SiC solidu CVD d'alta purezza in massa

Imagine presentata in massa di SiC solidu CVD d'alta purezza

Descrizzione corta:

A rapida crescita di monocristalli di SiC utilizendu fonti CVD-SiC in massa (Deposizione Chimica da Vapore - SiC) hè un metudu cumunu per preparà materiali monocristallini di SiC di alta qualità. Quessi monocristalli ponu esse aduprati in una varietà di applicazioni, cumpresi dispositivi elettronichi di alta putenza, dispositivi optoelettronici, sensori è dispositivi semiconduttori.

Mandate un email à noi Scaricà cum'è PDF

Dettagli di u produttu

Etichette di u produttu

VET Energy usa una purezza ultra-altacarburu di siliciu (SiC)furmatu da a deposizione chimica di vapore(CVD)cum'è materia prima per a crescitaCristalli di SiCper trasportu fisicu di vapore (PVT). In PVT, u materiale surghjente hè caricatu in uncrogioluè sublimata nantu à un cristallu di sementi.

Una fonte di alta purezza hè necessaria per fabricà alta qualitàCristalli di SiC.

VET Energy hè specializata in a furnitura di SiC à grande particelle per PVT perchè hà una densità più alta chè u materiale à piccule particelle furmatu da a combustione spontanea di gas chì cuntenenu Si è C. À u cuntrariu di a sinterizazione in fase solida o di a reazione di Si è C, ùn richiede micca un fornu di sinterizazione dedicatu o una tappa di sinterizazione chì richiede tempu in un fornu di crescita. Stu materiale à grande particelle hà una velocità di evaporazione guasi costante, chì migliora l'uniformità da una corsa à l'altra.

Introduzione:
1. Preparazione di a fonte di blocchi CVD-SiC: Prima, avete bisognu di preparà una fonte di blocchi CVD-SiC di alta qualità, chì hè generalmente di alta purezza è alta densità. Questa pò esse preparata per metudu di deposizione chimica da vapore (CVD) in cundizioni di reazione adatte.

2. Preparazione di u substratu: Selezziunate un substratu adattatu cum'è substratu per a crescita di monocristalli SiC. I materiali di substratu cumunimenti usati includenu u carburu di siliciu, u nitruru di siliciu, ecc., chì anu una bona currispundenza cù u monocristallu SiC in crescita.

3. Riscaldamentu è sublimazione: Pone a fonte di blocchi CVD-SiC è u substratu in un fornu à alta temperatura è furnisce e cundizioni di sublimazione adatte. A sublimazione significa chì à alta temperatura, a fonte di blocchi cambia direttamente da u statu solidu à u statu di vapore, è dopu si ricondensa nantu à a superficia di u substratu per furmà un monocristallu.

4. Cuntrollu di a temperatura: Durante u prucessu di sublimazione, u gradiente di temperatura è a distribuzione di a temperatura devenu esse cuntrullati precisamente per prumove a sublimazione di a fonte di blocchi è a crescita di monocristalli. Un cuntrollu adattatu di a temperatura pò ottene una qualità di cristallu è un ritmu di crescita ideali.

5. Cuntrollu di l'atmosfera: Durante u prucessu di sublimazione, l'atmosfera di reazione deve ancu esse cuntrullata. U gasu inerte di alta purezza (cum'è l'argon) hè generalmente adupratu cum'è gasu vettore per mantene a pressione è a purezza adatte è impedisce a contaminazione da impurità.

6. Crescita di monocristalli: A fonte di blocchi CVD-SiC subisce una transizione di fase vapore durante u prucessu di sublimazione è si ricondensa nantu à a superficia di u substratu per furmà una struttura monocristallina. A crescita rapida di monocristalli SiC pò esse ottenuta attraversu cundizioni di sublimazione adatte è u cuntrollu di u gradiente di temperatura.