыгы һәм сыйфаты LPCVD кебек яхшы түгел;
▪ Чүпләү тизлеге: югары тизлек, югары җитештерү нәтиҗәлелеге;
▪ Бер төрлелек: зур күләмле субстратларда LPCVDдан бераз түбәнрәк;
Өстенлекләр һәм кимчелекләр:
▪ Нечкә пленкалар түбән температураларда урнаштырылырга мөмкин, җылылыкка сизгер материаллар өчен яраклы;
▪ Нәтиҗәле җитештерү өчен яраклы, тиз утырту тизлеге;
▪ Гибкий процесс, пленка үзлекләрен плазма параметрларын көйләү юлы белән контрольдә тотарга мөмкин;
▪ Плазма пленка кимчелекләрен, мәсәлән, тишекләр яки тигез булмауны китерергә мөмкин;
▪ LPCVD белән чагыштырганда, пленка тыгызлыгы һәм сыйфаты бераз начаррак.
3. HDP-CVD (Югары тыгызлыктагы плазма CVD)
Принцип: Махсус PECVD технологиясе. HDP-CVD (ICP-CVD дип тә атала) түбәнрәк утырту температураларында традицион PECVD җиһазларына караганда югарырак плазма тыгызлыгы һәм сыйфаты бирә ала. Моннан тыш, HDP-CVD ион агымын һәм энергияне бәйсез диярлек контрольдә тота, чагылышка каршы каплаулар, түбән диэлектрик даими материал утырту һ.б. кебек таләпчән пленка утырту өчен траншея яки тишек тутыру мөмкинлекләрен яхшырта.
Үзенчәлекләре:
▪ Процесс температурасы: бүлмә температурасы 300℃ кадәр, процесс температурасы бик түбән;
▪ Газ басымы диапазоны: 1 дән 100 мТоррга кадәр, PECVD дан түбәнрәк;
▪ Пленка сыйфаты: югары плазма тыгызлыгы, югары пленка сыйфаты, яхшы бер төрлелек;
▪ Чүпләү тизлеге: чүпләү тизлеге LPCVD һәм PECVD арасында, LPCVD дан бераз югарырак;
▪ Бер төрлелек: югары тыгызлыктагы плазма аркасында пленка бер төрлелеге бик яхшы, катлаулы формадагы субстрат өслекләре өчен яраклы;
Өстенлекләр һәм кимчелекләр:
▪ Югары сыйфатлы пленкаларны түбән температураларда урнаштыра ала, җылылыкка сизгер материаллар өчен бик яраклы;
▪ Пленканың бер төрлелеге, тыгызлыгы һәм өслекнең шомалыгы бик яхшы;
▪ Плазма тыгызлыгының югарырак булуы утырманың бер төрлелеген һәм пленка үзлекләрен яхшырта;
▪ Катлаулы җиһазлар һәм югарырак бәя;
▪ Чөкмә тизлеге әкрен, һәм плазма энергиясенең югарырак булуы аз күләмдә зыян китерергә мөмкин.
Дөньяның төрле почмакларыннан килгән теләсә нинди клиентларны безгә өстәмә фикер алышу өчен рәхим итегез!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Бастырылган вакыты: 2024 елның 3 декабре