SiC sólido CVD de alta pureza a granel

Descrição curta:

O rápido crescimento de monocristais de SiC utilizando fontes de CVD-SiC (Deposição Química de Vapor – SiC) é um método comum para a preparação de materiais monocristais de SiC de alta qualidade. Esses monocristais podem ser usados em uma variedade de aplicações, incluindo dispositivos eletrônicos de alta potência, dispositivos optoeletrônicos, sensores e dispositivos semicondutores.

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A VET Energy utiliza pureza ultra-altacarboneto de silício (SiC)formado por deposição química de vapor(DCV)como matéria-prima para o cultivoCristais de SiCpor transporte físico de vapor (PVT). No PVT, o material de origem é carregado em umcadinhoe sublimado em um cristal semente.

Uma fonte de alta pureza é necessária para fabricar produtos de alta qualidadeCristais de SiC.

A VET Energy é especializada no fornecimento de SiC de partículas grandes para PVT, pois possui densidade maior do que o material de partículas pequenas formado pela combustão espontânea de gases contendo Si e C. Ao contrário da sinterização em fase sólida ou da reação de Si e C, não requer um forno de sinterização dedicado nem uma etapa de sinterização demorada em um forno de crescimento. Este material de partículas grandes tem uma taxa de evaporação quase constante, o que melhora a uniformidade entre as etapas.

Introdução:
1. Preparar a fonte de bloco CVD-SiC: Primeiramente, é necessário preparar uma fonte de bloco CVD-SiC de alta qualidade, geralmente de alta pureza e alta densidade. Ela pode ser preparada pelo método de deposição química de vapor (CVD) sob condições de reação apropriadas.

2. Preparação do substrato: Selecione um substrato apropriado para o crescimento do monocristal de SiC. Os materiais de substrato comumente utilizados incluem carboneto de silício, nitreto de silício, etc., que apresentam boa compatibilidade com o monocristal de SiC em crescimento.

3. Aquecimento e sublimação: Coloque a fonte do bloco de CVD-SiC e o substrato em um forno de alta temperatura e forneça as condições de sublimação adequadas. Sublimação significa que, em alta temperatura, a fonte do bloco muda diretamente do estado sólido para o estado de vapor e, em seguida, condensa novamente na superfície do substrato para formar um único cristal.

4. Controle de temperatura: Durante o processo de sublimação, o gradiente e a distribuição de temperatura precisam ser controlados com precisão para promover a sublimação da fonte do bloco e o crescimento de monocristais. O controle de temperatura adequado pode atingir a qualidade e a taxa de crescimento ideais dos cristais.

5. Controle da atmosfera: Durante o processo de sublimação, a atmosfera de reação também precisa ser controlada. Gás inerte de alta pureza (como argônio) é geralmente usado como gás de arraste para manter a pressão e a pureza adequadas e evitar contaminação por impurezas.

6. Crescimento de monocristais: A fonte de bloco CVD-SiC passa por uma transição de fase de vapor durante o processo de sublimação e recondensa na superfície do substrato para formar uma estrutura de monocristal. O crescimento rápido de monocristais de SiC pode ser alcançado por meio de condições de sublimação adequadas e controle do gradiente de temperatura.