SiC sólido de alta pureza em CVD a granel

Imagem em destaque: SiC sólido de alta pureza obtido por CVD

Descrição resumida:

O rápido crescimento de monocristais de SiC utilizando fontes de SiC depositadas por CVD (Deposição Química de Vapor – SiC) é um método comum para a preparação de materiais monocristalinos de SiC de alta qualidade. Esses monocristais podem ser utilizados em diversas aplicações, incluindo dispositivos eletrônicos de alta potência, dispositivos optoeletrônicos, sensores e dispositivos semicondutores.

Envie-nos um e-mail Baixar como PDF

Detalhes do produto

Etiquetas do produto

A VET Energy utiliza pureza ultra-elevadacarbeto de silício (SiC)formado por deposição química de vapor(DCV)como matéria-prima para o crescimentoCristais de SiCpor transporte físico de vapor (PVT). No PVT, o material de origem é carregado em umcadinhoe sublimada em um cristal semente.

Para fabricar produtos de alta qualidade, é necessária uma fonte de alta pureza.Cristais de SiC.

A VET Energy se especializa no fornecimento de SiC de partículas grandes para PVT, pois este material possui densidade superior à do material de partículas pequenas formado pela combustão espontânea de gases contendo Si e C. Ao contrário da sinterização em fase sólida ou da reação de Si e C, esse processo não requer um forno de sinterização dedicado nem uma etapa demorada de sinterização em um forno de crescimento. Esse material de partículas grandes apresenta uma taxa de evaporação praticamente constante, o que melhora a uniformidade entre as produções.

Introdução:
1. Preparar a fonte de blocos de CVD-SiC: Primeiro, é necessário preparar uma fonte de blocos de CVD-SiC de alta qualidade, geralmente com alta pureza e alta densidade. Isso pode ser feito pelo método de deposição química de vapor (CVD) sob condições de reação apropriadas.

2. Preparação do substrato: Selecione um substrato apropriado para o crescimento do monocristal de SiC. Materiais de substrato comumente usados incluem carbeto de silício, nitreto de silício, etc., que apresentam boa compatibilidade com o monocristal de SiC em crescimento.

3. Aquecimento e sublimação: Coloque o bloco de SiC depositado por CVD e o substrato em um forno de alta temperatura e proporcione as condições adequadas para a sublimação. Sublimação significa que, em alta temperatura, o bloco passa diretamente do estado sólido para o estado gasoso e, em seguida, se condensa novamente na superfície do substrato para formar um monocristal.

4. Controle de temperatura: Durante o processo de sublimação, o gradiente e a distribuição de temperatura precisam ser controlados com precisão para promover a sublimação da fonte de bloco e o crescimento de monocristais. Um controle de temperatura adequado pode resultar em qualidade cristalina e taxa de crescimento ideais.

5. Controle da atmosfera: Durante o processo de sublimação, a atmosfera de reação também precisa ser controlada. Gases inertes de alta pureza (como o argônio) são geralmente usados como gás de arraste para manter a pressão e a pureza adequadas e evitar a contaminação por impurezas.

6. Crescimento de monocristais: O bloco de SiC depositado por CVD passa por uma transição de fase vapor durante o processo de sublimação e se recondensa na superfície do substrato para formar uma estrutura monocristalina. O crescimento rápido de monocristais de SiC pode ser alcançado por meio de condições de sublimação adequadas e controle do gradiente de temperatura.