VET Energy бик югары чисталык кулланакремний карбиды (SiC)химик пар утырту нәтиҗәсендә барлыкка килгән(ЙКВ)үстерү өчен чыганак материал буларакSiC кристалларыфизик пар транспорты (ФПТ) ярдәмендә. ФПТда чыганак материал атигельһәм орлык кристалына сублимацияләнгән.
Югары сыйфатлы җитештерү өчен югары сафлык чыганагы кирәкSiC кристаллары.
VET Energy компаниясе PVT өчен зур кисәкчәле SiC белән тәэмин итүдә махсуслаша, чөнки аның тыгызлыгы Si һәм C булган газларның үзеннән-үзе януы нәтиҗәсендә барлыкка килгән вак кисәкчәле материалга караганда югарырак. Каты фазалы бышыртудан яки Si һәм C реакциясеннән аермалы буларак, ул махсус бышырту мичен яки үсү мичендә вакыт таләп итә торган бышырту этабын таләп итми. Бу зур кисәкчәле материалның парга әйләнү тизлеге диярлек даими, бу исә бышыртуның бер үклеген яхшырта.
Кереш сүз:
1. CVD-SiC блок чыганагын әзерләгез: Беренчедән, сезгә югары сыйфатлы CVD-SiC блок чыганагын әзерләргә кирәк, ул гадәттә югары сафлыкка һәм югары тыгызлыкка ия. Моны тиешле реакция шартларында химик пар утырту (CVD) ысулы белән әзерләп була.
2. Субстрат әзерләү: SiC монокристалл үсеше өчен субстрат буларак тиешле субстратны сайлагыз. Еш кулланыла торган субстрат материалларына кремний карбиды, кремний нитриды һ.б. керә, алар үсүче SiC монокристаллына яхшы туры килә.
3. Җылыту һәм сублимация: CVD-SiC блок чыганагын һәм субстратын югары температуралы мичкә урнаштырыгыз һәм тиешле сублимация шартларын тәэмин итегез. Сублимация югары температурада блок чыганагы турыдан-туры каты халәттән пар халәтенә күчүен, аннары субстрат өслегендә кабат конденсацияләнеп, монокристалл формалаштыруын аңлата.
4. Температураны контрольдә тоту: Сублимация процессында, блок чыганагының сублимациясен һәм монокристаллларның үсешен стимуллаштыру өчен температура градиентын һәм температура бүленешен төгәл контрольдә тотарга кирәк. Температураны тиешенчә контрольдә тоту идеаль кристалл сыйфатына һәм үсеш тизлегенә ирешергә мөмкин.
5. Атмосфераны контрольдә тоту: Сублимация процессы вакытында реакция атмосферасын да контрольдә тотарга кирәк. Югары чисталыктагы инерт газ (мәсәлән, аргон) гадәттә тиешле басымны һәм чисталыкны саклап калу һәм катнашмалар белән пычрануны булдырмау өчен ташучы газ буларак кулланыла.
6. Монокристалл үсеше: CVD-SiC блок чыганагы сублимация процессында пар фазасына күчә һәм субстрат өслегендә кабат конденсацияләнеп, монокристалл структурасы барлыкка китерә. SiC монокристаллларының тиз үсешен тиешле сублимация шартлары һәм температура градиентын контрольдә тоту аша тәэмин итәргә мөмкин.
Сезне заводыбызга килергә чын күңелдән рәхим итегез, әйдәгез, тагын да фикер алышыйк!
