Hochreines CVD-SiC-Massivmaterial

Hochreines CVD-Massiv-SiC-Vollmaterial – Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Das schnelle Wachstum von SiC-Einkristallen mithilfe von CVD-SiC-Massenquellen (Chemical Vapor Deposition – SiC) ist ein gängiges Verfahren zur Herstellung hochwertiger SiC-Einkristallmaterialien. Diese Einkristalle können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter in elektronischen Hochleistungsgeräten, optoelektronischen Geräten, Sensoren und Halbleiterbauelementen.

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Produktdetail

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VET Energy verwendet ultrahochreineSiliziumkarbid (SiC)gebildet durch chemische Gasphasenabscheidung(Herz-Kreislauf-Erkrankungen)als Ausgangsmaterial für den AnbauSiC-Kristalledurch physikalischen Dampftransport (PVT). Bei PVT wird das Ausgangsmaterial in eineTiegelund auf einen Impfkristall sublimiert.

Zur Herstellung hochwertiger Produkte ist eine Quelle mit hoher Reinheit erforderlichSiC-Kristalle.

VET Energy ist auf die Bereitstellung von großteiligem SiC für PVT spezialisiert, da es eine höhere Dichte aufweist als kleinteiliges Material, das durch Selbstentzündung von Si- und C-haltigen Gasen entsteht. Im Gegensatz zum Festphasensintern oder der Reaktion von Si und C erfordert es weder einen speziellen Sinterofen noch einen zeitaufwändigen Sinterschritt in einem Wachstumsofen. Dieses großteilige Material weist eine nahezu konstante Verdampfungsrate auf, was die Gleichmäßigkeit von Lauf zu Lauf verbessert.

Einführung:
1. CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten: Zunächst müssen Sie eine hochwertige CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten, die in der Regel eine hohe Reinheit und Dichte aufweist. Diese kann durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) unter geeigneten Reaktionsbedingungen hergestellt werden.

2. Substratvorbereitung: Wählen Sie ein geeignetes Substrat für das Wachstum des SiC-Einkristalls. Häufig verwendete Substratmaterialien sind Siliziumkarbid, Siliziumnitrid usw., die gut zum wachsenden SiC-Einkristall passen.

3. Erhitzen und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und sorgen Sie für geeignete Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass die Blockquelle bei hoher Temperatur direkt vom festen in den gasförmigen Zustand übergeht und anschließend auf der Substratoberfläche wieder kondensiert, um einen Einkristall zu bilden.

4. Temperaturkontrolle: Während des Sublimationsprozesses müssen Temperaturgradient und Temperaturverteilung präzise kontrolliert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu fördern. Durch eine geeignete Temperaturkontrolle können optimale Kristallqualität und Wachstumsrate erreicht werden.

5. Atmosphärenkontrolle: Während des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosphäre kontrolliert werden. Hochreines Inertgas (z. B. Argon) wird üblicherweise als Trägergas verwendet, um den entsprechenden Druck und die Reinheit aufrechtzuerhalten und eine Kontamination durch Verunreinigungen zu verhindern.

6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchläuft während des Sublimationsprozesses einen Dampfphasenübergang und kondensiert auf der Substratoberfläche zu einer Einkristallstruktur. Schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen kann durch geeignete Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenkontrolle erreicht werden.