Déposisi uap kimiawi(CVD)nyaéta téknologi anu paling seueur dianggo dina industri semikonduktor pikeun neundeun rupa-rupa bahan, kalebet rupa-rupa bahan insulasi, kalolobaan bahan logam sareng bahan paduan logam.
CVD nyaéta téknologi persiapan pilem ipis tradisional. Prinsipna nyaéta ngagunakeun prékursor gas pikeun ngarecah komponén-komponén anu tangtu dina prékursor ngaliwatan réaksi kimia antara atom sareng molekul, teras ngabentuk pilem ipis dina substrat. Ciri dasar CVD nyaéta: parobahan kimia (réaksi kimia atanapi dékomposisi termal); sadaya bahan dina pilem asalna tina sumber éksternal; réaktan kedah ilubiung dina réaksi dina bentuk fase gas.
Déposisi uap kimia tekanan rendah (LPCVD), déposisi uap kimia anu ditingkatkeun plasma (PECVD) sareng déposisi uap kimia plasma kapadetan luhur (HDP-CVD) nyaéta tilu téknologi CVD umum, anu gaduh béda anu signifikan dina déposisi bahan, sarat peralatan, kaayaan prosés, jsb. Di handap ieu mangrupikeun katerangan saderhana sareng babandingan tina tilu téknologi ieu.
1. LPCVD (CVD Tekanan Rendah)
Prinsip: Prosés CVD dina kaayaan tekanan rendah. Prinsipna nyaéta pikeun nyuntikkeun gas réaksi kana rohangan réaksi dina lingkungan vakum atanapi tekanan rendah, ngarecah atanapi ngaréaksikeun gas ku suhu anu luhur, teras ngabentuk pilem padet anu diendapkeun dina permukaan substrat. Kusabab tekanan rendah ngirangan tabrakan sareng turbulensi gas, keseragaman sareng kualitas pilem ningkat. LPCVD seueur dianggo dina silikon dioksida (LTO TEOS), silikon nitrida (Si3N4), polisilikon (POLY), kaca fosfosilikat (BSG), kaca borofosfosilikat (BPSG), polisilikon anu didoping, graféna, tabung nano karbon sareng pilem sanésna.
Fitur:
▪ Suhu prosés: biasana antara 500~900°C, suhu prosésna kawilang luhur;
▪ Rentang tekanan gas: lingkungan tekanan handap 0,1~10 Torr;
▪ Kualitas pilem: kualitas luhur, seragamna alus, kapadetanna alus, sareng saeutik cacad;
▪ Laju déposisi: laju déposisi laun;
▪ Kaseragaman: cocog pikeun substrat ukuran ageung, déposisi anu seragam;
Kaunggulan sareng kakurangan:
▪ Tiasa neundeun pilem anu seragam pisan sareng padet;
▪ Lumayan dianggo dina substrat ukuran ageung, cocog pikeun produksi massal;
▪ Biaya murah;
▪ Suhu luhur, teu cocog pikeun bahan anu sénsitip kana panas;
▪ Laju déposisi laun sareng kaluaranna relatif handap.
2. PECVD (CVD anu ditingkatkeun ku Plasma)
Prinsip: Anggo plasma pikeun ngaktipkeun réaksi fase gas dina suhu anu langkung handap, ngionisasi sareng ngauraikeun molekul dina gas réaksi, teras neundeun pilem ipis dina permukaan substrat. Énergi plasma tiasa ngirangan suhu anu diperyogikeun pikeun réaksi sacara signifikan, sareng gaduh rupa-rupa aplikasi. Rupa-rupa pilem logam, pilem anorganik sareng pilem organik tiasa disiapkeun.
Fitur:
▪ Suhu prosés: biasana antara 200~400°C, suhuna relatif handap;
▪ Rentang tekanan gas: biasana ratusan mTorr nepi ka sababaraha Torr;
▪ Kualitas pilem: sanaos seragamna pilemna saé, kapadetan sareng kualitas pilemna henteu saé sapertos LPCVD kusabab cacad anu tiasa diwanohkeun ku plasma;
▪ Laju déposisi: laju anu luhur, efisiensi produksi anu luhur;
▪ Kaseragaman: rada handap tibatan LPCVD dina substrat ukuran ageung;
Kaunggulan sareng kakurangan:
▪ Lapisan ipis bisa diendapkeun dina suhu anu leuwih handap, cocog pikeun bahan anu sénsitip kana panas;
▪ Kagancangan déposisi anu gancang, cocog pikeun produksi anu efisien;
▪ Prosés anu fléksibel, sipat pilem tiasa dikontrol ku cara nyaluyukeun parameter plasma;
▪ Plasma tiasa nyababkeun cacad pilem sapertos liang jarum atanapi henteu seragam;
▪ Dibandingkeun sareng LPCVD, kapadetan sareng kualitas pilemna rada goréng.
3. HDP-CVD (KVD Plasma Kapadetan Luhur)
Prinsip: Téhnologi PECVD khusus. HDP-CVD (ogé katelah ICP-CVD) tiasa ngahasilkeun kapadetan sareng kualitas plasma anu langkung luhur tibatan alat PECVD tradisional dina suhu déposisi anu langkung handap. Salian ti éta, HDP-CVD nyayogikeun kontrol fluks ion sareng énergi anu ampir mandiri, ningkatkeun kamampuan ngeusian solokan atanapi liang pikeun déposisi pilem anu nungtut, sapertos lapisan anti-réfléksi, déposisi bahan konstanta dielektrik anu handap, jsb.
Fitur:
▪ Suhu prosés: suhu kamar dugi ka 300℃, suhu prosésna handap pisan;
▪ Rentang tekanan gas: antara 1 sareng 100 mTorr, langkung handap tibatan PECVD;
▪ Kualitas pilem: kapadetan plasma anu luhur, kualitas pilem anu luhur, keseragaman anu saé;
▪ Laju déposisi: laju déposisi aya antara LPCVD sareng PECVD, rada luhur tibatan LPCVD;
▪ Kaseragaman: kusabab plasma kapadetanna luhur, kaseragaman pilemna saé pisan, cocog pikeun permukaan substrat anu bentukna kompléks;
Kaunggulan sareng kakurangan:
▪ Mampu nyimpen pilem kualitas luhur dina suhu anu langkung handap, cocog pisan pikeun bahan anu sénsitip kana panas;
▪ Keseragaman pilem, kapadetan sareng kehalusan permukaan anu saé pisan;
▪ Kapadetan plasma anu langkung luhur ningkatkeun keseragaman déposisi sareng sipat pilem;
▪ Peralatan anu rumit sareng biaya anu langkung luhur;
▪ Laju déposisi laun, sareng énergi plasma anu langkung luhur tiasa nyababkeun karusakan sakedik.
Wilujeng sumping ka para nasabah ti sakumna dunya pikeun nganjang ka kami kanggo diskusi salajengna!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Waktos posting: 03-Des-2024