VET Energy sử dụng năng lượng siêu tinh khiết.cacbua silic (SiC)được hình thành bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học(Bệnh tim mạch)như nguyên liệu nguồn để phát triểnTinh thể SiCbằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT). Trong PVT, vật liệu nguồn được nạp vào mộtnồi nấu chảyvà thăng hoa lên một tinh thể mầm.
Để sản xuất ra sản phẩm chất lượng cao, cần có nguồn nguyên liệu có độ tinh khiết cao.Tinh thể SiC.
VET Energy chuyên cung cấp SiC hạt lớn cho công nghệ PVT vì nó có mật độ cao hơn so với vật liệu hạt nhỏ được tạo ra bằng quá trình tự cháy của Si và các khí chứa C. Không giống như quá trình thiêu kết pha rắn hoặc phản ứng giữa Si và C, nó không yêu cầu lò thiêu kết chuyên dụng hoặc bước thiêu kết tốn thời gian trong lò tăng trưởng. Vật liệu hạt lớn này có tốc độ bay hơi gần như không đổi, giúp cải thiện tính đồng nhất giữa các lần chạy.
Giới thiệu:
1. Chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC: Trước tiên, bạn cần chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC chất lượng cao, thường có độ tinh khiết và mật độ cao. Nguồn này có thể được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) dưới các điều kiện phản ứng thích hợp.
2. Chuẩn bị chất nền: Chọn chất nền thích hợp để nuôi cấy tinh thể đơn SiC. Các vật liệu chất nền thường dùng bao gồm silicon carbide, silicon nitride, v.v., có độ tương thích tốt với tinh thể đơn SiC cần nuôi cấy.
3. Gia nhiệt và thăng hoa: Đặt nguồn khối CVD-SiC và chất nền vào lò nung nhiệt độ cao và cung cấp các điều kiện thăng hoa thích hợp. Thăng hoa có nghĩa là ở nhiệt độ cao, nguồn khối chuyển trực tiếp từ trạng thái rắn sang trạng thái hơi, sau đó ngưng tụ lại trên bề mặt chất nền để tạo thành tinh thể đơn.
4. Kiểm soát nhiệt độ: Trong quá trình thăng hoa, cần kiểm soát chính xác độ dốc nhiệt độ và sự phân bố nhiệt độ để thúc đẩy quá trình thăng hoa của khối vật liệu và sự phát triển của tinh thể đơn. Kiểm soát nhiệt độ thích hợp có thể đạt được chất lượng tinh thể lý tưởng và tốc độ tăng trưởng tối ưu.
5. Kiểm soát môi trường: Trong quá trình thăng hoa, môi trường phản ứng cũng cần được kiểm soát. Khí trơ có độ tinh khiết cao (như argon) thường được sử dụng làm khí mang để duy trì áp suất và độ tinh khiết thích hợp, đồng thời ngăn ngừa sự nhiễm bẩn bởi các tạp chất.
6. Nuôi cấy tinh thể đơn: Khối vật liệu CVD-SiC trải qua quá trình chuyển pha hơi trong quá trình thăng hoa và ngưng tụ lại trên bề mặt chất nền để tạo thành cấu trúc tinh thể đơn. Có thể đạt được sự phát triển nhanh chóng của tinh thể đơn SiC thông qua các điều kiện thăng hoa thích hợp và kiểm soát độ dốc nhiệt độ.
Rất hân hạnh được đón tiếp quý khách đến thăm nhà máy của chúng tôi, hãy cùng trao đổi thêm nhé!
