SiC rắn CVD độ tinh khiết cao

Hình ảnh nổi bật về SiC rắn CVD có độ tinh khiết cao

Mô tả ngắn gọn:

Sự phát triển nhanh chóng của các tinh thể đơn SiC sử dụng các nguồn khối CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition – SiC) là một phương pháp phổ biến để chế tạo vật liệu tinh thể đơn SiC chất lượng cao. Các tinh thể đơn này có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm các thiết bị điện tử công suất cao, thiết bị quang điện tử, cảm biến và thiết bị bán dẫn.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

VET Energy sử dụng độ tinh khiết cực caosilic cacbua (SiC)được hình thành bởi sự lắng đọng hơi hóa học(CVD)như là nguồn vật liệu để phát triểnTinh thể SiCbằng cách vận chuyển hơi vật lý (PVT). Trong PVT, vật liệu nguồn được nạp vàolò nungvà thăng hoa thành tinh thể hạt giống.

Cần có nguồn có độ tinh khiết cao để sản xuất chất lượng caoTinh thể SiC.

VET Energy chuyên cung cấp SiC hạt lớn cho PVT vì nó có mật độ cao hơn vật liệu hạt nhỏ được hình thành do quá trình đốt cháy tự phát của Si và khí chứa C. Không giống như thiêu kết pha rắn hoặc phản ứng của Si và C, nó không yêu cầu lò thiêu kết chuyên dụng hoặc bước thiêu kết tốn thời gian trong lò tăng trưởng. Vật liệu hạt lớn này có tốc độ bay hơi gần như không đổi, giúp cải thiện tính đồng nhất giữa các lần chạy.

Giới thiệu:
1. Chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC: Trước tiên, bạn cần chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC chất lượng cao, thường có độ tinh khiết và mật độ cao. Có thể chuẩn bị bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) trong điều kiện phản ứng thích hợp.

2. Chuẩn bị chất nền: Chọn chất nền thích hợp làm chất nền cho sự phát triển của tinh thể đơn SiC. Các vật liệu chất nền thường được sử dụng bao gồm silicon carbide, silicon nitride, v.v., phù hợp tốt với tinh thể đơn SiC đang phát triển.

3. Làm nóng và thăng hoa: Đặt khối nguồn CVD-SiC và chất nền vào lò nung nhiệt độ cao và cung cấp điều kiện thăng hoa thích hợp. Thăng hoa có nghĩa là ở nhiệt độ cao, khối nguồn trực tiếp chuyển từ trạng thái rắn sang trạng thái hơi, sau đó ngưng tụ lại trên bề mặt chất nền để tạo thành một tinh thể duy nhất.

4. Kiểm soát nhiệt độ: Trong quá trình thăng hoa, cần kiểm soát chính xác độ dốc nhiệt độ và phân bố nhiệt độ để thúc đẩy quá trình thăng hoa của nguồn khối và sự phát triển của các tinh thể đơn. Kiểm soát nhiệt độ thích hợp có thể đạt được chất lượng tinh thể và tốc độ phát triển lý tưởng.

5. Kiểm soát khí quyển: Trong quá trình thăng hoa, khí quyển phản ứng cũng cần được kiểm soát. Khí trơ có độ tinh khiết cao (như argon) thường được sử dụng làm khí mang để duy trì áp suất và độ tinh khiết thích hợp và ngăn ngừa ô nhiễm bởi tạp chất.

6. Sự phát triển tinh thể đơn: Nguồn khối CVD-SiC trải qua quá trình chuyển pha hơi trong quá trình thăng hoa và ngưng tụ lại trên bề mặt chất nền để tạo thành cấu trúc tinh thể đơn. Sự phát triển nhanh chóng của tinh thể đơn SiC có thể đạt được thông qua các điều kiện thăng hoa thích hợp và kiểm soát độ dốc nhiệt độ.