Héichreinheets-CVD-Feststoff-SiC-Bulk

Kuerz Beschreiwung:

Dat séiert Wuesstum vu SiC-Eenzelkristaller mat Hëllef vu CVD-SiC-Bulkquellen (Chemical Vapor Deposition – SiC) ass eng üblech Method fir héichqualitativ SiC-Eenzelkristallmaterialien ze preparéieren. Dës Eenzelkristaller kënnen an enger Villfalt vun Uwendungen agesat ginn, dorënner héichleeschtungsfäeg elektronesch Apparater, optoelektronesch Apparater, Sensoren a Hallefleederapparater.

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

VET Energy benotzt ultra-héich RengheetSiliziumkarbid (SiC)duerch chemesch Dampfdepositioun geformt(CVD)als Quellmaterial fir d'KultivatiounSiC-Kristallerduerch physesch Damptransport (PVT). Am PVT gëtt d'Quellmaterial an en ... gelueden.Tiegelan op engem Keimkristall subliméiert.

Fir d'Produktioun vun héijer Qualitéit ass eng Quell mat héijer Rengheet noutwendegSiC-Kristaller.

VET Energy spezialiséiert sech op d'Liwwerung vu grousspartikelegen SiC fir PVT, well et eng méi héich Dicht huet wéi klengpartikelegt Material, dat duerch spontan Verbrennung vu Si- a C-haltege Gase geformt gëtt. Am Géigesaz zum Festphas-Sinteren oder der Reaktioun vu Si a C brauch et keen eegenen Sinteruewen oder en zäitopwännegen Sinterschritt an engem Wuesstemsuewen. Dëst grousspartikelegt Material huet eng bal konstant Verdampfungsquote, wat d'Uniformitéit vu Laf zu Laf verbessert.

Aféierung:
1. Virbereedung vun enger CVD-SiC-Blockquell: Als éischt musst Dir eng héichqualitativ CVD-SiC-Blockquell virbereeden, déi normalerweis vun héijer Rengheet an héijer Dicht ass. Dës kann duerch d'chemesch Dampfoflagerungsmethod (CVD) ënner passenden Reaktiounsbedingungen virbereet ginn.

2. Substratvirbereedung: Wielt e passenden Substrat als Substrat fir de SiC-Eenkristallwuesstum. Dacks benotzt Substratmaterialien sinn Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, etc., déi gutt mam wuessende SiC-Eenkristall iwwereneestëmmen.

3. Erhëtzen a Sublimatioun: D'CVD-SiC-Blockquell an de Substrat an en Héichtemperaturuewen leeën a passend Sublimatiounsbedingungen ubidden. Sublimatioun bedeit, datt bei héijer Temperatur d'Blockquell direkt vum festen an den Dampzoustand wiesselt an dann op der Substratoberfläche nees kondenséiert fir en Eenzelkristall ze bilden.

4. Temperaturkontroll: Wärend dem Sublimatiounsprozess mussen den Temperaturgradient an d'Temperaturverdeelung präzis kontrolléiert ginn, fir d'Sublimatioun vun der Blockquell an d'Wuesstum vun Eenzelkristaller ze fërderen. Eng entspriechend Temperaturkontroll kann eng ideal Kristallqualitéit a Wuesstumsquote erreechen.

5. Atmosphärkontroll: Wärend dem Sublimatiounsprozess muss och d'Reaktiounsatmosphär kontrolléiert ginn. Héichreinheets-Inertgas (wéi Argon) gëtt normalerweis als Trägergas benotzt fir en entspriechenden Drock a Rengheet z'erhalen an eng Kontaminatioun duerch Ongereinheeten ze vermeiden.

6. Eenzelkristallwuesstum: D'CVD-SiC-Blockquell mécht während dem Sublimatiounsprozess eng Gasphaseniwwergank a kondenséiert sech op der Substratoberfläche nei, fir eng Eenzelkristallstruktur ze bilden. E séiert Wuesstum vu SiC-Eenzelkristaller kann duerch entspriechend Sublimatiounsbedingungen a Kontroll vum Temperaturgradient erreecht ginn.